Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

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Resultados: 64

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM300NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.84
4,733En existencias

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TQM300NB06DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM300NB06DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

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4,733En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/4.40

S/3.00

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.01

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SMD/SMT

PDFN56U-6

N-Channel

2 Channel

60 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.80
4,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,465En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/4.05

S/2.85

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

13 Ohms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.34
3,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM033NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM033NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

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3,901En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.83

S/3.73

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.47

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.90
4,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,924En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.97

S/2.77

S/2.34

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/3.81
7,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

S/3.81

S/3.14

S/2.26

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.45

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/9.61
4,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

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S/9.61

S/7.08

S/5.14

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.78

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SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM110NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.42
6,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM110NB04DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM110NB04DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET

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S/6.42

S/6.23

S/4.24

S/3.52

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-6

N-Channel

2 Channel

40 V

10 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM250NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/3.85
4,928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM250NB06DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM250NB06DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

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S/3.85

S/3.14

S/2.44

S/2.16

S/2.12

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56U-6

N-Channel

2 Channel

60 V

6 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.63
4,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,196En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/3.13

S/2.36

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.54

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.44
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM070NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM070NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

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5,000En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.58

S/2.57

S/2.19

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM145NH08CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/7.82
5,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM145NH08CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM145NH08CRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.46

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

80 V

52 A

14.5 mOhms

20 V

3.6 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM240NH10CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.97
5,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM240NH10CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM240NH10CRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.94

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.85

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

100 V

34 A

24 mOhms

20 V

3.6 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002CU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.28
18,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002CU RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002CURFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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18,000En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.88

S/0.557

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.234

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

3 Ohms

20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

568 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002CX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.21
14,341En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002CX RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002CXRFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

14,341En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.825

S/0.525

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.222

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23

N-Channel

1 Channel

60 V

380 mA

3 Ohms

20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

806 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002DCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.75
18,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002DCU6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002DCU6RFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

18,000En existencias

Cinta cortada

S/1.75

S/1.29

S/0.732

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363

N-Channel

1 Channel

60 V

260 mA

3 Ohms

20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

376 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04CR-V RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/29.31
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM019NH04CR-V RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM019NH04CRVRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/29.31

S/21.88

S/17.71

S/15.73

Ver

Envase tipo carrete

S/13.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V

TQM048NH10LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/14.75
2,460En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM048NH10LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM048NH10LCRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

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Hoja de datos

2,460En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.61

S/7.55

S/6.31

S/5.92

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

146 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

TQM075NH10LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/11.37
2,448En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM075NH10LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM075NH10LCRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

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Hoja de datos

2,448En existencias

Cinta cortada

S/11.37

S/7.40

S/5.10

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.45

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 47A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM100NB04CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.32
9,975En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM100NB04CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM100NB04CVRGG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 47A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

9,975En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.82

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PDFN33

N-Channel

1 Channel

40 V

47 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM130NB04CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.05
10,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM130NB04CV RGG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM130NB04CVRGG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PDFN33

N-Channel

1 Channel

40 V

38 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM250NB06CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.32
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TQM250NB06CV RGG

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821-TQM250NB06CVRGG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/4.32

S/2.82

S/1.86

S/1.46

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S/1.07

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SMD/SMT

PDFN33

N-Channel

1 Channel

60 V

26 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V

TQM250NH10LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/9.50
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TQM250NH10LDCR RLG

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821-TQM250NH10LDCRLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V

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S/6.15

S/4.20

S/3.35

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S/2.79

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SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

5.5 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM300NB06CV RGG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.16
9,972En existencias
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TQM300NB06CV RGG

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821-TQM300NB06CVRGG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/4.16

S/2.62

S/1.72

S/1.35

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S/0.961

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SMD/SMT

PDFN33

N-Channel

1 Channel

60 V

22 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM123KCX RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.05
20,093En existencias
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TQM123KCX RFG

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821-TQM123KCXRFG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/1.05

S/0.638

S/0.401

S/0.296

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S/0.23

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2 nC

- 55 C

+ 150 C

328 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM138KCU RFG
Taiwan Semiconductor
1: S/1.09
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N.º de artículo del Fabricante
TQM138KCU RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM138KCURFG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/1.09

S/0.673

S/0.42

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.245

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

TQMx Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

160 mA
170 mA
190 mA
260 mA
310 mA
320 mA
330 mA
360 mA
370 mA
380 mA
6 A
7 A
10 A
12 A
15 A
22 A
24 A
26 A
31 A
33 A

1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
4.3 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.6 mOhms
10 mOhms
11 mOhms
13 mOhms
14.5 mOhms
15 mOhms
17 mOhms

1.7 nC
1.8 nC
1.9 nC
2 nC
4.8 nC
5.5 nC
5.8 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC
8.4 nC
8.7 nC
9.4 nC
10.7 nC
11 nC
13 nC
13.6 nC
14 nC
14.2 nC
16 nC

300 mW
316 mW
320 mW
328 mW
337 mW
376 mW
400 mW
403 mW
416 mW
568 mW
806 mW
2.5 W
3.1 W
30 W
35 W
36 W
43 W
46.8 W
48 W
49 W