MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

UF3C120150B7S
onsemi
1: S/44.69
412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

412En existencias

Cinta cortada

S/44.69

S/31.02

S/26.27

S/24.52

Envase tipo carrete

S/24.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

150 mOhms

- 25 V, + 25 V

4.4 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO2

UF3C170400K3S
onsemi
1: S/35.58
728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C170400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO2

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Hoja de datos

728En existencias

S/35.58

S/21.21

S/19.73

S/19.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

UJ3C065080K3S
onsemi
1: S/43.99
854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

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Hoja de datos

854En existencias

S/43.99

S/26.27

S/24.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220

UJ3C065080T3S
onsemi
1: S/39.59
478En existencias
2,000Se espera el 20/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220

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Hoja de datos

478En existencias

2,000Se espera el 20/04/2026

S/39.59

S/30.01

S/25.03

S/22.30

S/19.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

UJ3C120040K3S
onsemi
1: S/133.36
547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

547En existencias

S/133.36

S/99.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2

UJ3C120150K3S
onsemi
1: S/50.29
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120150K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120150K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2

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Hoja de datos

393En existencias

S/50.29

S/30.40

S/25.03

S/24.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

180 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

UJ4C075018K3S
onsemi
1: S/42.00
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075018K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

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Hoja de datos

224En existencias

S/42.00

S/39.94

S/39.55

S/24.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

81 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075044K4S
onsemi
1: S/54.18
1,527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075044K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075044K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

1,527En existencias

S/54.18

S/33.01

S/28.30

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

37.4 A

56 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4

UJ4SC075011K4S
onsemi
1: S/75.13
688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075011K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075011K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

688En existencias

S/75.13

S/49.67

S/44.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

104 A

11 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

UJ3C120070K4S
onsemi
1: S/72.36
590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120070K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UJ3C120070K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

590En existencias

S/72.36

S/55.97

S/44.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34.5 A

90 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263

UJ3C065030B3
onsemi
1: S/90.11
751En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030B3

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263

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Hoja de datos

751En existencias

Cinta cortada

S/90.11

S/66.52

S/66.48

Envase tipo carrete

S/54.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

66 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

UF3C065080K3S
onsemi
1: S/44.30
683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

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Hoja de datos

683En existencias

S/44.30

S/34.64

S/28.88

S/25.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2

UF3C120150K4S
onsemi
1: S/46.59
77En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2

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Hoja de datos

77En existencias

S/46.59

S/28.22

S/25.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

330 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

UJ3C120070K3S
onsemi
1: S/78.16
118En existencias
1,800Se espera el 18/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120070K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120070K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

118En existencias

1,800Se espera el 18/02/2026

S/78.16

S/64.30

S/55.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34.5 A

90 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4

UJ4SC075006K4S
onsemi
1: S/201.83
5En existencias
600Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075006K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075006K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

5En existencias

600Se espera el 7/08/2026

S/201.83

S/145.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

120 A

5.9 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C120400K3S
onsemi
1: S/40.21
300Se espera el 18/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

300Se espera el 18/02/2026

S/40.21

S/23.74

S/21.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075060K4S
onsemi
1: S/48.93
577Se espera el 9/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075060K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075060K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

577Se espera el 9/02/2026

S/48.93

S/38.77

S/32.31

S/28.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

28 A

74 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

155 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-7

UF3SC065030B7S
onsemi
1: S/90.15
56,800Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC065030B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC065030B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

56,800Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/90.15

S/65.36

S/65.16

Envase tipo carrete

S/65.16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO247-4

UJ4SC075009K4S
onsemi
600: S/95.52
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075009K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075009K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas

S/95.52

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

106 A

9 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/10MOSICFETG4TOLL

UJ4SC075010L8S
onsemi
2,000: S/74.50
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075010L8S

N.º de artículo de Mouser
772-UJ4SC075010L8S

Nuevo producto

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/10MOSICFETG4TOLL

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Envase tipo carrete

S/74.50

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

MO-229-8

N-Channel

1 Channel

750 V

106 A

10.7 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC UJ4SC075010L8S

UJ4SC075010L8SSR
onsemi
No en existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075010L8SSR

N.º de artículo de Mouser
772-UJ4SC075010L8SSR

Pedido especial de fábrica

onsemi

MOSFETs de SiC UJ4SC075010L8S

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Cotización

SMD/SMT

MO-229-8

N-Channel

1 Channel

750 V

106 A

10.7 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

SiC FET

High-Performance SiC FETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.9 A
7.6 A
17 A
18.4 A
25 A
25.8 A
27 A
27.8 A
28 A
28.8 A
31 A
33 A
34.5 A
35.6 A
37.4 A
41 A
43 A
44 A
47 A
53 A

5 mOhms
5.9 mOhms
8 mOhms
9 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
23 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
33 mOhms
35 mOhms
41 mOhms
42 mOhms
44 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
58 mOhms

100 W
115 W
128 W
136 W
136.4 W
155 W
166.7 W
176 W
181 W
190 W
195 W
197 W
203 W
205 W
214 W
242 W
250 W
254.2 W
259 W
278 W