MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263

UJ4SC075018B7S
onsemi
1: S/82.75
1,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075018B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

1,168En existencias

Cinta cortada

S/82.75

S/59.52

S/58.23

S/58.04

Envase tipo carrete

S/55.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

72 A

18 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

259 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263

UJ4C075033B7S
onsemi
1: S/59.20
486En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075033B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075033B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

486En existencias

Cinta cortada

S/59.20

S/41.57

S/34.68

Envase tipo carrete

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

44 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: S/75.48
3,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

3,300En existencias

S/75.48

S/48.11

S/45.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: S/75.94
1,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

1,258En existencias

S/75.94

S/47.37

S/44.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247

UJ3C065030K3S
onsemi
1: S/99.03
608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247

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Hoja de datos

608En existencias

S/99.03

S/64.15

S/63.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247

UJ4C075060K3S
onsemi
1: S/50.33
1,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075060K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075060K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247

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Hoja de datos

1,916En existencias

S/50.33

S/36.67

S/31.26

S/27.87

S/26.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

28 A

74 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

155 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263

UJ4C075044B7S
onsemi
1: S/54.61
730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075044B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075044B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

730En existencias

Cinta cortada

S/54.61

S/38.19

S/31.26

S/29.19

Envase tipo carrete

S/29.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

35.6 A

56 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C065080K4S
onsemi
1: S/47.76
588En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

588En existencias

S/47.76

S/28.92

S/24.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4

UF3SC065007K4S
onsemi
1: S/284.78
455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC065007K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC065007K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

455En existencias

S/284.78

S/220.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

9 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

214 nC

- 55 C

+ 175 C

789 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

UF3SC120016K4S
onsemi
1: S/275.01
466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC120016K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC120016K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

466En existencias

S/275.01

S/222.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

21 mOhms

- 20 V, + 20 V

4 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263

UJ4C075023B7S
onsemi
1: S/75.28
787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263

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Hoja de datos

787En existencias

Cinta cortada

S/75.28

S/53.60

S/47.29

Envase tipo carrete

S/44.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

64 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UF3C065030T3S
onsemi
1: S/97.16
902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

902En existencias

S/97.16

S/63.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C120040K4S
onsemi
1: S/107.36
676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

676En existencias

S/107.36

S/69.40

S/66.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247

UJ4C075023K4S
onsemi
1: S/44.88
812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247

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Hoja de datos

812En existencias

S/44.88

S/26.90

S/24.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

66 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C120080B7S
onsemi
1: S/74.85
722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

722En existencias

Cinta cortada

S/74.85

S/53.29

S/46.94

S/43.83

Envase tipo carrete

S/43.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28.8 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

UJ4C075018K4S
onsemi
1: S/86.92
638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075018K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247

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Hoja de datos

638En existencias

S/86.92

S/56.44

S/56.40

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

81 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C120400K3S
onsemi
1: S/42.58
278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

278En existencias

S/42.58

S/25.53

S/21.64

S/21.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

UF3C065030B3
onsemi
1: S/98.36
453En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

Obtenga más información

Hoja de datos

453En existencias

Cinta cortada

S/98.36

S/71.15

S/66.56

S/62.12

Envase tipo carrete

S/62.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

65 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 25 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263

UF3SC065040B7S
onsemi
1: S/72.60
738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC065040B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC065040B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263

Obtenga más información

Hoja de datos

738En existencias

Cinta cortada

S/72.60

S/51.61

S/45.15

S/43.32

Envase tipo carrete

S/43.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

195 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UF3C065080B3
onsemi
1: S/44.65
1,258En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,258En existencias

Cinta cortada

S/44.65

S/30.87

S/24.02

S/22.42

Envase tipo carrete

S/22.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UJ3C065080B3
onsemi
1: S/43.56
435En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

Obtenga más información

Hoja de datos

435En existencias

Cinta cortada

S/43.56

S/30.87

S/24.02

S/22.42

Envase tipo carrete

S/22.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C065080B7S
onsemi
1: S/50.76
200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

200En existencias

Cinta cortada

S/50.76

S/35.34

S/28.42

S/26.55

Envase tipo carrete

S/26.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136.4 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

UF3C065040T3S
onsemi
1: S/75.44
145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

145En existencias

S/75.44

S/44.88

S/44.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C120080K3S
onsemi
1: S/81.31
1,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,117En existencias

S/81.31

S/51.73

S/49.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

UF3SC120016K3S
onsemi
1: S/219.69
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC120016K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC120016K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

205En existencias

S/219.69

S/161.07

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

21 mOhms

- 20 V, + 20 V

4 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.9 A
7.6 A
17 A
18.4 A
25 A
25.8 A
27 A
27.8 A
28 A
28.8 A
31 A
33 A
34.5 A
35.6 A
37.4 A
41 A
43 A
44 A
47 A
53 A

5 mOhms
5.9 mOhms
8 mOhms
9 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
23 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
33 mOhms
35 mOhms
41 mOhms
42 mOhms
44 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
58 mOhms

100 W
115 W
128 W
136 W
136.4 W
155 W
166.7 W
176 W
181 W
190 W
195 W
197 W
203 W
205 W
214 W
242 W
250 W
254.2 W
259 W
278 W