MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7

UJ4SC075009B7S
onsemi
1: S/127.91
688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075009B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075009B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7

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Hoja de datos

688En existencias

Cinta cortada

S/127.91

S/103.23

S/97.04

Envase tipo carrete

S/94.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

106 A

9 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7

UJ4SC075018B7S
onsemi
1: S/82.75
1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075018B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7

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Hoja de datos

1,247En existencias

Cinta cortada

S/82.75

S/59.52

S/58.23

Envase tipo carrete

S/54.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

72 A

18 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

259 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7

UJ4C075023B7S
onsemi
1: S/70.34
812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7

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Hoja de datos

812En existencias

Cinta cortada

S/70.34

S/50.10

S/47.29

Envase tipo carrete

S/47.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

64 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263-7

UJ4C075033B7S
onsemi
1: S/55.31
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075033B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075033B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263-7

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Hoja de datos

490En existencias

Cinta cortada

S/55.31

S/38.85

S/34.68

S/34.64

Envase tipo carrete

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

44 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: S/70.77
1,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

1,295En existencias

S/70.77

S/44.22

S/39.08

S/39.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: S/61.23
3,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

3,300En existencias

S/61.23

S/39.82

S/39.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C120080B7S
onsemi
1: S/69.95
781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

781En existencias

Cinta cortada

S/69.95

S/49.79

S/46.94

Envase tipo carrete

S/43.83

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28.8 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075018K4S
onsemi
1: S/83.61
650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075018K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

650En existencias

S/83.61

S/53.99

S/49.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

81 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-3

UJ4C075023K3S
onsemi
1: S/44.88
595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-3

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Hoja de datos

595En existencias

S/44.88

S/26.90

S/21.60

S/21.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

66 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263-7

UJ4C075044B7S
onsemi
1: S/51.07
764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075044B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075044B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263-7

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Hoja de datos

764En existencias

Cinta cortada

S/51.07

S/35.69

S/31.26

S/31.22

Envase tipo carrete

S/29.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

35.6 A

56 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UF3C065030T3S
onsemi
1: S/79.33
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

932En existencias

S/79.33

S/55.43

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075023K4S
onsemi
1: S/44.88
843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

843En existencias

S/44.88

S/36.01

S/33.98

S/21.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

66 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C065080B7S
onsemi
1: S/47.45
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

210En existencias

Cinta cortada

S/47.45

S/33.05

S/28.42

S/28.38

Envase tipo carrete

S/26.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136.4 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

UJ3C065030K3S
onsemi
1: S/93.81
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

625En existencias

S/93.81

S/59.94

S/55.78

S/55.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-3

UJ4C075044K3S
onsemi
1: S/44.37
558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075044K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075044K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247-3

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Hoja de datos

558En existencias

S/44.37

S/26.55

S/21.29

S/21.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

37.4 A

56 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-3

UJ4C075060K3S
onsemi
1: S/46.79
2,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075060K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075060K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-3

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Hoja de datos

2,130En existencias

S/46.79

S/29.12

S/28.84

S/28.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

28 A

74 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

155 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075033K4S
onsemi
1: S/58.62
1,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075033K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075033K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-4

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Hoja de datos

1,026En existencias

S/58.62

S/35.93

S/30.95

S/30.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

47 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-3

UJ4C075033K3S
onsemi
1: S/56.79
472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075033K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075033K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247-3

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Hoja de datos

472En existencias

S/56.79

S/34.80

S/29.89

S/29.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

47 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C065080K4S
onsemi
1: S/38.22
599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

599En existencias

S/38.22

S/22.97

S/21.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UF3C065080B3
onsemi
1: S/41.49
1,262En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

1,262En existencias

Cinta cortada

S/41.49

S/28.80

S/24.02

S/23.98

Envase tipo carrete

S/22.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

UF3C065030B3
onsemi
1: S/91.94
460En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

460En existencias

Cinta cortada

S/91.94

S/66.52

Envase tipo carrete

S/62.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

65 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 25 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UJ3C065080B3
onsemi
1: S/41.38
463En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

463En existencias

Cinta cortada

S/41.38

S/28.77

S/24.02

S/23.98

Envase tipo carrete

S/22.42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

UF3C065030K3S
onsemi
1: S/79.68
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

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Hoja de datos

130En existencias

S/79.68

S/55.78

S/55.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C120040K4S
onsemi
1: S/107.94
686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

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Hoja de datos

686En existencias

S/107.94

S/69.83

S/66.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-7

UF3SC065040B7S
onsemi
1: S/67.85
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3SC065040B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3SC065040B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-7

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Hoja de datos

748En existencias

Cinta cortada

S/67.85

S/48.23

S/45.15

Envase tipo carrete

S/42.16

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

195 W

Enhancement

SiC FET

High-Performance SiC FETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.9 A
7.6 A
17 A
18.4 A
25 A
25.8 A
27 A
27.8 A
28 A
28.8 A
31 A
33 A
34.5 A
35.6 A
37.4 A
41 A
43 A
44 A
47 A
53 A

5 mOhms
5.9 mOhms
8 mOhms
9 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
23 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
33 mOhms
35 mOhms
41 mOhms
42 mOhms
44 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
58 mOhms

100 W
115 W
128 W
136 W
136.4 W
155 W
166.7 W
176 W
181 W
190 W
195 W
197 W
203 W
205 W
214 W
242 W
250 W
254.2 W
259 W
278 W