Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.20
70En existencias
960Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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960Se espera el 14/09/2026

S/36.20

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S/17.91

S/17.44

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61 A

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3.5 V

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+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.77
759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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759En existencias

S/9.77

S/4.79

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.92
741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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741En existencias

S/12.92

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600 V

18 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.16
46En existencias
3,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

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3,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.86
472En existencias
6,000Se espera el 7/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

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472En existencias

6,000Se espera el 7/10/2026

Cinta cortada

S/20.86

S/12.73

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S/8.76

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

VSON-4

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
451En existencias
6,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

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726-IPP60R060P7XKSA1

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451En existencias

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S/28.92

S/18.92

S/13.94

S/12.38

Ver

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CoolMOS

Tube

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IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.14
1,070En pedido

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IPP60R099P7XKSA1

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726-IPP60R099P7XKSA1

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S/21.14

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CoolMOS

Tube

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IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
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499En existencias

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IPP60R120P7XKSA1

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726-IPP60R120P7XKSA1

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S/17.24

S/8.84

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95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
1,144En existencias

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IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

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S/13.00

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.59
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120P7XKSA1

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726-IPW60R120P7XKSA1

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272En existencias

S/20.59

S/10.43

S/9.54

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

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600 V

26 A

100 mOhms

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95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.60
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

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Hoja de datos

47En existencias

S/34.60

S/21.49

S/17.32

S/15.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

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+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

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240En existencias

S/27.48

S/14.25

S/13.04

S/11.09

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.14
2,820En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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2,820En pedido

S/34.14

S/18.49

S/17.01

S/15.61

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

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3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.43
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,000En pedido

S/13.43

S/6.73

S/6.07

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.88
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/31.88

S/16.85

S/15.49

S/13.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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