Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
642En existencias

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IPA60R099P7XKSA1

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726-IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/16.47

S/8.10

S/7.67

S/7.32

S/5.88

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TO-220-3

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31 A

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- 20 V, 20 V

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29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
1,593En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/8.02

S/3.87

S/3.42

S/2.76

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.59
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

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726-IPA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/10.59

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S/3.80

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18 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
263En existencias
12,500Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

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726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

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Cinta cortada

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S/4.71

S/3.15

S/2.52

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
307En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

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IPL60R065P7AUMA1

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726-IPL60R065P7AUMA1

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307En existencias

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Cinta cortada

S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.26

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.56
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

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726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/11.56

S/7.16

S/6.50

S/5.25

S/4.79

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26 A

100 mOhms

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
217En existencias
240Se espera el 16/02/2026

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IPW60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/10.86

S/10.63

S/9.11

S/7.86

S/6.11

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Through Hole

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1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

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3 V

36 nC

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.16
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

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130En existencias

S/39.16

S/38.26

S/22.27

S/19.77

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76 A

30 mOhms

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121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.59
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

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S/23.59

S/14.13

S/11.79

S/10.20

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TO-247-4

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37 A

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129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.27
42,720En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

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726-IPW60R180P7XKSA1

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42,720En pedido

S/13.27

S/7.24

S/5.92

S/4.55

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.22
2,947En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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2,947En pedido

S/18.22

S/10.67

S/10.16

S/8.41

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
5,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,500En pedido

S/18.45

S/9.30

S/8.68

S/7.16

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.01
906Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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906Se espera el 23/07/2026

S/27.01

S/15.57

S/13.04

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.08
1,601Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

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1,601Se espera el 14/05/2026

S/23.08

S/16.11

S/13.04

S/11.56

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
227Se espera el 3/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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227Se espera el 3/07/2026

S/27.48

S/16.19

S/13.74

S/11.68

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.68
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/31.68

S/18.68

S/15.73

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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