Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R180P7XKSA1

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726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,606En existencias

S/11.91

S/6.03

S/5.41

S/3.88

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.65
917En existencias

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726-IPL60R085P7AUMA1

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Cinta cortada

S/22.65

S/15.10

S/10.82

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S/9.15

Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
23,960En existencias
20,640Se espera el 25/06/2026

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23,960En existencias

20,640Se espera el 25/06/2026

S/15.38

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S/7.28

S/6.03

Ver

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18 A

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Enhancement

CoolMOS

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14,433En existencias
6,500Se espera el 4/02/2027

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6,500Se espera el 4/02/2027

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S/14.40

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Cinta cortada

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S/16.11

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Infineon Technologies
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7,946En existencias

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IPB60R180P7ATMA1

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726-IPB60R180P7ATMA1

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Cinta cortada

S/12.14

S/7.86

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Envase tipo carrete

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600 V

18 A

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3 V

25 nC

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+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.08
2,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

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2,024En existencias

S/16.08

S/8.17

S/7.43

S/6.03

S/5.76

Min.: 1
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+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.66
997En existencias
2,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

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997En existencias

2,000Se espera el 14/09/2026

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S/29.66

S/16.85

S/13.78

S/13.51

Envase tipo carrete

S/12.53

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
5,572En existencias
5,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5,572En existencias

5,000Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/10.51

S/6.38

S/4.52

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
13,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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13,390En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/30.52
3,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,621En existencias

Cinta cortada

S/30.52

S/20.67

S/15.10

S/14.56

S/13.58

Envase tipo carrete

S/13.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
2,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

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2,774En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.73

S/9.15

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
4,754En existencias
6,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,754En existencias

6,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/14.83

S/9.93

S/7.28

S/6.07

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.95
4,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

4,395En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.33

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.76
596En existencias
7,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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596En existencias

7,000En pedido

S/24.76

S/15.06

S/12.73

S/11.29

S/10.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.30
517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

517En existencias

S/51.30

S/30.95

S/26.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

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101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.31
49En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

49En existencias

S/32.31

S/21.21

S/17.40

S/15.26

S/13.66

Min.: 1
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1 Channel

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48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.73
832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

832En existencias

S/19.73

S/11.95

S/9.89

S/9.07

S/8.41

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.22
366En existencias

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