Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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S/13.55

S/11.44

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S/18.06

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Envase tipo carrete

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

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S/11.68

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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979En existencias
12,500Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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979En existencias

12,500Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.02

S/4.09

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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18 A

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3 V

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+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
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11,664En existencias
7,500Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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11,664En existencias

7,500Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/9.69

S/5.92

S/4.16

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.59

Ver

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

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3 V

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72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
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1,316En existencias
6,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,316En existencias

6,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/23.04

S/15.10

S/11.25

S/9.46

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.14

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: 3,000

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1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

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137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

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4,724En existencias

6,000Se espera el 18/02/2027

Cinta cortada

S/15.92

S/10.43

S/7.79

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.46

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-4

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1 Channel

600 V

27 A

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3 V

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111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
4,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

4,235En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

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- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.49
2,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2,176En existencias

S/12.49

S/7.59

S/5.61

S/4.48

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.97
439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

439En existencias

S/55.97

S/42.62

S/35.54

S/31.61

S/29.97

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.51
775En existencias
240Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

775En existencias

240Se espera el 22/10/2026

S/33.51

S/23.59

S/19.11

S/14.01

Min.: 1
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600 V

48 A

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3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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3,280En existencias
240Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

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3,280En existencias

240Se espera el 15/07/2026

S/30.05

S/18.37

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S/12.57

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Min.: 1
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1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.29
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

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77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

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+ 150 C

117 W

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Infineon Technologies
1: S/49.12
254En existencias

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1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

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+ 150 C

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CoolMOS

Tube

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IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.55
299En existencias

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726-IPA60R160P7XKSA1

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S/8.84

S/6.19

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

374 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

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CoolMOS

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IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.96
5En existencias
3,000Se espera el 6/08/2026

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S/28.96

S/18.96

S/13.97

S/11.83

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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29 W

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