Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
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IPA60R080P7XKSA1

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726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/8.95

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37 A

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- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.41
3,487En existencias

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726-IPL60R065P7AUMA1

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Cinta cortada

S/31.41

S/17.05

S/15.65

S/15.22

S/14.36

Envase tipo carrete

S/14.36

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

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IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
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220En existencias

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S/36.82

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R037P7XKSA1
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726-IPW60R037P7XKSA1

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S/41.77

S/22.69

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IPW60R180P7XKSA1
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21,007En existencias
23,760Se espera el 29/04/2027

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S/16.15

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CoolMOS

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7,585En existencias

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S/6.50

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Envase tipo carrete

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S/4.32

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18 A

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3 V

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72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA60R060P7XKSA1
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2,993En existencias

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S/27.56

S/14.64

S/13.39

S/11.17

S/11.09

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
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824En existencias

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IPA60R099P7XKSA1

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726-IPA60R099P7XKSA1

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S/20.01

S/10.39

S/9.46

S/7.79

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
1,872En existencias

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IPA60R120P7XKSA1

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726-IPA60R120P7XKSA1

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S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.54

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28 W

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CoolMOS

Tube

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IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
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728En existencias
4,000Se espera el 4/09/2026

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IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

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Cinta cortada

S/29.66

S/19.81

S/16.50

S/15.03

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.57
1,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

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Cinta cortada

S/25.57

S/14.48

S/13.16

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

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Cinta cortada

S/21.18

S/10.98

S/9.96

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
5,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

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5,255En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
9,750En existencias
7,500Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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9,750En existencias

7,500Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/8.56

S/4.16

S/3.71

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.67
4,251En existencias
3,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,251En existencias

3,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/20.67

S/10.86

S/9.89

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
7,601En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

7,601En existencias

3,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/16.11

S/8.68

S/7.86

S/6.66

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
3,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

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3,691En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/6.38

S/5.76

S/4.67

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.66
1,931En existencias
5,000Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,931En existencias

5,000Se espera el 18/03/2027

S/26.66

S/14.64

S/13.39

S/12.38

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.58
289En existencias
720Se espera el 1/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

289En existencias

720Se espera el 1/09/2026

S/55.58

S/31.14

S/29.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,510En existencias

S/27.48

S/14.32

S/13.16

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.95
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

648En existencias

S/21.95

S/11.68

S/10.67

S/10.39

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.99
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

253En existencias

S/47.99

S/26.47

S/24.99

Min.: 1
Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

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+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
778En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

778En existencias

S/10.70

S/5.25

S/4.75

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.43
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

299En existencias

S/13.43

S/6.73

S/6.07

S/4.90

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

374 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.42
310En existencias
1,000Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

310En existencias

1,000Se espera el 21/09/2026

Cinta cortada

S/22.42

S/11.76

S/10.70

S/9.65

Envase tipo carrete

S/9.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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