Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 23

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
2,793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,793En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.10

S/3.68

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.66

S/2.48

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
5,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,788En existencias

S/6.46

S/3.77

S/3.28

S/2.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.21
1,320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/30.21

S/19.46

S/16.39

S/15.38

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

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- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/7.36

S/3.29

S/2.95

S/2.47

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Min.: 1
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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

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900 mOhms

- 20 V, 20 V

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15 nC

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+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
1,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/11.02

S/7.05

S/5.02

S/4.05

S/3.80

Envase tipo carrete

S/3.55

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SMD/SMT

VSON-4

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1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

- 20 V, 20 V

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18 nC

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59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K0PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/6.85

S/4.28

S/2.82

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

IPT60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
2,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

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Cinta cortada

S/11.29

S/6.77

S/4.79

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.59

Ver

MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.98
1,820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,820En existencias

Cinta cortada

S/23.98

S/16.04

S/11.56

S/10.55

Envase tipo carrete

S/9.89

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/25.77
1,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/25.77

S/16.85

S/12.49

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/11.25
2,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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2,659En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.51

S/5.29

S/4.40

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
1: S/17.91
1,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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1,750En existencias

Cinta cortada

S/17.91

S/11.76

S/8.33

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

351 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
9,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

9,001En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.69

S/1.88

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/38.03
1,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R065C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,196En existencias

S/38.03

S/22.62

S/19.15

S/19.11

S/18.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

700En existencias

S/10.28

S/5.96

S/4.55

S/3.85

S/3.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.35
167En existencias
500Se espera el 28/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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167En existencias

500Se espera el 28/05/2026

S/13.35

S/7.36

S/6.66

S/5.37

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

664En existencias

Cinta cortada

S/16.15

S/10.63

S/7.43

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

439 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,726En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.99

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW65R041CFDFKSA2
Infineon Technologies
1: S/50.95
181En existencias
240Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFDFKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFDFKS2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

181En existencias

240Se espera el 28/01/2027

S/50.95

S/30.71

S/26.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.99
236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

236En existencias

S/27.99

S/16.04

S/13.39

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL65R200CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R200CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R200CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.87

S/6.54

S/5.45

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
995Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

995Se espera el 11/06/2026

S/10.86

S/5.37

S/4.75

S/3.88

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.57
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,000En pedido

S/5.57

S/2.62

S/2.33

S/1.83

S/1.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
500Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

500Se espera el 11/06/2026

S/12.69

S/6.46

S/5.53

S/4.55

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

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63 W

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Recursos

Soporte

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58 mOhms
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84 mOhms
99 mOhms
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