Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

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Resultados: 23

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/11.44
1,318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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1,318En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/6.50

S/5.45

S/4.67

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
1,431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,431En existencias

S/7.90

S/3.54

S/3.18

S/2.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

IPT60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

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1,485En existencias

Cinta cortada

S/11.37

S/6.23

S/5.41

S/4.55

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.73
1,271En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/25.73

S/13.66

S/12.49

S/11.60

Envase tipo carrete

S/10.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/27.64
916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/27.64

S/14.75

S/13.51

S/12.77

Envase tipo carrete

S/11.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
1: S/18.49
1,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Cinta cortada

S/18.49

S/9.54

S/8.64

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

351 mOhms

20 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.07
3,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/12.07

S/5.99

S/5.41

S/4.36

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
8,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/4.75

S/2.21

S/1.96

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW65R041CFDFKSA2
Infineon Technologies
1: S/52.74
395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFDFKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFDFKS2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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395En existencias

S/52.74

S/29.35

S/28.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.93
1,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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1,029En existencias

S/35.93

S/19.23

S/17.75

S/17.71

S/17.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

20 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.44
335En existencias
500Se espera el 6/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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335En existencias

500Se espera el 6/10/2026

S/14.44

S/7.94

S/7.20

S/6.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
460En existencias
1,000Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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460En existencias

1,000Se espera el 19/10/2026

S/11.09

S/4.90

S/4.48

S/3.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
961En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

961En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.25

S/2.18

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
969En existencias
500Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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969En existencias

500Se espera el 17/12/2026

S/6.54

S/3.10

S/2.77

S/2.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
1,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,520En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/4.83

S/4.28

S/3.44

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

464En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/8.87

S/8.02

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

439 mOhms

20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL65R200CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
2En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R200CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R200CFD7AUM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2En existencias

Cinta cortada

S/15.88

S/9.07

S/7.24

S/5.99

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

200 mOhms

20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.01
479En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

479En pedido

S/30.01

S/15.76

S/14.52

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.68
943En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R065C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

943En pedido

S/37.68

S/22.42

S/20.71

S/20.67

S/20.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
880En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

880En pedido

S/10.82

S/5.37

S/4.79

S/3.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
1,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,000Se espera el 10/12/2026

S/9.26

S/4.55

S/4.09

S/3.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
286Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

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Hoja de datos

286Se espera el 4/02/2027

S/13.82

S/6.93

S/6.07

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K0PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Cinta cortada

S/7.51

S/4.71

S/3.09

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

CoolMOS™ Power Transistors

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

41 mOhms
58 mOhms
75 mOhms
84 mOhms
99 mOhms
168 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
199 mOhms
200 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
225 mOhms
305 mOhms
351 mOhms
439 mOhms
490 mOhms
900 mOhms
1 Ohms
2.9 Ohms