Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

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Resultados: 23

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R360P7XKSA1

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726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/8.60

S/4.94

S/3.86

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TO-220-3

N-Channel

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600 V

9 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.26
1,186En existencias

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IPZ65R065C7XKSA1

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726-IPZ65R065C7XKSA1

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S/41.26

S/29.15

S/24.29

S/21.64

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+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.80
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726-IPU80R900P7AKMA1

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S/3.63

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6 A

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45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPLK60R1K0PFD7ATMA1
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IPLK60R1K0PFD7ATMA1

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726-IPLK60R1K0PFD7AT

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5.2 A

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6 nC

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+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

IPT60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
2,560En existencias

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IPT60R180CM8XTMA1

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726-IPT60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

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S/12.81

S/7.63

S/5.41

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.67

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600 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.53
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IPB60R099C7ATMA1

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726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

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S/28.53

S/18.68

S/13.78

S/12.26

Envase tipo carrete

S/10.94

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

600 V

22 A

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- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.42
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IPB60R360P7ATMA1

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726-IPB60R360P7ATMA1

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S/9.42

S/5.72

S/4.28

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.01

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: S/28.65
916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.65

S/18.33

S/13.90

S/12.69

Envase tipo carrete

S/11.52

Ver

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
1: S/20.01
1,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R150CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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S/20.01

S/13.16

S/9.58

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.36

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TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

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- 20 V, 20 V

4 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/12.46
1,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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S/12.46

S/8.33

S/5.80

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.16

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.79
8,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/4.79

S/2.95

S/1.94

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW65R041CFDFKSA2
Infineon Technologies
1: S/52.78
404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFDFKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFDFKS2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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404En existencias

S/52.78

S/40.21

S/33.51

S/29.82

S/28.26

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.97
1,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/35.97

S/24.56

S/20.28

S/18.02

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
155En existencias
500Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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155En existencias

500Se espera el 16/07/2026

S/16.04

S/10.47

S/7.63

S/6.34

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.45
136En existencias
240Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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136En existencias

240Se espera el 3/09/2026

S/31.45

S/21.06

S/16.93

S/14.99

S/13.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.44
690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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690En existencias

S/11.44

S/6.27

S/5.02

S/4.28

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.87
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

664En existencias

Cinta cortada

S/17.87

S/11.72

S/8.72

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.77

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

439 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,726En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.02

S/2.38

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.49
752En existencias
3,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

752En existencias

3,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/12.49

S/8.06

S/5.53

S/4.52

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

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Hoja de datos

500En existencias

S/14.09

S/9.19

S/6.42

S/5.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL65R200CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.10
2En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R200CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R200CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/9.85

S/7.16

S/5.99

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
995Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

995Se espera el 6/08/2026

S/11.37

S/7.36

S/5.06

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
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N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

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726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ Power Transistors

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

41 mOhms
58 mOhms
75 mOhms
84 mOhms
99 mOhms
168 mOhms
170 mOhms
180 mOhms
199 mOhms
200 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
225 mOhms
305 mOhms
351 mOhms
439 mOhms
490 mOhms
900 mOhms
1 Ohms
2.9 Ohms