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IPT60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R180CM8XTMA
Price: 10.35 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPT60R180CM8XTMA

Fabricante N.º:

IPT60R180CM8XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/10.35	S/10.35
	S/6.19	S/61.90
	S/4.48	S/448.00
	S/3.71	S/1,855.00
	S/3.49	S/3,490.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/3.46	S/6,920.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	17 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	119 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	88.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17.2 ns
Alias de las piezas n.º:	IPT60R180CM8 SP005578053

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

MOSFET de potencia Gold (G7) C7 CoolMOS™

Los MOSFET de potencia Gold C7 (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies están incluidos en el nuevo paquete SMD TO sin plomo (TOLL) utilizando el concepto de fórmula Kelvin. Los MOSFET G7 combinan la tecnología CoolMOS™ G7 mejorada de 600 V a 650 V, capacidad de fuente Kelvin de 4 pines y las propiedades térmicas mejoradas del paquete TO sin plomo. Esto permite una solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente, como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3 kW. Para el CoolMOS™ G7 de 600 V, los MOSFET se pueden utilizar para circuitos resonantes, como LCC de alta gama.

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.