Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
SSM3J351R,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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TB9061AFNG,EL
Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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S/18.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TKR74F04PB,LXGQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
747 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN7R104NC,L1XHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,825 En existencias
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S/5.88
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S/1.27
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Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9304(TPL,F
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Toshiba
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
871 En existencias
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S/14.87
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
11,022 En existencias
1
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Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1:
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6,794 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
6,794 En existencias
1
S/6.66
10
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Ver
1,000
S/1.86
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S/1.85
10,000
S/1.51
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S/1.50
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
SSM3J378R,LXHF
Toshiba
1:
S/2.57
90,555 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
90,555 En existencias
1
S/2.57
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9,000
S/0.463
24,000
S/0.459
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1:
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1,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,831 En existencias
1
S/14.29
10
S/9.34
100
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S/4.94
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
XPH3R206NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.32
7,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
7,036 En existencias
1
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S/3.18
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5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/11.33
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPW6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
No en existencias
1
S/11.33
10
S/7.32
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S/3.61
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5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
SSM3K341TU,LXHF
Toshiba
1:
S/3.97
8,859 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
8,859 En existencias
1
S/3.97
10
S/2.48
100
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S/0.965
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1,000
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S/0.845
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Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.58
5,950 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK60S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
5,950 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
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S/2.88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.38
17,458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,458 En existencias
1
S/9.38
10
S/6.03
100
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500
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1,000
S/3.01
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S/2.79
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2,000
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Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9309(TPL,F
Toshiba
1:
S/14.48
4,445 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TLX9309TPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
4,445 En existencias
1
S/14.48
10
S/10.67
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S/6.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
19,133 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
19,133 En existencias
1
S/5.61
10
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S/1.51
4,000
Ver
1,000
S/1.65
4,000
S/1.39
10,000
S/1.36
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
4,069 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,069 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.16
2,000
S/2.69
4,000
Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.68
10,000
S/2.65
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.20
16,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
16,702 En existencias
1
S/10.20
10
S/6.58
100
S/4.52
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S/3.60
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Ver
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S/2.81
1,000
S/3.31
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S/3.26
5,000
S/2.81
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles