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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 44,975En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 46,424En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 25,796En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 26,382En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A 56,550En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 45,230En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 3,627En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,831En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4,263En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 19,133En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4,116En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de fotodiodo PV Coupler Automotive; AEC-Q101 1,212En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 17,012En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 14,410En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101 11,310En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 9,069En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101 6,007En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101 17,458En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101 4,449En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7,306En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 2,510En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10 447En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 757En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4,866En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101 2,025En existencias
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