Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.17
14,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,862 En existencias
1
S/14.17
10
S/9.26
100
S/6.46
500
S/5.25
1,000
S/4.83
2,000
Ver
2,000
S/4.36
5,000
S/4.28
25,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
1:
S/19.38
26,192 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26,192 En existencias
1
S/19.38
10
S/12.85
100
S/9.11
500
S/7.94
1,000
S/6.97
2,000
Ver
2,000
S/6.46
25,000
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/7.36
56,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,440 En existencias
1
S/7.36
10
S/3.52
100
S/3.15
500
S/2.48
5,000
S/2.05
10,000
Ver
1,000
S/2.40
2,500
S/2.29
10,000
S/2.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.73
46,180 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,180 En existencias
1
S/6.73
10
S/3.19
100
S/2.84
500
S/2.24
1,000
S/2.04
2,000
S/1.95
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
S/11.17
25,771 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
25,771 En existencias
1
S/11.17
10
S/5.53
100
S/4.98
500
S/4.01
1,000
S/3.86
2,000
S/3.55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
44,764 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44,764 En existencias
1
S/5.61
10
S/2.62
100
S/2.33
500
S/1.82
2,000
S/1.56
4,000
Ver
1,000
S/1.79
4,000
S/1.39
10,000
S/1.36
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/17.28
41,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
41,001 En existencias
1
S/17.28
10
S/11.41
100
S/8.02
500
S/6.81
1,000
S/6.11
2,000
S/5.53
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Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
XPH3R206NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.32
7,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPH3R206NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
7,036 En existencias
1
S/10.32
10
S/5.06
100
S/4.55
500
S/3.65
1,000
Ver
5,000
S/3.18
1,000
S/3.50
2,500
S/3.31
5,000
S/3.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
SSM3K341TU,LXHF
Toshiba
1:
S/3.97
8,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
8,853 En existencias
1
S/3.97
10
S/1.82
100
S/1.61
500
S/1.24
3,000
S/0.965
6,000
Ver
1,000
S/1.14
6,000
S/0.895
9,000
S/0.849
24,000
S/0.837
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.58
5,950 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK60S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
5,950 En existencias
1
S/9.58
10
S/4.67
100
S/4.20
500
S/3.35
1,000
S/3.16
2,000
S/2.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.38
17,458 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,458 En existencias
1
S/9.38
10
S/4.59
100
S/4.13
500
S/3.27
1,000
S/3.11
2,000
S/2.79
Comprar
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Carrete :2,000
Detalles
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9309(TPL,F
Toshiba
1:
S/14.48
4,279 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLX9309TPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
4,279 En existencias
1
S/14.48
10
S/10.67
100
S/8.37
500
S/7.40
3,000
S/6.66
6,000
Ver
1,000
S/7.12
6,000
S/6.38
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
SSM3J378R,LXHF
Toshiba
1:
S/2.57
88,725 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
88,725 En existencias
1
S/2.57
10
S/1.59
100
S/1.02
500
S/0.771
3,000
S/0.588
6,000
Ver
1,000
S/0.693
6,000
S/0.533
9,000
S/0.463
24,000
S/0.452
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.29
1,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,831 En existencias
1
S/14.29
10
S/7.20
100
S/6.50
500
S/5.29
1,000
S/4.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
1:
S/18.84
812 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
812 En existencias
1
S/18.84
10
S/12.46
100
S/8.84
500
S/7.94
1,000
S/6.73
2,000
S/6.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9304(TPL,F
Toshiba
1:
S/14.87
871 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLX9304TPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
871 En existencias
1
S/14.87
10
S/10.90
100
S/8.52
500
S/7.47
3,000
S/6.81
6,000
Ver
1,000
S/7.12
6,000
S/6.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/8.76
11,018 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPH6R30ANBL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
11,018 En existencias
1
S/8.76
10
S/4.24
100
S/3.80
500
S/3.02
1,000
Ver
5,000
S/2.54
1,000
S/2.83
2,500
S/2.65
5,000
S/2.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.66
6,794 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
6,794 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.24
100
S/2.81
500
S/2.21
5,000
S/1.65
10,000
Ver
1,000
S/1.86
2,500
S/1.85
10,000
S/1.51
25,000
S/1.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.36
11,190 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
11,190 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
500
S/2.48
2,000
S/2.09
4,000
Ver
1,000
S/2.27
4,000
S/1.86
24,000
S/1.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/12.26
3,344 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,344 En existencias
1
S/12.26
10
S/7.98
100
S/5.53
500
S/4.44
5,000
S/3.50
10,000
Ver
1,000
S/4.28
2,500
S/4.01
10,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
17,713 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,713 En existencias
1
S/5.61
10
S/2.62
100
S/2.33
500
S/1.82
2,000
S/1.51
4,000
Ver
1,000
S/1.79
4,000
S/1.39
10,000
S/1.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
4,069 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,069 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.16
2,000
S/2.69
4,000
Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.41
10,000
S/2.32
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.20
16,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
16,682 En existencias
1
S/10.20
10
S/4.79
100
S/3.67
500
S/3.21
1,000
Ver
5,000
S/2.81
1,000
S/3.03
2,500
S/3.02
5,000
S/2.81
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.75
1,917 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
1,917 En existencias
1
S/7.75
10
S/3.71
100
S/3.32
500
S/2.63
2,000
S/2.37
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
SSM3K361TU,LXHF
Toshiba
1:
S/4.13
3,623 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
3,623 En existencias
1
S/4.13
10
S/2.57
100
S/1.68
500
S/1.29
3,000
S/1.01
6,000
Ver
1,000
S/1.17
6,000
S/0.926
9,000
S/0.817
24,000
S/0.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú
