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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLWFAFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
1: S/24.37
1,158En existencias
3,000Se espera el 2/03/2026

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NVMFS5C604NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C604NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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S/24.37

S/16.78

S/11.91

S/11.64

S/11.37

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S/9.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLWFAFT1G
onsemi
1: S/12.03
10,332En existencias

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NVMFS5C628NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C628NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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S/12.03

S/9.23

S/6.46

S/5.64

S/4.67

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S/4.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C638NLT1G
onsemi
1: S/12.14
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NVMFS5C638NLT1G

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863-NVMFS5C638NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

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S/12.14

S/7.94

S/5.49

S/4.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFS5C638NLWFT1G
onsemi
1: S/13.16
1,995En existencias

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NVMFS5C638NLWFT1G

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863-NVMFS5C638NLWFT1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

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S/13.16

S/10.00

S/7.36

S/6.77

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S/5.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

NVMFS5C645NLWFAFT1G
onsemi
1: S/14.25
1,145En existencias

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NVMFS5C645NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C645NLWFA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

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S/14.25

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S/6.54

S/5.72

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S/4.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C670NLWFAFT1G
onsemi
1: S/10.78
2,713En existencias

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NVMFS5C670NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C670NLWF1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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S/10.78

S/7.01

S/4.83

S/3.93

S/3.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C670NT1G
onsemi
1: S/9.07
1,962En existencias

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NVMFS5C670NT1G

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863-NVMFS5C670NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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S/9.07

S/6.07

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S/3.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLAFT1G
onsemi
1: S/6.38
2,531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NLAFT1G

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863-NVMFS5C673NL1G

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S/2.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLWFAFT1G
onsemi
1: S/6.66
5,782En existencias

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NVMFS5C673NLWFAFT1G

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863-NVMFS5C673NLWF1G

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S/3.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C682NLAFT1G
onsemi
1: S/4.75
4,720En existencias

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NVMFS5C682NLAFT1G

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863-NVMFS5C682NLFT1G

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S/2.99

S/1.97

S/1.53

S/1.50

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S/1.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C682NLWFAFT1G
onsemi
1: S/7.36
3,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C682NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C682NWFT1G

onsemi

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S/4.79

S/3.23

S/2.56

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S/2.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/22.65
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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S/22.65

S/15.61

S/11.76

S/11.72

S/11.56

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S/9.54

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWD020N06CT1G
onsemi
1: S/11.83
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/11.83

S/7.71

S/5.33

S/4.48

S/3.81

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S/3.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWD024N06CT1G
onsemi
1: S/11.52
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/11.52

S/7.51

S/5.18

S/4.32

S/3.70

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S/3.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWD030N06CT1G
onsemi
1: S/11.05
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWD030N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWD030N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/11.05

S/7.16

S/4.94

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.47

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

NVMTS0D4N04CLTXG
onsemi
1: S/43.36
1,705En existencias
6,000Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D4N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D4N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

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S/43.36

S/30.24

S/25.50

S/24.87

Envase tipo carrete

S/20.79

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

NVMTS0D6N04CTXG
onsemi
1: S/36.28
429En existencias
3,000Se espera el 1/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D6N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D6N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION

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429En existencias

3,000Se espera el 1/01/2027

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S/36.28

S/25.11

S/20.28

S/20.24

S/20.12

Envase tipo carrete

S/16.54

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NVMYS2D2N06CLTWG
onsemi
1: S/11.21
2,810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS2D2N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS2D2N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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S/11.21

S/7.43

S/5.18

S/4.32

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A

NVMYS2D4N04CTWG
onsemi
1: S/7.86
2,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS2D4N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS2D4N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A

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S/7.86

S/5.33

S/3.61

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.34

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

NVMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: S/1.83
11,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS8D0N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

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S/1.83

S/1.78

S/1.66

Envase tipo carrete

S/1.61

S/1.45

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

NVTFS4C05NWFTAG
onsemi
1: S/8.72
2,418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C05NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C05NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

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S/8.72

S/6.27

S/4.40

S/3.55

Envase tipo carrete

S/3.19

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/8.68
3,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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S/8.68

S/5.53

S/3.89

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C478NLTAG
onsemi
1: S/6.07
8,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C478NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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Cinta cortada

S/6.07

S/3.85

S/2.57

S/2.02

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C680NLTAG
onsemi
1: S/5.37
15,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C680NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C680NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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15,280En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.34

S/2.22

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.42

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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