NVMFWD024N06CT1G
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863-NVMFWD024N06CT1G
NVMFWD024N06CT1G
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos:
En existencias: 1,500
-
Existencias:
-
1,500 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/11.52 | S/11.52 | |
| S/7.51 | S/75.10 | |
| S/5.18 | S/518.00 | |
| S/4.32 | S/2,160.00 | |
| S/4.01 | S/4,010.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500) | ||
| S/4.01 | S/6,015.00 | |
Hoja de datos
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
