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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NET1G
onsemi
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NRND

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NVMFS5C404NET1G

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863-NVMFS5C404NET1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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S/15.10

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S/6.89

S/5.64

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLAFT1G
onsemi
1: S/13.62
1,657En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLFT1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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S/13.62

S/9.42

S/8.06

S/7.79

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S/7.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS004N04CTAG
onsemi
1: S/7.63
2,900En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS004N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS004N04CTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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S/7.63

S/4.90

S/3.30

S/2.62

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S/2.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLTAG
onsemi
1: S/8.68
3,708En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLTAG

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863-NVTFS5C453NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL

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S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.36

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S/3.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C466NLTAG
onsemi
1: S/6.62
2,805En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C466NLTAG

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863-NVTFS5C466NLTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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S/6.62

S/4.20

S/3.00

S/2.96

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S/2.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

NTMFS5C612NT1G
onsemi
1: S/9.65
1,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C612NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C612NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

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S/9.65

S/6.19

S/4.36

S/3.48

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S/3.06

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onsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NETWG
onsemi
1: S/2.57
4,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NETWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C13NETWG

Nuevo producto

onsemi

onsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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S/2.57

S/2.00

S/1.40

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.771

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onsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NWFETWG
onsemi
1: S/2.61
4,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NWFETWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C13NWFETWG

Nuevo producto

onsemi

onsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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S/2.61

S/2.03

S/1.41

S/1.08

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S/0.782

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onsemi NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

NVTFS4C306NTAG
onsemi
1: S/3.85
1,746En existencias
Nuevo producto

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NVTFS4C306NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C306NTAG

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onsemi

onsemi NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

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S/2.90

S/1.98

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onsemi NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM

NVTFS4C308NTAG
onsemi
1: S/3.35
1,350En existencias
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NVTFS4C308NTAG

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863-NVTFS4C308NTAG

Nuevo producto

onsemi

onsemi NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM

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S/3.35

S/2.44

S/1.67

S/1.39

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S/1.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 150A

NTMFS5C423NLT3G
onsemi
1: S/6.97
4,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C423NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C423NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 150A

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S/6.97

S/4.59

S/3.10

S/2.46

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S/1.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

NTMFS5C442NT3G
onsemi
1: S/4.71
4,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C442NT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C442NT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

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S/4.71

S/3.26

S/2.19

S/1.71

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S/1.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO

NTMFS5C612NLT1G
onsemi
1: S/8.06
3,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C612NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C612NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO

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S/8.06

S/5.18

S/3.49

S/2.78

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S/2.43

S/2.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NTMFS5C628NLT3G
onsemi
1: S/7.98
2,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C628NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C628NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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S/7.98

S/5.37

S/3.69

S/2.94

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

NTMFS5C645NLT1G
onsemi
1: S/7.08
7,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C645NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C645NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

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S/7.08

S/4.52

S/3.02

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.00

S/1.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH

NTMFS5C646NLT1G
onsemi
1: S/10.67
3,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C646NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C646NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH

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3,411En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/7.47

S/5.53

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.93

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH

NTMFS5C670NLT1G
onsemi
1: S/3.93
60,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C670NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C670NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 68A 6.7MOH

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60,290En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.28

S/1.54

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.969

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NTMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/9.34
2,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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S/9.34

S/6.03

S/4.20

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.76

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMJS1D4N06CLTWG
onsemi
1: S/12.22
1,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D4N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D4N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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S/12.22

S/9.61

S/6.66

S/6.62

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

NTMJS2D5N06CLTWG
onsemi
1: S/9.03
2,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS2D5N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS2D5N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

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2,923En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.96

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.72

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS0D6N04CLTXG
onsemi
1: S/16.23
4,626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D6N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D6N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Cinta cortada

S/16.23

S/10.74

S/7.59

S/6.89

Envase tipo carrete

S/5.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH

NTMTS0D7N06CLTXG
onsemi
1: S/18.68
2,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D7N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D7N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH

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2,050En existencias

Cinta cortada

S/18.68

S/12.38

S/8.84

S/8.29

S/7.82

Envase tipo carrete

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS010N04CLTWG
onsemi
1: S/10.16
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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2,995En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/7.20

S/4.98

S/4.24

Envase tipo carrete

S/2.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel

NTMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: S/11.29
2,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS3D3N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS3D3N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel

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2,902En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/8.37

S/5.84

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMYS4D1N06CLTWG
onsemi
1: S/9.26
2,915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS4D1N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS4D1N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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2,915En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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