Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
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IPP60R280P7XKSA1

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726-IPP60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/9.23

S/5.88

S/4.01

S/3.36

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
3,000En existencias

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N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

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S/4.09

S/2.56

S/1.67

S/1.28

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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Infineon Technologies
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516En existencias

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726-IPU95R750P7AKMA1

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S/9.23

S/5.88

S/4.09

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
217En existencias
240Se espera el 16/02/2026

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IPW60R120P7XKSA1

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726-IPW60R120P7XKSA1

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217En existencias

240Se espera el 16/02/2026

S/10.86

S/10.63

S/9.11

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
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130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

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130En existencias

S/39.16

S/38.26

S/22.27

S/19.77

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.59
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

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174En existencias

S/23.59

S/14.13

S/11.79

S/10.20

Min.: 1
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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
1,494En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.38

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.21

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

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3 V

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+ 150 C

7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
328En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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328En existencias

S/12.73

S/6.85

S/5.02

S/4.52

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
538En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R900P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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538En existencias

S/4.24

S/3.89

S/3.56

S/2.90

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
197En existencias
4,500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R600P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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197En existencias

4,500En pedido

S/4.59

S/2.88

S/1.90

S/1.46

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+ 150 C

43.1 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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231En existencias

S/14.79

S/8.14

S/6.66

S/5.14

S/5.10

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800 V

17 A

280 mOhms

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36 nC

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+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.27
42,720En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

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42,720En pedido

S/13.27

S/7.24

S/5.92

S/4.55

S/4.40

Min.: 1
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18 A

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3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.22
2,947En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

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S/18.22

S/10.67

S/10.16

S/8.41

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.45
5,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,500En pedido

S/18.45

S/9.30

S/8.68

S/7.16

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.01
906Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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906Se espera el 23/07/2026

S/27.01

S/15.57

S/13.04

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.08
1,601Se espera el 14/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,601Se espera el 14/05/2026

S/23.08

S/16.11

S/13.04

S/11.56

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
1,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,000Se espera el 2/03/2026

S/8.84

S/4.79

S/3.93

S/3.16

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
915Se espera el 22/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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915Se espera el 22/05/2026

S/9.11

S/4.94

S/4.01

S/3.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
350Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

350Se espera el 11/06/2026

S/6.42

S/3.05

S/2.72

S/2.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
227Se espera el 3/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

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Hoja de datos

227Se espera el 3/07/2026

S/27.48

S/16.19

S/13.74

S/11.68

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.79
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R2K0P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/4.79

S/2.09

S/1.86

S/1.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.68
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/31.68

S/18.68

S/15.73

S/13.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R360P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/13.16

S/7.20

S/5.88

S/4.48

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPAN80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN80R360P7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/11.09

S/5.53

S/4.98

S/4.01

S/3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R600P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/7.90

S/3.57

S/3.22

S/2.70

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W