Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.10
8,695En existencias

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IPD80R1K2P7ATMA1

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726-IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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8,695En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.02

S/3.29

S/2.58

Envase tipo carrete

S/1.86

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4.5 A

1 Ohms

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37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
22,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

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726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

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22,707En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.32

S/2.88

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

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37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
4,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.08

S/3.67

S/3.05

S/2.42

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
19,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

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S/4.05

S/2.59

S/1.72

S/1.35

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
4,463En existencias

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IPD80R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/8.84

S/5.53

S/3.64

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

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51 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.36
2,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/23.36

S/13.82

S/11.44

S/9.58

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51 nC

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29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/32.54
3,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

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S/32.54

S/21.06

S/16.85

S/15.26

S/12.38

Envase tipo carrete

S/12.34

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
5,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/8.60

S/4.94

S/3.86

S/3.09

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

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S/8.02

S/4.16

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S/2.62

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
4,532En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R365P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/11.21

S/7.20

S/4.90

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.39

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-4

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.42
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

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921En existencias

S/12.42

S/7.75

S/5.57

S/4.63

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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14 A

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2.5 V

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
1,669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,669En existencias

S/7.94

S/4.40

S/3.27

S/2.59

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

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26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.91
1,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,974En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.61

S/3.67

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
2,981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,981En existencias

S/4.52

S/2.41

S/1.94

S/1.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
1,592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,592En existencias

S/10.51

S/6.03

S/4.83

S/3.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,495En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.20

S/2.88

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
2,815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K2P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2,815En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/3.93

S/2.81

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

6.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
5,050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

Hoja de datos

5,050En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.70

S/1.85

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
2,153En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2,153En existencias

S/6.54

S/3.07

S/2.59

S/2.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.45
27,533En existencias
28,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

27,533En existencias

28,800En pedido

S/15.45

S/9.96

S/7.94

S/7.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.72
18,403En existencias
2,500Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

18,403En existencias

2,500Se espera el 12/11/2026

S/24.72

S/13.82

S/11.95

S/10.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.65
6,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

6,798En existencias

S/41.65

S/27.29

S/24.99

S/21.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.52
1,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,325En existencias

Cinta cortada

S/24.52

S/16.19

S/11.83

S/9.89

Envase tipo carrete

S/9.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
2,603En existencias
5,000Se espera el 20/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,603En existencias

5,000Se espera el 20/07/2026

Cinta cortada

S/13.47

S/8.76

S/6.07

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
5,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

5,548En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.02

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W