Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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S/2.22

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Tube

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IPW60R180P7XKSA1
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S/21.06

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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IPA60R120P7XKSA1

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S/16.08

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Infineon Technologies
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3,258En existencias
1,500Se espera el 11/06/2026

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IPA60R280P7SXKSA1

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726-IPA60R280P7SXKSA

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S/7.98

S/3.84

S/3.44

S/2.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Infineon Technologies
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14,325En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
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S/5.96

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S/2.50

S/2.28

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
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997En existencias
2,000Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

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997En existencias

2,000Se espera el 16/07/2026

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S/29.66

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S/13.51

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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61 A

45 mOhms

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1.7 V

90 nC

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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5,572En existencias
5,000Se espera el 29/10/2026

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IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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5,572En existencias

5,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/10.51

S/6.38

S/4.52

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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18 A

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72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
12,367En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12,367En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

18 A

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3 V

25 nC

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72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
4,120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,120En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
12,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

12,871En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.79

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

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3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.81
28,146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

28,146En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

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2.5 V

4.7 nC

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+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.52
4,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

4,060En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/9.19

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
9,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

9,180En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.10

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.64
2,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,683En existencias

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S/3.70

Min.: 1
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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/30.52
3,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

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3,621En existencias

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S/13.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
2,774En existencias

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IPL60R105P7AUMA1

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726-IPL60R105P7AUMA1

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S/19.07

S/12.73

S/9.15

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
4,744En existencias
6,000Se espera el 24/12/2026

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6,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/14.83

S/9.93

S/7.28

S/6.07

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.95
4,295En existencias

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IPL60R185P7AUMA1

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Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.33

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W