Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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224 En existencias
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58 En existencias
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43 En existencias
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334 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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N.º de artículo de Mouser
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26 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
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396 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
642 En existencias
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218 En existencias
500 Se espera el 24/02/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS
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218 En existencias
500 Se espera el 24/02/2026
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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S/10.59
862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
862 En existencias
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/10.82
358 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
358 En existencias
1
S/10.82
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S/5.37
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S/3.89
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S/3.35
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
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3.5 V
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- 55 C
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24 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.27
1,509 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1,509 En existencias
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S/6.27
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S/1.78
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S/1.70
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
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