Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Infineon Technologies
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CoolMOS

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IPW60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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Enhancement

Tube

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IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
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177En existencias

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CoolMOS

Tube

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IPW65R095C7XKSA1
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Tube

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
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741En existencias

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726-IPA60R180P7XKSA1

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CoolMOS

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180En existencias
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IPA60R280P7XKSA1

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S/10.82

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S/3.37

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Tube

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IPA60R360P7XKSA1

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726-IPA60R360P7XKSA1

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CoolMOS

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CoolMOS

Tube

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IPA80R1K4P7XKSA1
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IPA80R1K4P7XKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA80R280P7XKSA1

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726-IPA80R280P7XKSA1

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S/16.54

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
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803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/13.58

S/6.81

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13 A

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30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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873En existencias

S/10.35

S/5.10

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8 A

510 mOhms

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2.5 V

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28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
8En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

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8En existencias

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Cinta cortada

S/9.58

S/6.11

S/4.13

S/3.40

S/3.08

Envase tipo carrete

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: 2,500

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1 Channel

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12 A

214 mOhms

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3 V

18 nC

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+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
1,113En existencias
17,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,113En existencias

17,500En pedido

Cinta cortada

S/6.38

S/3.97

S/2.61

S/2.05

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
218En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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218En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/5.41

S/3.37

S/2.22

S/1.80

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

43.1 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
30En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

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726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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30En existencias

2,500Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.80

S/2.20

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

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2,947En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/2.85

S/1.93

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.30

S/1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
159En existencias
10,000Se espera el 25/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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159En existencias

10,000Se espera el 25/03/2027

Cinta cortada

S/11.21

S/7.24

S/4.98

S/4.01

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 50 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
1,558En existencias
2,500Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,558En existencias

2,500Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/4.75

S/2.76

S/1.83

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 50 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
196En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

196En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/9.61

S/6.19

S/4.20

S/3.35

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/34.84
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5En existencias

Cinta cortada

S/34.84

S/24.17

S/18.80

S/17.44

S/16.00

Envase tipo carrete

S/16.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/25.50
46En existencias
3,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

46En existencias

3,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/25.50

S/16.85

S/12.30

S/11.09

S/10.35

Envase tipo carrete

S/10.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.86
472En existencias
6,000Se espera el 7/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

472En existencias

6,000Se espera el 7/10/2026

Cinta cortada

S/20.86

S/12.73

S/10.28

S/8.95

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.23
3,365En existencias
9,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,365En existencias

9,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/6.23

S/3.86

S/2.55

S/2.00

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W