Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD70R360P7SAUMA1

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726-IPD70R360P7AUMA1

Infineon Technologies

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S/2.10

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MouseReel Disponible

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59.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
2,774En existencias

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726-IPB60R180C7ATMA1

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S/8.52

S/6.31

S/5.18

S/4.75

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S/4.28

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13 A

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68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
4,661En existencias

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S/4.59

S/3.06

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IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
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DPAK-3 (TO-252-3)

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600 V

13 A

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CoolMOS

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IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
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335En existencias

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CoolMOS

Tube

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IPP65R045C7
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S/30.13

S/25.11

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CoolMOS

Tube

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IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R360P7XKSA1

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S/2.62

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CoolMOS

Tube

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Infineon Technologies
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4,980En existencias

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IPAN70R600P7SXKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD70R600P7SAUMA1

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700 V

8.5 A

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10.5 nC

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Enhancement

CoolMOS

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IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
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IPD70R900P7SAUMA1

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726-IPD70R900P7AUMA1

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S/1.15

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
5,912En existencias

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IPD80R900P7ATMA1

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726-IPD80R900P7ATMA1

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S/6.66

S/4.24

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S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.71

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

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45 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.44
917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

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917En existencias

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S/20.44

S/13.62

S/10.08

S/9.46

S/8.41

Envase tipo carrete

S/7.59

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SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

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- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

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154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

IPL65R230C7
Infineon Technologies
1: S/11.76
6,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R230C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

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S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

67 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.50
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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828En existencias

S/19.50

S/18.76

S/10.20

S/9.38

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.73
1,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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S/19.73

S/13.12

S/9.42

S/8.95

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Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.56
3,408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,408En existencias

S/24.56

S/14.40

S/11.72

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
1: S/22.62
901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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S/22.62

S/18.10

S/14.64

S/13.00

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.41
1,354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,354En existencias

Cinta cortada

S/24.41

S/17.36

S/12.73

S/11.48

Envase tipo carrete

S/10.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7
Infineon Technologies
1: S/25.89
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7

Infineon Technologies

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490En existencias

S/25.89

S/21.76

S/17.59

S/15.65

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.99
2,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,005En existencias

Cinta cortada

S/21.99

S/16.58

S/11.99

S/11.95

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Envase tipo carrete

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
8,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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8,737En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.72

S/2.48

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.56

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
1,483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,483En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.57

S/4.83

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.84

Min.: 1
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Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.52
5,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

5,962En existencias

Cinta cortada

S/17.52

S/11.60

S/8.21

S/7.59

S/7.20

Envase tipo carrete

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.42
3,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,364En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/7.36

S/5.68

S/4.83

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
12,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

12,380En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.04

S/2.00

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W