Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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688En existencias

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IPA60R125CFD7XKSA1

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S/10.35

S/9.42

S/7.75

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: S/47.57
178En existencias

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S/47.57

S/34.41

S/28.69

S/25.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.65
375En existencias

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IPA60R099C7XKSA1

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726-IPA60R099C7XKSA1

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S/25.65

S/13.58

S/12.46

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
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IPU80R900P7AKMA1

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S/7.90

S/3.54

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S/2.66

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Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
1,669En existencias

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IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

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S/7.82

S/3.75

S/3.36

S/2.75

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
1,266En existencias

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IPA80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/8.84

S/5.06

S/3.88

S/3.00

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.58
2,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

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Cinta cortada

S/6.58

S/3.85

S/2.66

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.61
434En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7XKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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S/25.61

S/13.66

S/12.69

S/12.65

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7
Infineon Technologies
1: S/27.79
242En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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242En existencias

S/27.79

S/18.57

S/14.95

S/13.27

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: S/35.46
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R065C7

Infineon Technologies

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243En existencias

S/35.46

S/24.95

S/20.20

S/17.94

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.28
5,050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

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5,050En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.57

S/1.76

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
12,383En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

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12,383En existencias

25,000En pedido

S/22.58

S/11.83

S/10.78

S/9.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.77
6,658En existencias
6,240Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

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6,658En existencias

6,240Se espera el 24/08/2026

S/41.77

S/24.72

S/20.98

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.50
23,007En existencias
23,760Se espera el 8/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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23,007En existencias

23,760Se espera el 8/04/2027

S/16.50

S/10.63

S/7.98

S/6.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.25
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,990En existencias

S/21.25

S/11.09

S/10.12

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.11
1,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,029En existencias

Cinta cortada

S/35.11

S/23.94

S/17.63

S/17.52

Envase tipo carrete

S/16.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.73
1,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,291En existencias

Cinta cortada

S/25.73

S/17.28

S/12.49

S/11.60

Envase tipo carrete

S/10.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.53
1,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,682En existencias

Cinta cortada

S/15.53

S/10.16

S/7.40

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.53

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.78
5,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.79

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.54

S/3.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: S/12.49
1,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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1,629En existencias

Cinta cortada

S/12.49

S/8.29

S/5.76

S/4.75

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
4,902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

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4,902En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.52

S/5.92

S/4.79

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.92
334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

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334En existencias

S/47.92

S/26.98

S/24.95

S/24.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.12
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

642En existencias

S/26.12

S/15.22

S/12.61

S/11.17

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.55
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

428En existencias

S/36.55

S/24.91

S/20.55

S/17.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W