Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

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Resultados: 104

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.06
4,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S2H4ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S2H4ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

4,742En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.89

S/6.97

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.21
2,940En existencias
1,800Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S4L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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Hoja de datos

2,940En existencias

1,800Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/8.21

S/5.68

S/3.88

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

6.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: S/19.89
1,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

1,263En existencias

Cinta cortada

S/19.89

S/14.95

S/10.74

Envase tipo carrete

S/9.50

S/8.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A DPAK-2

IPD5N25S3-430
Infineon Technologies
1: S/7.71
2,712En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD5N25S3-430

N.º de artículo de Mouser
726-IPD5N25S3-430

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A DPAK-2

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Hoja de datos

2,712En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.94

S/3.32

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

5 A

430 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.08
6,208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

6,208En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.62

S/4.55

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/14.60
725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

725En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.50

S/7.43

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.33

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
7,552En existencias
2,200Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

7,552En existencias

2,200Se espera el 26/02/2026

Cinta cortada

S/4.59

S/1.78

S/1.46

S/1.35

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.67
4,338En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC600N25NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,338En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/14.67

S/10.12

S/7.40

S/6.77

Ver

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

25 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.34
9,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

9,177En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.96

S/4.05

S/3.39

Ver

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/22.81
4,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,595En existencias

Cinta cortada

S/22.81

S/17.24

S/13.94

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.59

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1: S/29.23
3,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,629En existencias

Cinta cortada

S/29.23

S/21.84

S/17.67

S/15.80

Envase tipo carrete

S/13.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
Plazo de entrega 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 15 Semanas

Cinta cortada

S/3.43

S/2.67

S/2.27

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.97
2,219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

2,219En existencias

S/19.97

S/13.27

S/10.94

S/9.26

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC028N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.92
13,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC028N04NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC028N04NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

13,081En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.74

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

IRFS4321TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/15.61
3,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4321TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4321TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

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Hoja de datos

3,532En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.39

S/7.47

S/7.40

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

12 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

350 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
1: S/10.55
3,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4410ZTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4410ZTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

3,038En existencias

Cinta cortada

S/10.55

S/6.97

S/4.90

Envase tipo carrete

S/3.35

S/3.27

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
4,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

4,896En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/5.57

S/4.67

S/4.63

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9-1

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: S/11.33
2,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2,381En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/8.02

S/5.57

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138N H6327
Infineon Technologies
1: S/1.32
179,769En existencias
251,950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS138N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Comentarios de Producto

179,769En existencias

251,950En pedido

Cinta cortada

S/1.32

S/0.915

S/0.58

S/0.358

Envase tipo carrete

S/0.179

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

BSS205NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.67
8,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS205NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS205NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

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Hoja de datos

8,170En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/1.23

S/0.697

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.315

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

40 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.48
10,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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10,363En existencias

Cinta cortada

S/1.48

S/1.10

S/0.627

S/0.42

Envase tipo carrete

S/0.28

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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741En existencias

S/7.24

S/3.88

S/3.08

S/2.52

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/17.87
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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212En existencias

Cinta cortada

S/17.87

S/11.95

S/9.19

S/8.17

Envase tipo carrete

S/6.93

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1: S/7.90
522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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522En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.50

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.47

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
1: S/11.21
732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4-H2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4-H2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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732En existencias

Cinta cortada

S/11.21

S/7.24

S/5.18

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W