Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC028N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
6,429En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC028N04NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC028N04NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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6,429En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.30

S/2.18

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

IRFS4321TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/20.24
6,854En existencias
13,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4321TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4321TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

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6,854En existencias

13,600En pedido

Cinta cortada

S/20.24

S/12.42

S/9.30

S/7.55

Envase tipo carrete

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

12 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

350 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
1: S/12.88
5,301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4410ZTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4410ZTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

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5,301En existencias

Cinta cortada

S/12.88

S/8.45

S/6.27

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg

IRFS4615TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/11.91
3,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4615TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4615TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg

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3,970En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.28

S/5.18

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

34.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: S/13.20
1,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,745En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/5.96

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.44

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.33
543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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543En existencias

S/8.33

S/4.75

S/3.56

S/2.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/22.50
540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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540En existencias

Cinta cortada

S/22.50

S/14.71

S/10.86

S/9.65

Envase tipo carrete

S/8.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
1: S/12.03
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4-H2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4-H2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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702En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.79

S/5.33

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.83

S/3.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4-H1
Infineon Technologies
1: S/13.94
309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4-H1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4-H1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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309En existencias

Cinta cortada

S/13.94

S/9.07

S/6.38

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4LH1ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4LH1AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

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662En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.91

S/6.19

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3-100
Infineon Technologies
1: S/13.08
634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3-100

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3-100

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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634En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.49

S/5.88

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
1,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3100ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,181En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.80

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
1: S/10.39
398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-03

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

398En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/5.10

S/4.59

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.37

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies
1: S/13.74
744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S209ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S209ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

744En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.23

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.43
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L06ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L06ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

662En existencias

Cinta cortada

S/16.43

S/10.94

S/8.17

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L11ATMA2
Infineon Technologies
1: S/12.57
698En existencias
2,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

698En existencias

2,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.64

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.20

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

10.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S405ATMA2
Infineon Technologies
1: S/11.83
44En existencias
1,000Se espera el 6/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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44En existencias

1,000Se espera el 6/05/2027

Cinta cortada

S/11.83

S/7.67

S/5.18

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.81

S/3.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
1: S/10.32
216En existencias
1,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S407ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S407ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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216En existencias

1,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.34

S/3.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: S/23.94
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

565En existencias

Cinta cortada

S/23.94

S/16.00

S/11.52

S/10.55

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.12
362En existencias
1,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N25N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

362En existencias

1,000Se espera el 27/08/2026

S/26.12

S/13.90

S/12.69

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.01
3,344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Cinta cortada

S/14.01

S/9.11

S/6.42

S/5.22

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Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.36
900En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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900En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/7.36

S/4.67

S/3.13

S/2.28

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Envase tipo carrete

S/1.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/4.48
1,025En existencias
5,000En pedido

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BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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1,025En existencias

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S/4.48

S/2.76

S/1.81

S/1.41

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Envase tipo carrete

S/0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/1.79
10,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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S/1.79

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.19

S/0.245

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.67
1,395En existencias
5,000Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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1,395En existencias

5,000Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/4.67

S/2.88

S/1.89

S/1.48

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Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
28 nC
29 nC
30 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W