Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/5.53
58,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

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942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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58,727En existencias

S/5.53

S/1.98

S/1.81

S/1.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/24.52
1,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/24.52

S/18.80

S/15.22

S/13.51

Envase tipo carrete

S/11.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
1: S/14.64
1,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N06S403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N06S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

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1,978En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.38

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
1: S/15.34
1,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/15.34

S/10.04

S/7.40

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.80

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.35
5,056En existencias

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IPB027N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/19.35

S/14.17

S/11.48

S/10.20

Envase tipo carrete

S/8.99

S/8.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
1: S/18.84
1,746En existencias

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IPB016N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G

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Cinta cortada

S/18.84

S/12.46

S/9.77

S/8.68

Envase tipo carrete

S/7.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/7.86
4,036En existencias

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IPB090N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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4,036En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.30

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.13

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.71
9,396En existencias

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IPB180N04S4-01

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726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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S/14.71

S/9.61

S/6.97

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/15.84
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/15.84

S/10.39

S/7.82

S/6.93

Envase tipo carrete

S/5.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

IRFS7434TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/13.90
5,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7434TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

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Cinta cortada

S/13.90

S/9.03

S/6.42

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

210 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
8,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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8,599En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/2.47

S/1.76

S/1.46

Ver

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSC0906NS
Infineon Technologies
1: S/3.46
9,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0906NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0906NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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9,909En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.00

S/1.35

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

63 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.84
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4LH0ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4LH0AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

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65En existencias

Cinta cortada

S/15.84

S/10.39

S/7.82

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

310 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/7.59
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

581En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.36

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.37

S/2.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.99
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

708En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.81

S/6.85

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S209ATMA2
Infineon Technologies
1: S/12.42
744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S209ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S209ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

744En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/8.10

S/5.68

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.61
971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

971En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.14

S/5.76

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3-100
Infineon Technologies
1: S/12.22
1,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3-100

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3-100

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,095En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/7.94

S/5.84

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.24

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
16,176En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH46NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Hoja de datos

16,176En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.18

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
5,381En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH64NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,381En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/7.59

S/5.72

S/4.59

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.61
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

862En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/6.31

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.59

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.58 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB160N04S4LH1ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
694En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4LH1ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4LH1AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

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Hoja de datos

694En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.33

S/5.80

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.20

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: S/38.38
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

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Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

S/38.38

S/29.12

S/24.25

S/21.60

Envase tipo carrete

S/20.20

S/20.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/8.76
1,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,515En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.25

S/3.72

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.82
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

879En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/6.93

S/4.71

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.43

S/3.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W