Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1: S/21.02
991En existencias

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IPB180N04S4-00

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/21.02

S/13.78

S/10.28

S/8.60

Envase tipo carrete

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S/7.47

MouseReel Disponible

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1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

286 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/17.28
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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976En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.33

S/8.45

S/7.08

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

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250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: S/41.18
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

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726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

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3,837En existencias

Cinta cortada

S/41.18

S/29.12

S/24.25

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/12.38
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Cinta cortada

S/12.38

S/8.02

S/5.49

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.09

Ver

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
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722En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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722En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/10.28

S/7.47

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.76

S/5.45

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

100 V

70 A

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- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

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+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.90
879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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879En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
5,321En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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S/13.39

S/8.72

S/6.07

S/4.94

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Envase tipo carrete

S/4.48

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

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16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.30
4,478En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7ZCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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S/12.30

S/8.10

S/5.68

S/4.75

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Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.99
4,426En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH54NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH54NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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4,426En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.82

S/5.61

S/4.59

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Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
4,469En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH68NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/5.10

S/4.09

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Envase tipo carrete

S/3.63

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
5,153En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/10.67

S/6.89

S/4.71

S/3.77

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Envase tipo carrete

S/3.29

Min.: 1
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: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
4,472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.40

S/3.52

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Envase tipo carrete

S/3.03

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.97
30,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC600N25NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

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30,030En existencias

Cinta cortada

S/16.97

S/11.17

S/7.86

S/6.66

S/6.38

Envase tipo carrete

S/6.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

25 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T

IPD35N10S3L26ATMA2
Infineon Technologies
1: S/9.23
2,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L26ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,553En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.01

S/3.20

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/28.34
1,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,968En existencias

Cinta cortada

S/28.34

S/18.96

S/15.26

S/13.55

Envase tipo carrete

S/12.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/28.22
1,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,235En existencias

Cinta cortada

S/28.22

S/18.88

S/15.18

S/13.51

Envase tipo carrete

S/11.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.30
4,942En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

4,942En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/10.00

S/7.01

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.26
1,209En existencias
2,000Se espera el 1/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P4L03A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,209En existencias

2,000Se espera el 1/07/2026

Cinta cortada

S/15.26

S/10.00

S/7.01

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
1,327En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB17N25S3100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3100ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,327En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.80

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.97
4,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

4,078En existencias

Cinta cortada

S/16.97

S/11.17

S/7.86

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.62

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: S/17.20
1,821En existencias
2,000Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,821En existencias

2,000Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

S/17.20

S/10.82

S/7.98

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.26
3,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3,425En existencias

Cinta cortada

S/15.26

S/9.96

S/7.28

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.33

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

34 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
1: S/16.11
2,142En existencias
2,000Se espera el 1/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S2H4ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S2H4ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2,142En existencias

2,000Se espera el 1/07/2026

Cinta cortada

S/16.11

S/10.59

S/7.43

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.15

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: S/9.69
3,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S4L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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Hoja de datos

3,116En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.24

S/3.38

Envase tipo carrete

S/3.11

S/2.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

6.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: S/23.94
583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

583En existencias

Cinta cortada

S/23.94

S/16.00

S/11.52

S/10.55

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W