Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

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Resultados: 26

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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NVMFD5C466NLT1G

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NRND

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S/10.59

S/6.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLWFT1G
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Cinta cortada

S/19.73

S/15.06

S/10.82

S/10.63

Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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S/12.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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S/6.73

S/4.28

S/2.87

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
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NVMFD5C446NLT1G

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S/17.67

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Cinta cortada

S/11.60

S/8.56

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
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3,136En existencias

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S/11.95

S/7.79

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MouseReel Disponible

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2 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLWFT1G
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NVMFD5C466NLWFT1G

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NRND

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S/11.76

S/8.10

S/5.88

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.28

Ver

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40 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLWFT1G
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190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NLWFT1G

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863-NVMFD5C462NLWFT

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Cinta cortada

S/14.17

S/9.30

S/6.58

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.75

Ver

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SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

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1.2 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLT1G
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NVMFD5C478NLT1G

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Cinta cortada

S/9.54

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.74

MouseReel Disponible

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SO-8FL-Dual-8

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40 V

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NT1G
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99En existencias

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NVMFD5C478NT1G

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863-NVMFD5C478NT1G

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S/9.61

S/6.23

S/4.24

S/3.39

Envase tipo carrete

S/2.99

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

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23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLET1G
onsemi
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125En existencias
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NVMFD5C650NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C650NLET1G

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onsemi

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Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.87

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.45

Ver

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

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2 Channel

60 V

111 A

4.2 mOhms

20 V

2.2 V

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+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
onsemi
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535En existencias
1,500Se espera el 20/03/2026

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NVMFD5C668NLT1G

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863-NVMFD5C668NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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1,500Se espera el 20/03/2026

Cinta cortada

S/13.08

S/9.77

S/7.51

S/7.01

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

68 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.3 nC

- 55 C

+ 175 C

57.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLT1G
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1,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C672NLT1G

onsemi

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1,182En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.79

S/5.41

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLT1G
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1: S/10.67
13En existencias
1,500Se espera el 10/04/2026

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NVMFD5C674NLT1G

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863-NVMFD5C674NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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13En existencias

1,500Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/10.67

S/6.93

S/4.75

S/3.86

Envase tipo carrete

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

42 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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NVMFD5C680NLWFT1G
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1: S/9.34
962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C680NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C680NLWFT

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Cinta cortada

S/9.34

S/6.03

S/4.13

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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NVMFD5C470NLT1G
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1: S/9.46
48En existencias
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NVMFD5C470NLT1G

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NRND

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

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NVMFD5C650NLT1G
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1: S/20.94
494En existencias
10,500Se espera el 23/02/2026
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C650NLT1G

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863-NVMFD5C650NLT1G

NRND

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494En existencias

10,500Se espera el 23/02/2026

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S/20.94

S/14.25

S/10.43

S/10.20

S/9.69

Envase tipo carrete

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

111 A

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

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NVMFD5C680NLT1G
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1: S/6.07
179En existencias
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NVMFD5C680NLT1G

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S/4.52

S/3.50

S/3.30

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

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