Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

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Resultados: 26

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C462NT1G
onsemi
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7,378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NT1G

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863-NVMFD5C462NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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7,378En existencias

Cinta cortada

S/13.90

S/9.07

S/6.31

S/5.14

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

70 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

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16 nC

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+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLT1G
onsemi
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2,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C674NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C674NLT1G

onsemi

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2,859En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.40

S/5.10

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.73

Ver

MouseReel Disponible

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLWFT1G
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NVMFD5C446NLWFT1G

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863-NVMFD5C446NLWFT

onsemi

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S/23.39

S/15.06

S/11.60

S/10.90

S/10.00

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

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125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLWFT1G

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onsemi

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S/12.73

S/7.71

S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

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1.2 V

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45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLWFT1G
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3,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C674NLWFT1G

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863-NVMFD5C674NLWFT

onsemi

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S/11.52

S/7.47

S/5.14

S/4.16

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

60 V

42 A

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2 V

10 nC

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37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
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1,855En existencias

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NVMFD5C668NLT1G

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863-NVMFD5C668NLT1G

onsemi

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S/17.63

S/10.86

S/8.21

S/7.01

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.58

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

68 A

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- 20 V, 20 V

2 V

21.3 nC

- 55 C

+ 175 C

57.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLET1G
onsemi
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7,406En existencias
Nuevo producto

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NVMFD5C650NLET1G

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863-NVMFD5C650NLET1G

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S/11.91

S/7.71

S/5.29

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

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DFN-8

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2 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLT1G
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NRND

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S/11.37

S/7.36

S/5.06

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.70

Ver

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

40 V

52 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLWFET1G
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1: S/6.73
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NVMFD5C466NLWFET1G

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863-MFD5C466NLWFET1G

Nuevo producto

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S/6.73

S/4.28

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.87

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DFN-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

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16 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C470NLWFET1G
onsemi
1: S/6.11
2,947En existencias
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NVMFD5C470NLWFET1G

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Cinta cortada

S/6.11

S/3.85

S/2.56

S/2.00

Envase tipo carrete

S/2.00

Min.: 1
Mult.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

11.5 mOhms

20 V

2.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLET1G
onsemi
1: S/6.34
1,376En existencias
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NVMFD5C466NLET1G

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863-NVMFD5C466NLET1G

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Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.69

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

7.4 mOhms

20 V

2.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C470NLET1G
onsemi
1: S/5.76
1,500En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NLET1G

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863-NVMFD5C470NLET1G

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Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.41

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

11.5 mOhms

20 V

2.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLET1G
onsemi
1: S/5.99
1,686En existencias
1,500Se espera el 8/12/2026
Nuevo producto

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NVMFD5C680NLET1G

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1,500Se espera el 8/12/2026

Cinta cortada

S/5.99

S/3.79

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.52

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330

: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

28 mOhms

20 V

2.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
onsemi
1: S/21.80
1,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Cinta cortada

S/21.80

S/14.52

S/10.35

S/9.26

S/8.68

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

145 A

2.2 mOhms, 2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLWFT1G
onsemi
1: S/14.05
1,453En existencias
1,500Se espera el 17/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NLWFT

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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1,453En existencias

1,500Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

S/14.05

S/9.19

S/6.38

S/5.22

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C446NT1G
onsemi
1: S/21.41
28En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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28En existencias

Cinta cortada

S/21.41

S/14.25

S/10.16

S/9.07

Envase tipo carrete

S/8.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

127 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLT1G
onsemi
1: S/14.52
117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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117En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/9.50

S/6.89

S/5.76

S/5.37

Envase tipo carrete

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLWFT1G
onsemi
1: S/15.49
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Hoja de datos

23En existencias

Cinta cortada

S/15.49

S/10.12

S/7.24

S/6.42

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLT1G
onsemi
1: S/10.20
359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

359En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.48

S/3.58

S/3.08

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

29 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NT1G
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1: S/10.63
1,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C478NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

1,335En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.67

S/3.97

S/3.49

Envase tipo carrete

S/3.49

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Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

27 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLWFT1G
onsemi
1: S/26.27
56En existencias
3,000Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C650NLWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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S/14.60

S/11.41

S/9.96

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S/9.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

111 A

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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NVMFD5C680NLWFT1G
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S/3.51

S/3.01

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S/3.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

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S/4.52

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S/3.21

Ver

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Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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S/16.08

S/11.72

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S/9.61

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Mult.: 1
Máx.: 4,500

: 1,500

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N-Channel

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60 V

111 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

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