Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

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Resultados: 26

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLWFT1G
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S/11.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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Ver

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S/2.27

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S/5.76

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NVMFD5C680NLET1G
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1,500Se espera el 27/05/2026
Nuevo producto

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S/6.70

S/4.16

S/2.76

S/2.16

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLT1G
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NVMFD5C650NLT1G

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S/24.33

S/16.08

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S/10.74

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Envase tipo carrete

S/9.50

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AEC-Q101

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NVMFD5C462NLT1G
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NVMFD5C462NLT1G

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S/14.05

S/9.19

S/6.38

S/5.22

S/4.79

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S/4.79

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLWFT1G
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NVMFD5C650NLWFT1G

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863-NVMFD5C650NLWFT

onsemi

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Cinta cortada

S/26.27

S/17.20

S/12.69

S/11.29

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.96

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SO-8FL-Dual-8

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2 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLT1G
onsemi
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3,036En existencias

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NVMFD5C672NLT1G

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863-NVMFD5C672NLT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.24

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SO-8FL-Dual-8

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- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
1: S/12.81
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLWFT1G

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863-NVMFD5C672NLWFT

onsemi

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Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

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SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

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49 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLWFT1G
onsemi
1: S/10.12
5,461En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C680NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C680NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.66

S/3.01

Envase tipo carrete

S/3.01

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

60 V

26 A

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1.2 V

5 nC

- 55 C

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19 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
onsemi
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83En existencias
1,500Se espera el 29/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C446NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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83En existencias

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Cinta cortada

S/22.38

S/14.75

S/12.11

S/9.96

S/8.68

Envase tipo carrete

S/8.68

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

145 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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NVMFD5C446NT1G

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863-NVMFD5C446NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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56En existencias

Cinta cortada

S/20.86

S/13.00

S/10.16

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S/8.45

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S/8.45

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SO-8FL-Dual-8

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLWFT1G
onsemi
1: S/15.49
23En existencias

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NVMFD5C462NLWFT1G

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863-NVMFD5C462NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Cinta cortada

S/15.49

S/10.12

S/7.24

S/6.73

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLT1G
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1: S/10.20
859En existencias

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NVMFD5C478NLT1G

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.48

S/3.58

S/3.08

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

29 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NT1G
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1: S/10.63
1,251En existencias

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863-NVMFD5C478NT1G

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Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.67

S/3.97

S/3.49

Envase tipo carrete

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

27 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLWFT1G
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1: S/14.29
281En existencias
3,000Se espera el 13/07/2026
NRND

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NVMFD5C466NLWFT1G

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863-NVMFD5C466NLWFT

NRND

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Cinta cortada

S/14.29

S/9.30

S/6.54

S/5.41

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C470NLT1G
onsemi
1: S/10.35
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NLT1G

NRND

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S/10.35

S/6.66

S/4.44

S/3.61

S/3.05

Envase tipo carrete

S/3.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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