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NVMFD5C470NLET1G

Name: onsemi NVMFD5C470NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C470NLET1G
Price: 5.37 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFD5C470NLET1G

Fabricante N.º:

NVMFD5C470NLET1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	S/5.37	S/5.37
	S/3.37	S/33.70
	S/2.23	S/223.00
	S/1.76	S/880.00
	S/1.52	S/1,520.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.40	S/2,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	46 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	36 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	55 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.3 ns

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NVMFD5C470NLET1G Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.