Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N005GAUMA1
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IAUMN04S7N006GAUMA1
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IAUMN04S7N011GAUMA1
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Reel, Cut Tape

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OptiMOS

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IAUCN10S7L040ATMA1
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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUZN10S7N078ATMA1
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OptiMOS

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IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
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S/9.54

S/6.07

S/4.13

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
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5,947En existencias
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IAUCN08S7N016TATMA1

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726-IAUCN08S7N016TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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S/18.02

S/11.95

S/8.49

S/7.90

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.49
5,955En existencias
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IAUCN08S7N019TATMA1

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726-IAUCN08S7N019TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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S/15.49

S/10.20

S/7.16

S/6.42

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20 V

3.2 V

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180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
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5,927En existencias
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IAUCN08S7N024TATMA1

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726-IAUCN08S7N024TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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S/13.55

S/8.84

S/6.89

S/5.76

S/4.94

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S/4.71

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20 V

3.2 V

54 nC

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+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
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IAUCN08S7N045TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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S/10.51

S/6.77

S/4.75

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.28

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SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

103 A

4.54 mOhms

20 V

3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
792En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/6.27

S/3.93

S/2.63

S/2.07

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S/1.52

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

1.9 mOhms

16 V

1.8 V

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+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
780En existencias
5,000Se espera el 16/02/2026
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IAUZN04S7L030ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L030ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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780En existencias

5,000Se espera el 16/02/2026

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S/5.06

S/3.18

S/2.09

S/1.66

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S/1.19

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SMD/SMT

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100 A

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16 V

1.8 V

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+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
784En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/5.06

S/3.18

S/2.09

S/1.66

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S/1.19

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

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1 Channel

40 V

97 A

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20 V

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+ 175 C

58 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.98
2,920En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN08S7L177ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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2,920En existencias

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S/4.98

S/3.15

S/2.07

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.19

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

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80 V

35 A

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16 V

2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
3,955En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN10S7L289ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7L289ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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3,955En existencias

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S/4.94

S/3.14

S/2.07

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.22

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SMD/SMT

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1 Channel

100 V

27 A

28.9 mOhms

16 V

2 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L023HATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
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5,000Se espera el 12/03/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L023HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L023HAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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700En existencias

5,000Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/8.84

S/5.96

S/4.71

S/4.59

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Envase tipo carrete

S/2.58

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L025AHATMA1
Infineon Technologies
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5,000Se espera el 19/03/2026
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IAUCN04S7L025AHATMA1

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726-IAUCN04S7L025AHA

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N-Channel

2 Channel

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127 A

2.56 mOhms

16 V

1.8 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

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N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.78 mOhms

16 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN04S7N024HATMA1
Infineon Technologies
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PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

129 A

2.46 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
768En existencias
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IAUCN04S7N040HATMA1

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726-IAUCN04S7N040HAT

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

82 A

4.01 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

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Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
82 A
84 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A
139 A
144 A
154 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
42 nC
44.3 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
58 W
65 W
75 W
83 W
88 W
94 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W
149 W
157 W
164 W
169 W