Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,238En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.20

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: 5,000

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PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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130 A

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2 V

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+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
130En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N011GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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130En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.72

S/6.03

S/5.02

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.40

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: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

IAUCN10S7N025TATMA1
Infineon Technologies
2,000: S/7.94
2,000En existencias
Nuevo producto

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IAUCN10S7N025TATMA1

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726-CN10S7N025TATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

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2,000En existencias

Envase tipo carrete

S/7.94

S/7.01

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: 2,000

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N-Channel

1 Channel

100 V

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- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L023HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
2,606En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
Nuevo producto

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IAUCN04S7L023HATMA1

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726-IAUCN04S7L023HAT

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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2,606En existencias

5,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/6.07

S/4.05

S/3.37

S/3.25

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.10

MouseReel Disponible

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1.8 V

29 nC

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+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L025AHATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
5,880En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L025AHATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L025AHA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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5,880En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.54

S/2.94

S/2.83

S/2.73

Envase tipo carrete

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2.56 mOhms

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1.8 V

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75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

IAUCN10S7L290TATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.71
3,968En existencias
Nuevo producto

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IAUCN10S7L290TATMA1

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726-IAUCN10S7L290TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)

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Cinta cortada

S/7.71

S/3.69

S/3.30

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.20

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27 A

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2 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.79
775En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L037HATMA1

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726-IAUCN04S7L037HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Cinta cortada

S/4.79

S/3.58

S/2.50

S/2.41

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.35

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40 V

84 A

3.78 mOhms

16 V

1.8 V

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50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
1,976En existencias
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IAUCN04S7L042GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L042GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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Cinta cortada

S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

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SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

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77 A

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1.8 V

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50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
1,984En existencias
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IAUCN04S7N015GATMA1

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726-IAUCN04S7N015GAT

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Cinta cortada

S/8.14

S/5.10

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

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N-Channel

1 Channel

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184 A

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20 V

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41 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N019GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
1,984En existencias
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IAUCN04S7N019GATMA1

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726-IAUCN04S7N019GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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S/6.73

S/3.20

S/2.86

S/2.25

Ver

Envase tipo carrete

S/1.77

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: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

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40 V

147 A

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20 V

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+ 175 C

81 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N027GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
1,984En existencias
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IAUCN04S7N027GATMA1

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726-IAUCN04S7N027GAT

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Cinta cortada

S/7.82

S/4.83

S/3.17

S/2.49

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

Min.: 1
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: 5,000

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THSOG-4

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117 A

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20 V

3 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
1,992En existencias
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IAUCN04S7N037GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N037GAT

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Cinta cortada

S/6.93

S/4.28

S/2.81

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

91 A

3.65 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N047GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
1,912En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N047GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N047GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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Cinta cortada

S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

79 A

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20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.28
9,035En existencias
10,000En pedido
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IAUCN08S7L013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L013ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/20.28

S/13.27

S/9.93

S/8.29

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

293 A

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20 V

2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N009GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
2,006En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N009GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N009GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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Cinta cortada

S/14.91

S/9.73

S/7.08

S/5.96

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7L050HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
5,289En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L050HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,289En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.20

S/2.53

S/2.16

Envase tipo carrete

S/2.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

65 A

5.04 mOhms

20 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
9,452En existencias
4,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N006TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N006TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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9,452En existencias

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Cinta cortada

S/15.18

S/7.67

S/6.97

S/5.72

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

40 V

425 A

770 uOhms

20 V

3 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L018ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
4,201En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L018ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L018ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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4,201En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/7.59

S/6.89

S/5.64

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

210 A

1.8 mOhms

20 V

2 V

79.9 nC

- 55 C

+ 175 C

169 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L024ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
4,652En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L024ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L024ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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4,652En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

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Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

177 A

2.4 mOhms

16 V

2 V

65.2 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
2,581En existencias
Nuevo producto

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IAUCN08S7L033ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L033ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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2,581En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.52

S/3.59

Ver

Envase tipo carrete

S/3.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN08S7N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.34
6,040En existencias
10,000Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N019ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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S/10.04

S/7.24

S/6.07

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

169 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.31
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N019TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N019TAT

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S/16.31

S/10.70

S/7.51

S/6.27

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S/5.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-2

N-Channel

1 Channel

80 V

223 A

1.94 mOhms

20 V

3.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN08S7N024ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
8,902En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N024ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024ATM

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S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

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S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

51.5 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

IAUCN08S7N024TATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
4,842En existencias
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IAUCN08S7N024TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N024TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

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S/14.60

S/9.54

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-1

N-Channel

1 Channel

80 V

186 A

2.44 mOhms

20 V

3.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN08S7N034ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
5,473En existencias
5,000Se espera el 8/02/2027
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IAUCN08S7N034ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N034ATM

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5,000Se espera el 8/02/2027

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S/10.20

S/6.58

S/4.52

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.10

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

35.2 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
41 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
88 W
94 W
96 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W