Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

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Resultados: 48

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPB60R360P7ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/8.60

S/5.10

S/3.68

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.66

S/2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.30
797En existencias

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726-IPB65R099CFD7AAT

Infineon Technologies

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797En existencias

Cinta cortada

S/25.30

S/16.85

S/12.22

S/11.48

Envase tipo carrete

S/10.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

127 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
2,682En existencias

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726-IPB60R180C7ATMA1

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Cinta cortada

S/10.12

S/6.81

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.21
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IPW65R075CFD7AXKSA1

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726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

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1,320En existencias

S/30.21

S/19.46

S/16.39

S/15.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

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- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

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IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.57
1,126En existencias

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IPW65R050CFD7AXKSA1

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S/41.57

S/24.56

S/20.82

S/20.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

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IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
831En existencias

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IPB60R070CFD7ATMA1

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831En existencias

Cinta cortada

S/25.96

S/15.92

S/12.69

S/12.26

Envase tipo carrete

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPP65R115CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
335En existencias

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IPP65R115CFD7AAKSA1

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726-IPP65R115CFD7AAK

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335En existencias

S/21.84

S/13.20

S/10.74

S/8.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.56
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R035CFD7AXK

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180En existencias

S/50.56

S/30.44

S/26.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

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IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
571En existencias

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IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

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571En existencias

Cinta cortada

S/22.97

S/15.34

S/10.98

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPBE65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.26
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R190CFD7A1

Infineon Technologies

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860En existencias

Cinta cortada

S/18.26

S/11.64

S/8.72

S/7.36

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
3,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

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3,361En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.10

S/5.99

S/5.14

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

153 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

28 nC

- 40 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.75
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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151En existencias

S/40.75

S/24.72

S/22.07

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R075CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R075CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

815En existencias

Cinta cortada

S/29.86

S/20.20

S/14.71

S/14.09

Envase tipo carrete

S/13.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

139 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.15
812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R190CFD7AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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812En existencias

Cinta cortada

S/16.15

S/10.51

S/7.67

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

14 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC65R017CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/68.16
1,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R017CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R017CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

1,074En existencias

Cinta cortada

S/68.16

S/50.60

S/47.06

S/43.95

Envase tipo carrete

S/43.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

136 A

31 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

236 nC

- 40 C

+ 150 C

694 W

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/9.96
1,155En existencias
2,500Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,155En existencias

2,500Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

S/9.96

S/5.96

S/4.20

S/3.49

S/3.21

Envase tipo carrete

S/2.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
6,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

6,898En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.48

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.27

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.83
638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

638En existencias

Cinta cortada

S/33.83

S/24.17

S/17.83

S/17.71

Envase tipo carrete

S/16.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/68.16
1,131En existencias
750Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R017CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R017CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

1,131En existencias

750Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/68.16

S/50.60

S/47.06

S/43.95

Envase tipo carrete

S/43.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

15 V

58 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.84
728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R029CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R029CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

728En existencias

Cinta cortada

S/44.84

S/32.70

S/29.74

S/26.35

Envase tipo carrete

S/26.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

85 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

139 nC

- 40 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.62
955En existencias
1,500Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R040CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R040CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

955En existencias

1,500Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/35.62

S/25.69

S/21.99

Envase tipo carrete

S/21.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

64 A

76 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

97 nC

- 40 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R060CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.53
488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R060CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R060CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

488En existencias

Cinta cortada

S/25.53

S/18.18

S/15.96

S/15.06

Envase tipo carrete

S/14.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

45 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

65 nC

- 40 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

826En existencias

Cinta cortada

S/21.84

S/13.47

S/9.96

S/8.95

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R099CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.11
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R099CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

228En existencias

S/22.11

S/11.68

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.14
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R080CFD7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R080CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

S/21.14

S/14.91

S/12.96

S/12.26

Envase tipo carrete

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

36 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 40 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

9 A
11 A
12 A
13 A
14 A
17 A
18 A
21 A
24 A
29 A
31 A
32 A
36 A
38 A
45 A
58 A
63 A
64 A
85 A
96 A

17 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
31 mOhms
35 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
76 mOhms
92 mOhms
99 mOhms
115 mOhms
139 mOhms
145 mOhms
150 mOhms
153 mOhms
180 mOhms
183 mOhms
190 mOhms

13 nC
17 nC
18 nC
22 nC
23 nC
24 nC
28 nC
29 nC
32 nC
36 nC
39 nC
41 nC
50 nC
53 nC
65 nC
67 nC
68 nC
97 nC
102 nC
127 nC

41 W
53 W
63 W
68 W
77 W
85 W
89 W
98 W
114 W
127 W
156 W
160 W
171 W
186 W
223 W
227 W
272 W
278 W
305 W
357 W