Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 135

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.00
995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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995En existencias

Cinta cortada

S/23.00

S/15.06

S/11.25

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.60

S/8.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STB38N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.00
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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757En existencias

Cinta cortada

S/29.00

S/19.58

S/14.25

S/13.58

Envase tipo carrete

S/12.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.01
1,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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1,671En existencias

S/14.01

S/6.77

S/5.41

S/5.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.5 A

430 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: S/33.86
801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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801En existencias

S/33.86

S/18.45

S/16.93

S/15.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.35
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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615En existencias

S/26.35

S/15.03

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

139 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

STW34NM60N
STMicroelectronics
1: S/33.63
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

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664En existencias

S/33.63

S/24.83

S/22.85

S/22.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31.5 A

105 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60T4
STMicroelectronics
1: S/11.33
1,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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1,815En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.43

S/5.53

S/4.55

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP11NM80
STMicroelectronics
1: S/28.61
1,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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1,750En existencias

S/28.61

S/15.30

S/14.01

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

STW26NM50
STMicroelectronics
1: S/50.25
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW26NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

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700En existencias

S/50.25

S/30.95

S/27.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/29.04
877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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877En existencias

S/29.04

S/15.30

S/14.29

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/22.97
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

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938En existencias

S/22.97

S/12.07

S/11.25

S/10.00

S/8.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.5 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.58
7,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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7,790En existencias

S/16.58

S/8.45

S/7.67

S/6.31

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

279 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60
STMicroelectronics
1: S/22.34
940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

940En existencias

S/22.34

S/14.01

S/12.85

S/12.34

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/31.37
658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

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Hoja de datos

658En existencias

S/31.37

S/16.97

S/15.57

S/14.56

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

STU7NM60N
STMicroelectronics
1: S/12.18
1,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

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Hoja de datos

1,718En existencias

S/12.18

S/5.68

S/5.10

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh

STW77N65M5
STMicroelectronics
1: S/67.69
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW77N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW77N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh

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Hoja de datos

506En existencias

S/67.69

S/41.77

S/38.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

30 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 125 C

400 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: S/35.62
1,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

1,749En existencias

Cinta cortada

S/35.62

S/24.33

S/17.94

S/17.87

Envase tipo carrete

S/16.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/27.91
1,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

Hoja de datos

1,869En existencias

S/27.91

S/16.74

S/14.87

S/14.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FP
STMicroelectronics
1: S/29.08
1,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

1,258En existencias

S/29.08

S/17.87

S/16.62

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

STP26NM60N
STMicroelectronics
1: S/27.91
1,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

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Hoja de datos

1,341En existencias

S/27.91

S/17.01

S/15.14

S/14.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STW28NM50N
STMicroelectronics
1: S/30.91
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

664En existencias

S/30.91

S/19.46

S/17.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: S/43.71
528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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Hoja de datos

528En existencias

S/43.71

S/26.27

S/22.03

S/21.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50T4
STMicroelectronics
1: S/25.61
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

957En existencias

Cinta cortada

S/25.61

S/17.17

S/12.42

S/12.18

Envase tipo carrete

S/10.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

STD8N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

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Hoja de datos

1,372En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/8.84

S/6.15

S/5.02

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

STF21N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.16
909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N65M5

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511-STF21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

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S/23.16

S/12.26

S/11.13

S/9.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W