Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

STF21N65M5

Name: STMicroelectronics STF21N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF21N65M5
Price: 20.28 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STF21N65M5

Fabricante N.º:

STF21N65M5

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

Complete su diseño

Hoja de datos:

STF21N65M5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics STF21N65M5

En existencias: 959

Existencias:: 959 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/20.28	S/20.28
	S/11.48	S/114.80
	S/10.47	S/1,047.00
	S/9.73	S/4,865.00
	S/8.60	S/8,600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	150 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	2 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STF21N65M5 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R_DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.