Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

CSD19531KCS
Texas Instruments
1: S/10.59
1,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19531KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19531KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

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Hoja de datos

1,043En existencias

S/10.59

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

CSD19534KCS
Texas Instruments
1: S/7.86
135En existencias
1,000Se espera el 9/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19534KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19534KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

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Hoja de datos

135En existencias

1,000Se espera el 9/03/2026

S/7.86

S/3.82

S/3.42

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

16.4 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595-CSD19534Q5A

CSD19534Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.37
263En existencias
3,000Se espera el 9/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19534Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19534Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595-CSD19534Q5A

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Hoja de datos

263En existencias

3,000Se espera el 9/03/2026

Cinta cortada

S/8.37

S/5.64

S/3.54

Envase tipo carrete

S/3.54

S/2.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19536KCS
Texas Instruments
1: S/20.82
9En existencias
1,600Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19536KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19536KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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9En existencias

1,600Se espera el 26/02/2026

S/20.82

S/13.35

S/12.18

S/10.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

259 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT

CSD19536KTTT
Texas Instruments
1: S/28.53
68En existencias
1,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19536KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19536KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT

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Hoja de datos

68En existencias

1,600En pedido

Cinta cortada

S/28.53

S/15.38

Envase tipo carrete

S/15.38

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

272 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

CSD19538Q3A
Texas Instruments
1: S/3.85
755En existencias
12,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

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755En existencias

12,500En pedido

Cinta cortada

S/3.85

S/2.39

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.954

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

61 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

CSD83325LT
Texas Instruments
1: S/7.55
445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD83325LT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD83325LT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

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Hoja de datos

445En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.79

S/3.20

Envase tipo carrete

S/3.20

S/2.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

BGA-6

N-Channel

2 Channel

12 V

8 A

5.9 mOhms

- 10 V, 10 V

950 mV

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

CSD85301Q2T
Texas Instruments
1: S/6.70
396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD85301Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD85301Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

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Hoja de datos

396En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.36

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.50

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

20 V

5 A

27 mOhms

- 10 V, 10 V

600 mV

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A 595-CSD85302LT

CSD85302L
Texas Instruments
1: S/2.88
3,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD85302L

N.º de artículo de Mouser
595-CSD85302L

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A 595-CSD85302LT

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Hoja de datos

3,216En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.93

S/1.30

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-4

N-Channel

2 Channel

20 V

7 A

24 mOhms

- 10 V, 10 V

680 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs

CSD85312Q3E
Texas Instruments
1: S/6.31
919En existencias
2,500Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD85312Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD85312Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs

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Hoja de datos

919En existencias

2,500Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.67

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-8

N-Channel

2 Channel

20 V

12 A

14 mOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

11.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

CSD87313DMST
Texas Instruments
1: S/11.33
904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87313DMST

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87313DMST

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

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Hoja de datos

904En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.75

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.36

S/3.80

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

17 A

5.5 mOhms

- 10 V, 10 V

600 mV

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87331Q3D
Texas Instruments
1: S/4.36
445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87331Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87331Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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Hoja de datos

445En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.84

S/2.35

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

15 A

18 mOhms, 5.5 mOhms

- 8 V, 10 V

2.1 V, 1.2 V

2.7 nC, 6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

CSD87501LT
Texas Instruments
1: S/4.20
530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87501LT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87501LT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

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Hoja de datos

530En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.73

S/2.26

Envase tipo carrete

S/2.26

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

BGA-10

N-Channel

2 Channel

30 V

14 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

CSD87502Q2
Texas Instruments
1: S/1.95
2,117En existencias
9,000Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD87502Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87502Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

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Hoja de datos

2,117En existencias

9,000Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/1.95

S/1.22

S/0.981

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.814

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

2 Channel

30 V

5 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

CSD88539ND
Texas Instruments
1: S/5.02
2,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD88539ND

N.º de artículo de Mouser
595-CSD88539ND

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT

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Hoja de datos

2,226En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.14

S/2.07

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A

CSD17510Q5A
Texas Instruments
1: S/6.93
5,000Se espera el 29/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17510Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17510Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A

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Hoja de datos

5,000Se espera el 29/04/2026

Cinta cortada

S/6.93

S/4.44

S/2.93

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

CSD17527Q5A
Texas Instruments
1: S/6.19
4,982Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17527Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17527Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

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Hoja de datos

4,982Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.62

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

CSD19533KCS
Texas Instruments
1: S/9.54
2,058Se espera el 9/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19533KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19533KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

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Hoja de datos

2,058Se espera el 9/03/2026

S/9.54

S/4.79

S/4.28

S/3.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

CSD87313DMS
Texas Instruments
1: S/8.60
2,500Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD87313DMS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87313DMS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

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Hoja de datos

2,500Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/8.60

S/5.49

S/3.80

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

17 A

5.5 mOhms

- 10 V, 10 V

600 mV

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

CSD18511KTT
Texas Instruments
1: S/9.61
497Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18511KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18511KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

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Hoja de datos

497Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

S/9.61

S/6.23

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.13

S/2.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

194 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A

CSD18533Q5AT
Texas Instruments
1: S/9.34
700Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18533Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18533Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A

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Hoja de datos

700Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/9.34

S/6.03

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.36

S/2.73

S/2.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

116 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT

CSD18535KTT
Texas Instruments
1: S/14.01
482Se espera el 7/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18535KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18535KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT

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Hoja de datos

482Se espera el 7/05/2026

Cinta cortada

S/14.01

S/10.20

S/7.67

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET

CSD16408Q5
Texas Instruments
1: S/6.46
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
CSD16408Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16408Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas

Cinta cortada

S/6.46

S/6.42

S/6.34

S/5.72

Envase tipo carrete

S/2.28

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

5.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A

CSD17505Q5A
Texas Instruments
1: S/9.30
Plazo de entrega 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
CSD17505Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17505Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A

Hoja de datos

Plazo de entrega 12 Semanas

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17576Q5B

CSD17555Q5A
Texas Instruments
2,500: S/2.63
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
CSD17555Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17555Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17576Q5B

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.63

S/2.51

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

NexFET

Reel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.1 V
1.1 V, 750 mV
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W