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CSD16408Q5

Name: Texas Instruments CSD16408Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16408Q5
Price: 2.43 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD16408Q5

Fabricante N.º:

CSD16408Q5

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET

Hoja de datos:

CSD16408Q5 Hoja de datos

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Qg - Carga de puerta:	6.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	10.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	CSD16408Q5
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11.3 ns
Peso de la unidad:	105.800 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFET: CSD16408Q5

The Texas Instruments CSD16408Q5 N-channel NexFET™ power MOSFET minimizes losses in power conversion applications and features ultralow gate charge total and gate charge gate to drain. The TI CSD16408Q5 NexFET MOSFET is avalanche rated and features low thermal resistance. The TI CSD16408Q5 power MOSFET is ideal for Point-of-Load synchronous buck in network, telecom, and computing systems. This NexFET device is also optimized for Control FET applications.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.