Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R011M2HXTMA1
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IMLT40R011M2HXTMA1

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S/34.29

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SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
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S/55.20

S/42.04

S/35.03

S/31.22

S/29.54

Envase tipo carrete

S/29.54

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: 1,800

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SMD/SMT

HDSOP-16

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IMLT40R036M2HXTMA1
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S/16.23

S/14.40

S/12.11

Envase tipo carrete

S/12.07

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HDSOP-16

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IMLT40R045M2HXTMA1
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S/15.03

S/13.35

S/11.83

Envase tipo carrete

S/11.83

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SMD/SMT

HDSOP-16

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IMW40R015M2HXKSA1
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SiC

Through Hole

TO-247-3

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IMW40R025M2HXKSA1
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S/45.31

S/29.08

S/24.09

S/21.37

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SiC

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IMZA40R011M2HXKSA1
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S/58.78

S/50.84

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SiC

Through Hole

TO-247-4

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IMZA40R015M2HXKSA1
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S/64.15

S/48.85

S/40.72

S/36.28

S/33.90

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SiC

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TO-247-4

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IMLT40R025M2HXTMA1
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3,600Se espera el 24/09/2026
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S/28.57

S/23.82

S/21.21

S/20.09

Envase tipo carrete

S/20.09

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: 1,800

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SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

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IMW40R011M2HXKSA1
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S/76.41

S/57.06

S/49.36

S/46.71

Presupuesto

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Mult.: 1

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SiC

Through Hole

TO-247-3

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IMW40R036M2HXKSA1
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227En existencias

S/37.64

S/25.69

S/21.21

S/18.88

S/17.87

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SiC

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TO-247-3

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IMW40R045M2HXKSA1
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S/18.68

S/16.54

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SiC

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TO-247-3

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IMZA40R025M2HXKSA1
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S/46.52

S/29.93

S/25.03

S/22.07

S/19.62

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SiC

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TO-247-4

N-Channel

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IMZA40R036M2HXKSA1
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S/38.69

S/26.43

S/21.80

S/19.42

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SiC

Through Hole

TO-247-4

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IMZA40R045M2HXKSA1
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S/33.75

S/23.78

S/19.23

S/17.05

S/15.30

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SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

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IMBG40R011M2HXTMA1
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/76.76

S/56.52

S/45.43

S/42.31

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S/36.47

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Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

N-Channel

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IMBG40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
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726-IMBG40R015M2HXTM

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S/44.96

S/37.45

S/33.40

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S/31.61

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/45.11
636En existencias
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S/45.11

S/30.98

S/24.33

S/21.72

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S/19.11

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.81
958En existencias
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S/35.81

S/25.22

S/20.40

S/18.14

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S/16.23

Min.: 1
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: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.57
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/31.57

S/21.14

S/16.97

S/15.10

Envase tipo carrete

S/13.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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IMT40R011M2HXTMA1
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S/76.92

S/58.58

S/48.81

S/43.52

S/43.25

Envase tipo carrete

S/41.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

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IMT40R015M2HXTMA1
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1: S/55.66
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S/55.66

S/40.17

S/31.96

S/29.08

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S/25.65

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Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R025M2HXTMA1
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1: S/41.49
1,340En existencias
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S/29.35

S/24.44

S/21.80

S/21.76

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S/20.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

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IMT40R036M2HXTMA1
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1: S/32.62
1,950En existencias
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IMT40R036M2HXTMA1

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S/22.97

S/18.57

S/16.50

S/15.61

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S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R045M2HXTMA1
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1,703En existencias
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S/19.23

S/15.45

S/13.74

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Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

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SMD/SMT

HSOF-8

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