Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMLT40R015M2HXTMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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S/44.49

S/36.24

S/30.21

S/26.90

S/22.85

Envase tipo carrete

S/22.81

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Mult.: 1

Carrete: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
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S/34.88

S/25.38

S/21.14

S/18.84

S/16.78

Envase tipo carrete

S/16.74

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

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IMW40R015M2HXKSA1
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S/49.86

S/37.21

S/32.19

S/30.44

S/25.85

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SiC

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TO-247-3

N-Channel

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IMW40R011M2HXKSA1
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S/64.42

S/49.82

S/43.13

S/43.05

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SiC

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TO-247-3

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IMW40R025M2HXKSA1
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S/24.02

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S/19.03

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SiC

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TO-247-3

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IMLT40R011M2HXTMA1
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S/39.51

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SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

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IMBG40R025M2HXTMA1
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S/36.36

S/27.05

S/22.54

S/20.86

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S/17.67

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SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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IMT40R015M2HXTMA1
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S/36.47

S/30.40

S/27.09

S/27.05

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S/22.97

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Mult.: 1

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

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IMBG40R011M2HXTMA1
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S/48.27

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S/41.73

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SiC

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IMBG40R015M2HXTMA1
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S/39.31

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S/29.19

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S/24.76

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SiC MOSFETS

SiC

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TO-263-7

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IMBG40R036M2HXTMA1
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S/28.65

S/20.24

S/16.85

S/15.53

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S/13.16

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SiC MOSFETS

SiC

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TO-263-7

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IMBG40R045M2HXTMA1
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S/13.20

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S/11.17

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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IMT40R011M2HXTMA1
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S/45.66

S/42.27

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S/37.02

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

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IMT40R025M2HXTMA1
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1: S/34.88
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S/34.88

S/23.90

S/19.00

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S/15.49

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

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IMT40R036M2HXTMA1
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S/27.95

S/20.67

S/16.70

S/14.87

S/14.40

Envase tipo carrete

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.85
1,850En existencias
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IMT40R045M2HXTMA1

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726-IMT40R045M2HXTMA

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Cinta cortada

S/22.85

S/15.92

S/11.48

S/11.41

Envase tipo carrete

S/9.26

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Mult.: 1

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.63
1,800Se espera el 26/02/2026
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IMLT40R045M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R045M2HXTM

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1,800Se espera el 26/02/2026

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S/23.63

S/16.50

S/13.35

S/11.87

S/10.16

Envase tipo carrete

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.68
1,800Se espera el 26/02/2026
Nuevo producto

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IMLT40R036M2HXTMA1

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726-IMLT40R036M2HXTM

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Infineon Technologies

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1,800Se espera el 26/02/2026

Cinta cortada

S/27.68

S/20.47

S/16.54

S/14.71

S/12.61

Envase tipo carrete

S/12.57

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/63.84
239Se espera el 26/02/2026
Nuevo producto

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IMZA40R011M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R011M2HXKS

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239Se espera el 26/02/2026

S/63.84

S/51.11

S/44.22

S/44.18

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.50
240Se espera el 26/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R015M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R015M2HXKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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240Se espera el 26/02/2026

S/51.50

S/38.46

S/33.28

S/31.45

S/26.70

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R045M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.36
236Se espera el 26/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R045M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R045M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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236Se espera el 26/02/2026

S/27.36

S/20.05

S/16.19

S/14.36

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMW40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.91
240En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMW40R036M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R036M2HXKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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240En pedido

S/30.91

S/21.80

S/18.18

S/16.15

S/14.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.66
240Se espera el 26/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R025M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R025M2HXKS

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240Se espera el 26/02/2026

S/39.66

S/30.09

S/25.07

S/22.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.30
240Se espera el 26/02/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IMZA40R036M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R036M2HXKS

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240Se espera el 26/02/2026

S/31.30

S/22.77

S/18.96

S/16.85

S/15.03

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA40R045M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.34
240En pedido
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IMZA40R045M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R045M2HXKS

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S/28.34

S/20.94

S/16.93

S/15.03

S/12.85

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Mult.: 1

MOSFETs

SiC

Through Hole

TO-247-4

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CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

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