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IMZA40R036M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA40R036M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA40R036M2HXKS
Price: 31.3 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IMZA40R036M2HXKS

Fabricante N.º:

IMZA40R036M2HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

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	S/22.77	S/227.70
	S/18.96	S/1,896.00
	S/16.85	S/8,088.00
	S/15.03	S/18,036.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	400 V
Id - Corriente de drenaje continua:	46 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	45.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	139 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.4 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.