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IMBG40R045M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG40R045M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG40R045M2HXTM
Price: 22.73 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMBG40R045M2HXTM

Fabricante N.º:

IMBG40R045M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	S/18.22	S/182.20
	S/14.75	S/1,475.00
	S/13.20	S/6,600.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/11.17	S/11,170.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	400 V
Id - Corriente de drenaje continua:	43 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	64.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.3 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	10.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo:	G2 MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	IMBG40R045M2H SP006064680

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.