Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

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Resultados: 15

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

CSD22205LT
Texas Instruments
1: S/7.40
3,010En existencias

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CSD22205LT

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595-CSD22205LT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

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S/7.40

S/4.71

S/2.68

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S/2.68

S/2.32

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: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-4

P-Channel

1 Channel

8 V

7.4 A

40 mOhms

- 6 V, 6 V

1.05 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

CSD75208W1015T
Texas Instruments
1: S/7.05
8,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD75208W1015T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD75208W1015T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

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S/7.05

S/4.48

S/2.31

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S/2.31

S/2.07

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SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

2 Channel

20 V

1.6 A

150 mOhms, 285 mOhms

- 6 V, 6 V

800 mV

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD22202W15
Texas Instruments
1: S/4.63
7,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22202W15

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22202W15

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

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S/4.63

S/2.90

S/1.90

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.11

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

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+ 150 C

1.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595- A 595-CSD25404Q3T

CSD25404Q3
Texas Instruments
1: S/6.15
7,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25404Q3

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595-CSD25404Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595- A 595-CSD25404Q3T

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S/6.15

S/3.87

S/2.58

S/2.04

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.68

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

104 A

6.5 mOhms

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650 mV

10.8 nC

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+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

CSD22204W
Texas Instruments
1: S/3.46
2,990En existencias

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CSD22204W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22204W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

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S/3.46

S/2.17

S/1.41

S/1.08

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S/0.837

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DSBGA-9

P-Channel

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5 A

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+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

CSD22204WT
Texas Instruments
1: S/6.89
134En existencias
250Se espera el 7/09/2026

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CSD22204WT

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595-CSD22204WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

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S/2.56

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S/2.56

S/2.20

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: 250

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

5 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

450 mV

24.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

CSD22205L
Texas Instruments
1: S/3.46
3,468En existencias

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CSD22205L

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595-CSD22205L

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

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S/3.46

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SMD/SMT

PICOSTAR-4

P-Channel

1 Channel

8 V

7.4 A

40 mOhms

- 6 V, 6 V

1.05 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

CSD22206W
Texas Instruments
1: S/4.16
5,910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22206W

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595-CSD22206W

Texas Instruments

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S/1.68

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S/0.993

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: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

5 A

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- 6 V, 6 V

1.05 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

CSD22206WT
Texas Instruments
1: S/8.06
56En existencias

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CSD22206WT

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595-CSD22206WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

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S/8.06

S/5.18

S/3.02

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S/3.02

S/2.61

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: 250

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

2 A

9.1 mOhms

- 6 V, 6 V

700 mV

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

CSD23202W10T
Texas Instruments
1: S/6.54
1,384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD23202W10T

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595-CSD23202W10T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

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S/6.54

S/4.16

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.40

S/2.05

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: 250

SMD/SMT

DSBGA-4

P-Channel

1 Channel

12 V

2.2 A

92 mOhms

- 6 V, 6 V

600 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCh NexFET Power MOS FET

CSD25211W1015
Texas Instruments
1: S/4.32
3,633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25211W1015

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25211W1015

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCh NexFET Power MOS FET

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S/4.32

S/3.09

S/1.93

S/1.33

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S/1.00

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: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

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- 6 V, 6 V

800 mV

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD25213W10
Texas Instruments
1: S/2.22
5,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25213W10

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25213W10

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

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5,680En existencias

Cinta cortada

S/2.22

S/1.36

S/0.868

S/0.65

Envase tipo carrete

S/0.49

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: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-4

P-Channel

1 Channel

20 V

1.6 A

67 mOhms

- 6 V, 6 V

850 mV

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

CSD25304W1015T
Texas Instruments
1: S/7.05
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25304W1015T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25304W1015T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

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422En existencias

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S/7.05

S/4.48

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.44

S/2.09

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Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

92 mOhms

- 8 V, 8 V

800 mV

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD25310Q2
Texas Instruments
1: S/2.69
6,104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25310Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25310Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

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6,104En existencias

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S/2.69

S/1.66

S/1.07

S/0.81

Envase tipo carrete

S/0.576

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

P-Channel

1 Channel

20 V

20 A

23.9 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3

CSD25404Q3T
Texas Instruments
1: S/8.80
164En existencias
1,000Se espera el 4/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD25404Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25404Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3

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Hoja de datos

164En existencias

1,000Se espera el 4/06/2026

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.34

Envase tipo carrete

S/3.34

S/2.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

104 A

6.5 mOhms

- 12 V, 12 V

650 mV

10.8 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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