Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

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Resultados: 15

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

CSD75208W1015T
Texas Instruments
1: S/4.67
9,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD75208W1015T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD75208W1015T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

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S/4.67

S/3.79

S/2.14

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S/2.14

S/1.93

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Carrete: 250

SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

2 Channel

20 V

1.6 A

150 mOhms, 285 mOhms

- 6 V, 6 V

800 mV

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

750 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595-CSD23202W10

CSD23202W10T
Texas Instruments
1: S/6.03
1,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD23202W10T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD23202W10T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595-CSD23202W10

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S/6.03

S/3.85

S/1.81

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S/1.81

S/1.63

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SMD/SMT

DSBGA-4

P-Channel

1 Channel

12 V

2.2 A

92 mOhms

- 6 V, 6 V

600 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

CSD22205LT
Texas Instruments
1: S/3.39
3,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22205LT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22205LT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

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S/3.39

S/3.36

S/2.16

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S/2.16

S/1.87

S/1.73

MouseReel Disponible

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Carrete: 250

SMD/SMT

PICOSTAR-4

P-Channel

1 Channel

8 V

7.4 A

40 mOhms

- 6 V, 6 V

1.05 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD25310Q2
Texas Instruments
1: S/2.18
14,268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25310Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25310Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

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S/2.18

S/1.37

S/0.923

S/0.755

Envase tipo carrete

S/0.572

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

P-Channel

1 Channel

20 V

20 A

23.9 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595-CSD25404Q3T

CSD25404Q3
Texas Instruments
1: S/6.27
5,815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25404Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25404Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Pch MOSFET A 595 -CSD25404Q3T A 595-CSD25404Q3T

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S/6.27

S/4.01

S/2.66

S/2.18

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S/1.75

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

104 A

6.5 mOhms

- 12 V, 12 V

650 mV

10.8 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD22202W15
Texas Instruments
1: S/4.28
3,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22202W15

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22202W15

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

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S/4.28

S/2.67

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.919

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

5 A

17.4 mOhms

- 6 V, 6 V

800 mV

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

CSD22204W
Texas Instruments
1: S/3.46
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22204W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22204W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

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S/3.46

S/2.17

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.837

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

5 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

950 mV

24.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

CSD22204WT
Texas Instruments
1: S/6.34
134En existencias
250Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD22204WT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22204WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

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S/6.34

S/4.28

S/2.18

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S/2.18

S/1.87

S/1.72

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SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

5 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

450 mV

24.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

CSD22205L
Texas Instruments
1: S/3.23
1,292En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD22205L

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22205L

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT

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S/3.23

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S/1.31

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.775

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-4

P-Channel

1 Channel

8 V

7.4 A

40 mOhms

- 6 V, 6 V

1.05 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

CSD22206W
Texas Instruments
1: S/3.66
1,140En existencias
3,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD22206W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22206W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

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S/3.66

S/2.39

S/1.60

S/1.31

Envase tipo carrete

S/0.993

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

5 A

9.1 mOhms

- 6 V, 6 V

1.05 V

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

CSD22206WT
Texas Instruments
1: S/7.43
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD22206WT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD22206WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

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S/7.43

S/4.83

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.41

S/2.07

S/1.95

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

DSBGA-9

P-Channel

1 Channel

8 V

2 A

9.1 mOhms

- 6 V, 6 V

700 mV

14.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCh NexFET Power MOS FET

CSD25211W1015
Texas Instruments
1: S/3.39
3,633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25211W1015

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25211W1015

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCh NexFET Power MOS FET

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3,633En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.08

S/1.36

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.852

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

44 mOhms

- 6 V, 6 V

800 mV

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD25213W10
Texas Instruments
1: S/2.18
5,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25213W10

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25213W10

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

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5,406En existencias

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S/2.18

S/1.33

S/0.864

S/0.646

Envase tipo carrete

S/0.487

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-4

P-Channel

1 Channel

20 V

1.6 A

67 mOhms

- 6 V, 6 V

850 mV

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

CSD25304W1015T
Texas Instruments
1: S/6.58
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25304W1015T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25304W1015T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

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Hoja de datos

422En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.44

S/2.06

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

DSBGA-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

92 mOhms

- 8 V, 8 V

800 mV

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3

CSD25404Q3T
Texas Instruments
1: S/7.55
479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD25404Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD25404Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD25404Q3

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Cinta cortada

S/7.55

S/5.06

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.28

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

104 A

6.5 mOhms

- 12 V, 12 V

650 mV

10.8 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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