CSD25304W1015T

Texas Instruments
595-CSD25304W1015T
CSD25304W1015T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

Modelo ECAD:
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S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/6.58 S/6.58
S/4.20 S/42.00
S/2.44 S/244.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
S/2.44 S/610.00
S/2.06 S/1,030.00
S/1.85 S/1,850.00
S/1.78 S/4,450.00
S/1.65 S/8,250.00
S/1.62 S/16,200.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/3.04
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
20 V
3 A
92 mOhms
- 8 V, 8 V
800 mV
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: CSD25304W1015
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns
Peso de la unidad: 1.700 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.