CSD25213W10

Texas Instruments
595-CSD25213W10
CSD25213W10

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET

Modelo ECAD:
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S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/2.06 S/2.06
S/1.27 S/12.70
S/0.81 S/81.00
S/0.607 S/303.50
S/0.545 S/545.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.459 S/1,377.00
S/0.416 S/2,496.00
S/0.37 S/3,330.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-4
P-Channel
1 Channel
20 V
1.6 A
67 mOhms
- 6 V, 6 V
850 mV
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
País de ensamblaje: PH
País de difusión: CN
País de origen: PH
Tiempo de caída: 970 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 520 ns
Serie: CSD25213W10
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 1 us
Tiempo típico de demora de encendido: 510 ns
Peso de la unidad: 1.100 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.