Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Resultados: 109

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.19
1,093En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

1,093En existencias

Cinta cortada

S/32.19

S/17.44

S/16.04

S/15.65

Envase tipo carrete

S/14.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.48
2,194En existencias
4,500Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

2,194En existencias

4,500Se espera el 31/08/2026

S/30.48

S/20.40

S/16.43

S/14.56

S/13.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.92
2,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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2,293En existencias

S/12.92

S/6.46

S/5.61

S/4.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.47
1,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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1,745En existencias

Cinta cortada

S/23.47

S/15.69

S/14.01

Envase tipo carrete

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
3,563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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3,563En existencias

Cinta cortada

S/14.48

S/7.32

S/6.62

S/5.37

S/5.18

Envase tipo carrete

S/5.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

31 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQFH39N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
5,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH39N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH39N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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5,989En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/14.48

S/10.35

S/9.26

S/8.91

Envase tipo carrete

S/8.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

TSON-12

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.03
4,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

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4,073En existencias

Cinta cortada

S/28.03

S/14.99

S/13.74

S/13.00

S/12.30

Envase tipo carrete

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.23
10,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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10,226En existencias

Cinta cortada

S/13.23

S/6.62

S/5.99

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
16,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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16,696En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/4.98

S/4.48

S/3.57

Envase tipo carrete

S/2.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.20
3,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

3,475En existencias

Cinta cortada

S/23.20

S/15.49

S/11.13

S/10.12

Envase tipo carrete

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.25
6,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

6,828En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.37

S/3.72

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.31

S/2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
124,089En existencias
95,000Se espera el 25/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

124,089En existencias

95,000Se espera el 25/02/2027

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/1.98

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.25
22,553En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

22,553En pedido

Cinta cortada

S/11.25

S/6.34

S/4.94

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007EAUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
5,538En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N007EAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N00E

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5,538En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/7.59

S/6.89

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.16
314En existencias
1,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

314En existencias

1,000Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/23.16

S/12.18

S/11.09

S/10.08

Envase tipo carrete

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQFH47N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.41
80En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH47N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH47N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

80En existencias

Cinta cortada

S/21.41

S/11.13

S/10.12

S/8.91

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

TSON-12

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQFH55N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.36
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH55N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH55N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

190En existencias

Cinta cortada

S/20.36

S/13.35

S/9.77

S/8.33

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

TSON-12

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISG0613N04NM6HATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.70
381En existencias
3,000Se espera el 3/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISG0613N04NM6HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0613N04NM6HAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

381En existencias

3,000Se espera el 3/06/2027

Cinta cortada

S/19.70

S/13.04

S/9.26

S/8.21

Envase tipo carrete

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

40 V

299 A

880 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
6,046En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

6,046En existencias

30,000En pedido

Cinta cortada

S/9.73

S/5.57

S/4.20

S/3.38

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.48
18,944En existencias
50,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC059N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

18,944En existencias

50,000En pedido

Cinta cortada

S/4.48

S/3.01

S/1.97

S/1.37

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
179En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

179En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/7.90

S/5.02

S/3.93

S/3.17

Ver

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
7,963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,963En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/3.82

S/3.42

S/2.71

Ver

Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L005ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
5,554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L005

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5,554En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/8.10

S/7.28

S/5.64

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

550 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

136 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
19,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

19,599En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.18

S/3.97

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

238 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.17
7,120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,120En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/3.97

S/3.53

S/2.80

Ver

Envase tipo carrete

S/2.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

232 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3
D2PAK-7
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-5
HSOF-8
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
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PG-LHDSO-10-3
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PG-TO220-3
PG-TO263-3
PG-TO263-7
PG-TSDSON-8
PG-TTFN-9
PG-WHTFN-9
SON-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
61 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A

360 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.05 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
12.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
50 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
107 W
125 W
136 W
150 W
158 W