Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 81

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
24,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

24,135En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.11

S/4.52

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

238 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.56
1,370En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N007AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N007

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,370En existencias

Cinta cortada

S/17.56

S/11.72

S/9.03

S/8.02

Envase tipo carrete

S/6.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.22
37En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

37En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/31.22

S/21.21

S/16.27

S/16.23

Envase tipo carrete

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQD005N04NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.64
83En existencias
5,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD005N04NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD005N04NM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

83En existencias

5,000Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/14.64

S/10.04

S/8.60

S/7.63

Ver

Envase tipo carrete

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

610 A

470 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

129 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
7,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,322En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.42

S/4.40

S/3.52

Ver

Envase tipo carrete

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
21,438En existencias
15,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

21,438En existencias

15,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/6.73

S/4.59

S/3.20

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.61
20,782En existencias
20,000Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC059N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

20,782En existencias

20,000Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

S/2.61

S/2.05

S/1.75

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L005ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
1,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L005

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,477En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.58

S/5.99

S/5.14

Ver

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

550 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

136 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.80
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Cinta cortada

S/8.80

S/5.88

S/4.13

S/3.21

Ver

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

232 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.32
2,513En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,513En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/10.32

S/7.05

S/5.06

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
7,986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,986En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.33

S/3.77

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
9,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

9,913En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC007N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.88
2,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC007N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,988En existencias

Cinta cortada

S/12.88

S/8.41

S/5.84

S/5.02

Ver

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC010N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.81
6,975En existencias
5,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC010N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

6,975En existencias

5,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/9.81

S/6.31

S/4.32

S/3.50

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

285 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IST006N04NM6AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
4,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST006N04NM6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST006N04NM6AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,071En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/9.85

S/6.93

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

sTOLL-6

N-Channel

1 Channel

40 V

475 A

600 uOhms

- 10 V, 10 V

2.1 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
257En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ024N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

257En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/4.32

S/3.51

S/3.04

S/2.82

Ver

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N050HATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
1,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N050H

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,582En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.46

S/2.93

S/2.57

Ver

Envase tipo carrete

S/1.98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.92
1En existencias
2,000Se espera el 1/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

2,000Se espera el 1/02/2027

Cinta cortada

S/28.92

S/19.38

S/14.56

S/14.01

S/13.97

Envase tipo carrete

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.63
80En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

80En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/17.63

S/11.68

S/8.17

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
200En existencias
15,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

200En existencias

15,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/8.99

S/5.64

S/3.97

S/3.45

Ver

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
2,259En existencias
5,000Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,259En existencias

5,000Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/6.07

S/3.84

S/2.57

S/2.10

Ver

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
5En existencias
5,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

5,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.72

S/2.14

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.66

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N031HATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
1,800En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N031HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N031H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,800En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/4.36

S/3.72

S/3.26

Ver

Envase tipo carrete

S/2.60

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

113 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQDH45N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
13,178En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQDH45N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH45N04LM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

13,178En pedido

Cinta cortada

S/12.26

S/8.45

S/7.20

S/6.97

Ver

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

637 A

450 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
26,269En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

26,269En pedido

Cinta cortada

S/12.26

S/9.54

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

230 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3
D2PAK-7
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-5
HSOF-8
PG-HSOF-8
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8
PG-TO220-3
PG-TO263-3
PG-TO263-7
PG-TTFN-9
PG-WHTFN-9
SON-8
sTOLL-6
TDSON-8
TDSON-8FL
TDSON-FL-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A
100 A

450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.15 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC
29 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W
187 W