Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Resultados: 81

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.80
36,307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Cinta cortada

S/5.80

S/4.75

S/4.13

S/3.44

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Envase tipo carrete

S/2.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
10,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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10,262En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/10.08

S/7.24

S/6.50

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Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
10,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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10,335En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/4.24

S/3.67

S/3.36

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Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6L063HATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
8,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6L063HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6L063H

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,894En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.55

S/2.35

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

6.3 mOhms

- 16 V, 16 V

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10 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.75
4,681En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Cinta cortada

S/27.75

S/23.28

S/19.42

S/17.13

S/14.13

Envase tipo carrete

S/14.13

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007EAUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
8,136En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N007EAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N00E

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,136En existencias

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S/13.39

S/8.76

S/6.11

S/5.29

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6N070HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
13,720En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6N070HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6N070H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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13,720En existencias

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S/6.81

S/4.36

S/2.90

S/2.29

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Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

55 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L045HATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
4,856En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L045HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L045H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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4,856En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.97

S/2.93

S/2.59

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.98

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N005AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
5,746En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N005AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N005

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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5,746En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.94

S/7.71

S/7.05

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-5

N-Channel

1 Channel

40 V

490 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

250 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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700En existencias

Cinta cortada

S/28.14

S/20.79

S/16.82

S/14.95

Envase tipo carrete

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB038N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.28
1,043En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB038N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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1,043En existencias

Cinta cortada

S/20.28

S/13.51

S/9.65

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.29

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

156 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.59
1,828En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB095N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB095N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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1,828En existencias

Cinta cortada

S/23.59

S/16.47

S/13.31

S/11.91

Envase tipo carrete

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.70
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

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Hoja de datos

700En existencias

Cinta cortada

S/29.70

S/20.98

S/17.48

S/15.57

Envase tipo carrete

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP038N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
1,500En existencias
1,000Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP038N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP038N15NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

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1,500En existencias

1,000Se espera el 16/02/2026

S/20.09

S/14.71

S/12.14

S/10.28

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.31
1,963En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

1,963En existencias

S/19.31

S/10.04

S/9.15

S/9.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.58
4,054En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT034N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT034N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

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Hoja de datos

4,054En existencias

Cinta cortada

S/16.58

S/12.96

S/10.47

S/9.30

Envase tipo carrete

S/7.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT047N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
Plazo de entrega 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT047N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT047N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

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Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

Cinta cortada

S/15.38

S/10.98

S/10.51

S/8.45

Ver

Envase tipo carrete

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

147 A

4.4 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

IPTC034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.06
1,979En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC034N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC034N15NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

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Hoja de datos

1,979En existencias

Cinta cortada

S/18.06

S/14.48

S/11.72

S/10.43

S/8.91

Envase tipo carrete

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
5,470En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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Hoja de datos

5,470En existencias

Cinta cortada

S/14.36

S/9.34

S/7.32

S/6.46

Ver

Envase tipo carrete

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.14
6,260En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

6,260En existencias

Cinta cortada

S/18.14

S/11.99

S/9.38

S/8.33

Ver

Envase tipo carrete

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

ISC165N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
4,004En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC165N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC165N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

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Hoja de datos

4,004En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/5.10

S/4.05

S/3.42

Ver

Envase tipo carrete

S/2.76

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.6 mOhms

20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 175 C

95 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

150 V

146 A

4.6 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

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Mult.: 1

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

4.8 mOhms

20 V

4 V

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234 W

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1 Channel

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128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

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+ 175 C

211 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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S/5.80

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.13

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

90 A

8 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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75 A
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97 A
100 A

450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
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2.1 mOhms
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2.4 mOhms
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3.6 nC
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250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
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