Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.34
720En existencias
Nuevo producto

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IQE036N08NM6SCATMA1

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726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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S/15.34

S/10.04

S/7.24

S/6.07

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S/5.25

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Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
10,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Cinta cortada

S/5.33

S/4.32

S/3.75

S/3.36

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Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
10,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/10.04

S/5.61

S/4.16

S/3.48

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Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

232 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6L063HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.23
8,652En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6L063HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6L063H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.23

S/3.45

S/2.81

S/2.44

S/2.20

Envase tipo carrete

S/2.04

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

6.3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N005AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
2,746En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N005AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N005

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/16.54

S/10.35

S/7.90

S/7.05

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Envase tipo carrete

S/5.72

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

490 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

250 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.62
4,748En existencias
2,000Se espera el 26/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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S/29.62

S/21.21

S/18.49

S/18.14

Envase tipo carrete

S/18.14

MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.68
2,902En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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S/34.68

S/25.03

S/21.91

S/21.60

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S/21.60

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: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

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1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE020N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
3,500En existencias
Nuevo producto

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IQE020N04LM6CGATMA1

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726-IQE020N04LM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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S/10.04

S/6.42

S/4.44

S/3.77

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Envase tipo carrete

S/3.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025GATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.28
1,605En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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S/33.28

S/23.98

S/20.94

S/20.67

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S/20.67

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1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N038ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.82
3,612En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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S/23.82

S/16.89

S/14.64

S/14.25

Envase tipo carrete

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

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1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

IAUTN15S6N038GATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.70
1,742En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

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S/26.70

S/19.07

S/16.58

S/16.19

Envase tipo carrete

S/16.19

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

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1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.36
1,773En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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S/27.36

S/19.54

S/17.01

S/16.62

Envase tipo carrete

S/16.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

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+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
798En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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798En existencias

Cinta cortada

S/28.14

S/20.79

S/16.82

S/14.95

Envase tipo carrete

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.17
800En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

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Cinta cortada

S/30.17

S/21.80

S/15.96

S/15.57

Envase tipo carrete

S/14.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.39
1,475En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

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1,475En existencias

Cinta cortada

S/39.39

S/27.21

S/20.55

S/19.77

Envase tipo carrete

S/19.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
5,358En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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5,358En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.73

S/5.68

S/5.49

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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5,950En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/9.11

S/7.79

S/7.51

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.29
3,384En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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3,384En existencias

Cinta cortada

S/14.29

S/9.89

S/8.45

S/8.17

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Envase tipo carrete

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

97 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.55
2,645En existencias
5,000Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

2,645En existencias

5,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/13.55

S/8.84

S/6.15

S/4.98

Ver

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ025N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
3,465En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ025N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ025N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Hoja de datos

3,465En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.89

S/3.25

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.57
713En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB175N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB175N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

713En existencias

Cinta cortada

S/15.57

S/10.20

S/7.16

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

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- 55 C

+ 175 C

203 W

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

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20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

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450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
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900 uOhms
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1.2 mOhms
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2.5 W
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