Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 81

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP057N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.88
927En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP057N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP057N15NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

927En existencias

S/12.88

S/6.50

S/6.46

S/5.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
590En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP130N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP130N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

590En existencias

S/15.30

S/11.79

S/9.54

S/6.89

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
696En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

696En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/6.31

S/5.25

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.28
7,053En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,053En existencias

Cinta cortada

S/23.28

S/15.88

S/11.91

S/11.37

Envase tipo carrete

S/9.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.22
13,458En existencias
18,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

13,458En existencias

18,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/12.22

S/7.94

S/5.53

S/4.67

Ver

Envase tipo carrete

S/3.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

31 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.49
7,136En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,136En existencias

Cinta cortada

S/18.49

S/16.19

S/11.76

S/10.74

Envase tipo carrete

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N009TATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N009TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N009TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,967En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.92

S/4.63

Envase tipo carrete

S/3.82

S/3.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N013TATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
2,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N013TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N013TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,295En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.79

S/3.64

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.05
1,027En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB339N20NM6ATMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,027En existencias

Cinta cortada

S/14.05

S/9.61

S/7.55

S/7.01

Envase tipo carrete

S/5.92

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF019N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.81
1,419En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF019N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF019N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,419En existencias

Cinta cortada

S/25.81

S/17.71

S/13.04

Envase tipo carrete

S/11.48

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
1,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,532En existencias

Cinta cortada

S/31.18

S/21.29

S/16.47

Envase tipo carrete

S/14.71

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.36
630En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

630En existencias

Cinta cortada

S/20.36

S/14.75

S/12.34

S/11.60

Envase tipo carrete

S/9.81

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
2,490En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,490En existencias

S/10.12

S/5.45

S/4.94

S/3.93

S/3.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.67
1,027En existencias
3,600Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,027En existencias

3,600Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/30.67

S/21.18

S/21.14

S/16.23

Ver

Envase tipo carrete

S/13.70

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.13
5,305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,305En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.75

S/5.41

S/4.52

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

31 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.70
2,215En existencias
5,000Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,215En existencias

5,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/19.70

S/12.85

S/10.74

S/10.47

Ver

Envase tipo carrete

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.93
4,914En existencias
10,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,914En existencias

10,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/16.93

S/11.17

S/8.02

S/7.36

Envase tipo carrete

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.57
5,584En existencias
4,800Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,584En existencias

4,800Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.72

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
11,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

11,872En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/5.22

S/4.09

S/3.47

Ver

Envase tipo carrete

S/2.98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISG0613N04NM6HATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
3,826En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISG0613N04NM6HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0613N04NM6HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,826En existencias

Cinta cortada

S/16.47

S/11.29

S/8.10

S/7.01

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

40 V

299 A

880 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.32
6,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

6,870En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
7,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

7,279En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/5.18

S/4.01

S/3.36

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
63,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC007N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

63,860En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/8.99

S/6.46

S/5.64

Ver

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.84
88,483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

88,483En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/2.30

S/1.99

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
24,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

24,135En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.11

S/4.52

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

238 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3
D2PAK-7
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-5
HSOF-8
PG-HSOF-8
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8
PG-TO220-3
PG-TO263-3
PG-TO263-7
PG-TTFN-9
PG-WHTFN-9
SON-8
sTOLL-6
TDSON-8
TDSON-8FL
TDSON-FL-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A
100 A

450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.15 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC
29 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W
187 W