Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.27
5,737En existencias
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IPB095N20NM6ATMA1

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726-IPB095N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Cinta cortada

S/26.27

S/15.30

S/12.69

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP038N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.16
1,728En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP038N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP038N15NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

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1,728En existencias

S/23.16

S/12.18

S/11.09

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT047N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
1,006En existencias
8,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT047N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT047N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

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1,006En existencias

8,000En pedido

Cinta cortada

S/19.07

S/12.61

S/8.95

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

147 A

4.4 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.78
4,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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4,601En existencias

Cinta cortada

S/29.78

S/16.00

S/14.67

S/14.09

S/13.31

Envase tipo carrete

S/13.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025GATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.28
1,545En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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1,545En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.98

S/20.94

S/20.67

Envase tipo carrete

S/20.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N038ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.82
3,572En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Cinta cortada

S/23.82

S/16.89

S/14.64

S/14.25

Envase tipo carrete

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

IAUTN15S6N038GATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.70
1,742En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)

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1,742En existencias

Cinta cortada

S/26.70

S/19.07

S/16.58

S/16.19

Envase tipo carrete

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.54
1,743En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N038TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N038TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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Cinta cortada

S/35.54

S/19.42

S/17.91

S/17.83

S/16.85

Envase tipo carrete

S/16.85

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

170 A

3.8 mOhms

20 V

4 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB038N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
1,035En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB038N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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Cinta cortada

S/21.72

S/14.44

S/10.32

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.72

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

156 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB051N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.76
6,000En existencias
Nuevo producto

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IPB051N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB051N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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6,000En existencias

Cinta cortada

S/15.76

S/10.32

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

4.8 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB085N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
2,683En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB085N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB085N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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2,683En existencias

Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.72

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

90 A

8 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.82
1,996En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB175N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB175N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

1,996En existencias

Cinta cortada

S/16.82

S/11.05

S/7.79

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF036N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.73
1,201En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF036N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF036N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

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Hoja de datos

1,201En existencias

Cinta cortada

S/22.73

S/15.14

S/10.86

S/9.81

Envase tipo carrete

S/9.30

S/9.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.4 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.54
916En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP130N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP130N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

916En existencias

S/19.54

S/10.12

S/9.19

S/8.25

S/7.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.79
1,970En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT034N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT034N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

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Hoja de datos

1,970En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/20.79

S/13.82

S/9.85

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

IPTC034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.18
2,890En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC034N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC034N15NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

Obtenga más información

Hoja de datos

2,890En existencias

Cinta cortada

S/25.18

S/16.89

S/12.18

S/11.25

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.62
3,056En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,056En existencias

Cinta cortada

S/32.62

S/22.19

S/16.23

S/16.19

Envase tipo carrete

S/16.19

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.55
6,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC017N12NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

6,575En existencias

Cinta cortada

S/33.55

S/18.26

S/16.78

S/16.50

S/15.61

Envase tipo carrete

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF048N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.10
344En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF048N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF048N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

Obtenga más información

Hoja de datos

344En existencias

Cinta cortada

S/18.10

S/11.95

S/8.45

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

146 A

4.6 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP175N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.92
332En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP175N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP175N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

Obtenga más información

Hoja de datos

332En existencias

S/15.92

S/8.10

S/7.28

S/5.96

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

ISC165N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.81
193En existencias
20,000Se espera el 26/11/2026
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ISC165N15NM6ATMA1

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726-ISC165N15NM6ATMA

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S/3.53

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Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.6 mOhms

20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 175 C

95 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N013TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
2,283En existencias

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IAUCN04S6N013TATMA1

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726-IAUCN04S6N013TAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/11.02

S/7.12

S/4.90

S/3.93

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.88
3,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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S/31.88

S/21.64

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S/15.41

Envase tipo carrete

S/14.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.09
8,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

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726-IPB339N20NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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S/9.23

S/6.42

S/5.57

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S/5.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF019N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.45
970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF019N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF019N12NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/18.80

S/17.28

S/17.09

Envase tipo carrete

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

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SON-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
61 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A

360 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.05 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
12.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
50 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
107 W
125 W
136 W
150 W
158 W