Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
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S/9.42

S/6.62

S/5.80

S/5.57

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

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IPL60R185P7AUMA1
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S/7.01

S/5.02

S/4.20

Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R180P7XKSA1
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CoolMOS

Tube

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IPW60R099P7XKSA1
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CoolMOS

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S/11.29

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S/5.06

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CoolMOS

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S/3.08

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Infineon Technologies
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S/4.28

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IPB60R180P7ATMA1
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S/10.78

S/7.05

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Envase tipo carrete

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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600 V

18 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPP60R160P7XKSA1
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263En existencias

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S/11.29

S/5.61

S/5.06

S/4.05

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
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642En existencias

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S/16.47

S/8.10

S/7.67

S/7.32

S/5.88

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600 V

31 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
1,593En existencias

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IPA60R180P7SXKSA1

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S/8.02

S/3.87

S/3.42

S/2.76

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.59
862En existencias

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IPA60R180P7XKSA1

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726-IPA60R180P7XKSA1

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S/10.59

S/5.25

S/4.79

S/3.80

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

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25 nC

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+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
1,509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

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S/6.27

S/1.78

S/1.74

S/1.70

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TO-220-3

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600 V

9 A

300 mOhms

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3 V

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+ 150 C

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7XKSA1

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726-IPA60R360P7XKSA1

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S/7.94

S/4.40

S/3.35

S/2.30

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

9 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
1,795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

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S/5.37

S/2.53

S/2.25

S/1.83

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

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3 V

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+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
263En existencias
12,500Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

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Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.52

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

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Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.02

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

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- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
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95En existencias
7,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

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7,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.57

S/1.70

S/1.31

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
1,081En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,081En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.26

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
4,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

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4,741En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.56
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

648En existencias

S/11.56

S/7.16

S/6.50

S/5.25

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

598En existencias

S/9.23

S/5.88

S/4.01

S/3.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
9 A
10 A
12 A
13 A
18 A
19 A
20 A
23.8 A
26 A
27 A
31 A
33 A
37 A
39 A
41 A
48 A
61 A
76 A
101 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
300 mOhms
305 mOhms
310 mOhms

7 W
21 W
22 W
24 W
26 W
28 W
29 W
30 W
41 W
46 W
53 W
59 W
72 W
81 W
95 W
111 W
117 W
129 W
137 W
154 W