Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
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S/11.83

S/10.78

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37 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

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Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

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23,007En existencias
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S/16.15

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CoolMOS

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CoolMOS

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IPB60R280P7ATMA1
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S/10.82

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Envase tipo carrete

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S/13.39

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S/11.09

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CoolMOS

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IPA60R099P7XKSA1
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29 W

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CoolMOS

Tube

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IPA60R120P7XKSA1
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1: S/17.24
1,873En existencias

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S/17.24

S/8.84

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CoolMOS

Tube

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728En existencias
4,000Se espera el 21/09/2026

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IPB60R045P7ATMA1

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726-IPB60R045P7ATMA1

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S/19.81

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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61 A

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1.7 V

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201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
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1,255En existencias

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IPB60R060P7ATMA1

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726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/25.57

S/14.48

S/13.16

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

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3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/21.18

S/10.98

S/9.96

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
5,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5,255En existencias

Cinta cortada

S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
9,766En existencias
7,500Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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9,766En existencias

7,500Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/8.56

S/4.16

S/3.71

S/2.95

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,950En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/3.35

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
7,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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7,504En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.25

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.67
1,231En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

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1,231En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/20.67

S/10.86

S/9.89

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.25

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
7,612En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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7,612En existencias

3,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/16.11

S/8.68

S/7.86

S/6.66

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
3,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3,692En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/6.38

S/5.76

S/4.67

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
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3,752En existencias

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IPL60R285P7AUMA1

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726-IPL60R285P7AUMA1

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3,752En existencias

Cinta cortada

S/12.07

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S/5.41

S/4.36

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.66
1,951En existencias
5,000Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,951En existencias

5,000Se espera el 18/03/2027

S/26.66

S/14.64

S/13.39

S/12.38

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.58
289En existencias
720Se espera el 1/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

289En existencias

720Se espera el 1/09/2026

S/55.58

S/31.14

S/29.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,510En existencias

S/27.48

S/14.32

S/13.16

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
300 mOhms
305 mOhms
340 mOhms

7 W
21 W
22 W
24 W
26 W
28 W
29 W
30 W
41 W
53 W
59 W
72 W
81 W
95 W
111 W
117 W
129 W
137 W
154 W
164 W