Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 59

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.60
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IPB60R360P7ATMA1

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726-IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

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2,793En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.10

S/3.68

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.66

S/2.48

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
5,788En existencias

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IPP60R360P7XKSA1

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726-IPP60R360P7XKSA1

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S/6.46

S/3.77

S/3.28

S/2.80

Ver

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
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5,608En existencias

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IPP60R180P7XKSA1

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726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/11.91

S/6.03

S/5.41

S/3.97

S/3.93

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

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+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
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917En existencias

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Cinta cortada

S/22.65

S/15.10

S/10.82

S/9.77

S/9.15

Envase tipo carrete

S/9.15

Min.: 1
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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39 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
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2,510En existencias

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IPD60R600P7ATMA1

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Cinta cortada

S/6.34

S/3.75

S/2.57

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.02
1,522En existencias

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IPL60R285P7AUMA1

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726-IPL60R285P7AUMA1

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Cinta cortada

S/11.02

S/7.05

S/5.02

S/4.05

S/3.80

Envase tipo carrete

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Min.: 1
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SMD/SMT

VSON-4

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600 V

13 A

218 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
23,960En existencias
20,640Se espera el 25/06/2026

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20,640Se espera el 25/06/2026

S/15.38

S/9.89

S/7.28

S/6.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.06
14,433En existencias
6,500Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

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726-IPP60R080P7XKSA1

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6,500Se espera el 4/02/2027

S/21.06

S/10.98

S/10.00

S/9.54

Ver

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.06
2,273En existencias

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IPA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R080P7XKSA1

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S/21.06

S/10.98

S/10.00

S/8.29

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

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- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.11
1,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

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1,512En existencias

Cinta cortada

S/22.11

S/14.71

S/11.56

S/10.59

Envase tipo carrete

S/9.89

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

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- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.11
1,468En existencias

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IPB60R080P7ATMA1

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726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,468En existencias

Cinta cortada

S/22.11

S/14.40

S/11.29

S/9.46

Envase tipo carrete

S/8.76

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.61
1,213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

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1,213En existencias

Cinta cortada

S/18.61

S/12.30

S/8.72

S/7.51

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
5,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

5,343En existencias

Cinta cortada

S/16.11

S/10.59

S/7.43

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.15

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
7,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

7,946En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.86

S/5.45

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
6,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

6,898En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.48

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.27

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.08
2,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,024En existencias

S/16.08

S/8.17

S/7.43

S/6.03

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
3,758En existencias
1,500Se espera el 31/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,758En existencias

1,500Se espera el 31/12/2026

S/7.98

S/3.84

S/3.44

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.66
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

997En existencias

Cinta cortada

S/29.66

S/16.85

S/13.78

S/13.51

Envase tipo carrete

S/12.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
5,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

5,572En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.38

S/4.52

S/3.71

S/3.44

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
13,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

13,390En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
4,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

4,125En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
12,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

12,871En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.79

S/1.86

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/30.52
3,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

3,621En existencias

Cinta cortada

S/30.52

S/20.67

S/15.10

S/14.56

S/13.58

Envase tipo carrete

S/13.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.07
2,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,794En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.73

S/9.15

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
4,754En existencias
6,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,754En existencias

6,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/14.83

S/9.93

S/7.28

S/6.07

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
300 mOhms
305 mOhms
340 mOhms

7 W
21 W
22 W
24 W
26 W
28 W
29 W
30 W
41 W
53 W
59 W
72 W
81 W
95 W
111 W
117 W
129 W
137 W
154 W
164 W