Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
Conozca más

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 59

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/31.41 3,453En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,453En existencias	Cinta cortada S/31.41 S/17.05 S/15.65 S/15.22 S/14.36 Envase tipo carrete S/14.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/17.24 5,194En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R120P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R120P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,194En existencias	Cinta cortada S/17.24 S/8.84 S/7.98 S/6.77 Envase tipo carrete S/6.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/27.48 3,460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,460En existencias	S/27.48 S/14.32 S/13.12 S/11.95	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/38.26 220En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	220En existencias	S/38.26 S/20.63 S/19.03 S/18.57	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.77 2,472En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,472En existencias	Cinta cortada S/6.77 S/3.22 S/2.72 S/2.24 Envase tipo carrete S/1.85 Ver S/2.07 S/1.78	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	490 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/32.58 4,698En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,698En existencias	Cinta cortada S/32.58 S/21.80 S/14.95 S/14.75 Envase tipo carrete S/14.48 Ver S/14.17 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/20.67 7,191En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R105P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R105P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,191En existencias	Cinta cortada S/20.67 S/10.86 S/9.89 S/8.76 Envase tipo carrete S/8.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	85 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	137 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.58 18,855En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	18,855En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	S/22.58 S/11.83 S/10.78 S/9.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.77 12,656En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,656En existencias	S/41.77 S/22.69 S/20.98 S/20.82	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/16.15 14,905En existencias 60,490En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPW60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	14,905En existencias 60,490En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPW60R180P7XKSA1 Existencias: 14,905 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 17,290 Se espera el 4/11/2026 43,200 Se espera el 29/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	S/16.15 S/7.98 S/7.28 S/6.03 S/5.99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.74 1,282En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R080P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,282En existencias	Cinta cortada S/23.74 S/12.46 S/11.37 S/10.20 Envase tipo carrete S/9.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.00 7,515En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,515En existencias	Cinta cortada S/13.00 S/6.50 S/5.88 S/4.75 Envase tipo carrete S/4.36 S/4.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.82 4,443En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,443En existencias	Cinta cortada S/10.82 S/5.33 S/4.79 S/3.85 Envase tipo carrete S/3.54 S/3.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/55.58 1,004En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,004En existencias	S/55.58 S/31.14 S/29.97	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	101 A	24 mOhms	20 V	3.5 V	164 nC	- 55 C	+ 150 C	291 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.25 1,028En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,028En existencias	S/37.25 S/23.51 S/18.06 S/17.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.58 1,726En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,726En existencias	S/22.58 S/11.83 S/10.78 S/9.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/20.01 794En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R099P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	794En existencias	S/20.01 S/10.39 S/9.46 S/7.79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/17.24 1,662En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R120P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,662En existencias	S/17.24 S/8.84 S/8.02 S/6.54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/12.92 1,627En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,627En existencias	S/12.92 S/6.46 S/5.84 S/4.90 Ver S/4.83 S/4.71 S/4.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.56 8,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8,000En existencias	S/8.56 S/4.16 S/3.70 S/2.94 Ver S/2.81 S/2.55 S/2.46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/25.57 620En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R060P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R060P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	620En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/25.57 S/14.48 S/13.16 S/12.07 Envase tipo carrete S/10.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	164 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/21.18 1,142En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,142En existencias	Cinta cortada S/21.18 S/10.98 S/9.96 S/8.76 Envase tipo carrete S/7.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.83 6,111En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	6,111En existencias	Cinta cortada S/4.83 S/2.25 S/2.00 S/1.55 Envase tipo carrete S/1.25 Ver S/1.53 S/1.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	600 mOhms	20 V	3.5 V	9 nC	- 40 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/25.77 2,792En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R085P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R085P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,792En existencias	Cinta cortada S/25.77 S/13.58 S/12.42 S/11.37 S/10.63 Envase tipo carrete S/10.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	39 A	73 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 40 C	+ 150 C	154 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/15.10 1,561En existencias 3,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPL60R125P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R125P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,561En existencias 3,000En pedido	Cinta cortada S/15.10 S/8.37 S/7.63 S/6.58 S/6.50 Envase tipo carrete S/6.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	27 A	104 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 40 C	+ 150 C	111 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel