Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 280mohm Super Junction Easy versio
PJMF280N65E1_T0_00201
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 280mohm Super Junction Easy versio
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S/12.96
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S/5.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMF360N60EC_T0_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMP130N65EC_T0_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PSDH6060CCL1_T0_00001
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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
1,436 En existencias
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S/13.04
10
S/7.79
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S/6.62
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S/5.92
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S/5.72
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S/5.68
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Rectificadores 600V Fast Recovery Diode / Optima type - Low Vf
PSDP1560L1_T0_00001
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Rectificadores 600V Fast Recovery Diode / Optima type - Low Vf
1,578 En existencias
1
S/4.40
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S/2.04
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDD0465G1_L2_00001
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
2,360 En existencias
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S/9.03
10
S/5.84
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S/3.74
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDP0865G1_T0_00001
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
1,334 En existencias
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S/14.17
10
S/8.25
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S/6.66
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S/6.27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMD360N60EC_L2_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
2,488 En existencias
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S/7.05
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S/4.90
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S/4.90
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMF120N60EC_T0_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
824 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMF130N65EC_T0_00001
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990 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
990 En existencias
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S/13.86
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S/12.81
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S/12.65
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Rectificadores 600V Fast Recovery Diode / Optima type - Low Vf
PSDH6060L1_T0_00001
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Rectificadores 600V Fast Recovery Diode / Optima type - Low Vf
492 En existencias
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S/12.53
10
S/7.47
100
S/6.34
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S/5.68
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S/5.49
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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
PCDD05120G1_L2_00001
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3,864 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDD05120G1L2001
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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
3,864 En existencias
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S/19.27
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S/15.41
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S/11.09
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S/8.56
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S/9.50
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S/8.56
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDP0465G1_T0_00001
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S/8.45
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N.º de artículo de Mouser 241-PCDP0465G1T00001
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
1,366 En existencias
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S/8.45
10
S/5.18
100
S/5.14
500
S/4.32
1,000
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S/4.05
2,000
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S/3.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
PJMP390N65EC_T0_00001
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N.º de artículo de Mouser 241-PJMP390N65T00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
1,970 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJS6412_S1_00001
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S/1.83
7,889 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
7,889 En existencias
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S/1.83
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S/1.11
100
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9,000
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S/0.374
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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PSDB3060L1_T0_00001
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S/6.46
1,848 En existencias
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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
1,848 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.52
100
S/3.72
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1,000
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1,000
S/2.68
2,000
S/2.43
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S/2.34
24,000
Presupuesto
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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PSDF1560S1_T0_00001
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1:
S/4.48
1,990 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PSDF1560S1T001
Panjit
Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
1,990 En existencias
1
S/4.48
10
S/2.68
100
S/2.55
500
S/2.06
1,000
Ver
1,000
S/1.89
2,000
S/1.67
24,000
S/1.60
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3600W,Transient Voltage Suppressors,DO-218AB,36V,UNI
SM5S36A-AU_R2_000A1
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1:
S/8.02
755 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-SM5S36AAUR2000A1
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3600W,Transient Voltage Suppressors,DO-218AB,36V,UNI
755 En existencias
1
S/8.02
10
S/6.15
100
S/4.40
600
S/3.77
1,200
S/3.15
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDB0465G1_R2_00001
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1:
S/12.38
2,378 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDB0465G1T00001
Panjit
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
2,378 En existencias
1
S/12.38
10
S/9.23
100
S/7.86
500
S/4.36
800
S/3.70
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Detalles
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
PCDD10120G1_L2_00001
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1:
S/20.51
2,155 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDD10120G1L2001
Panjit
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
2,155 En existencias
1
S/20.51
10
S/14.60
3,000
S/14.60
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Detalles
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDD1065G1_L2_00001
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1:
S/15.10
2,983 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDD1065G1L20001
Panjit
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
2,983 En existencias
1
S/15.10
10
S/9.89
100
S/7.28
500
S/7.16
3,000
S/7.16
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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
PCDP10120G1_T0_00001
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1:
S/23.63
1,949 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDP10120G1T0001
Panjit
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
1,949 En existencias
1
S/23.63
10
S/14.56
100
S/14.01
500
S/13.74
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Detalles
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDP1265G1_T0_00001
Panjit
1:
S/15.53
1,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDP1265G1T00001
Panjit
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
1,994 En existencias
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Detalles
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
PCDP15120G1_T0_00001
Panjit
1:
S/36.43
1,989 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PCDP15120G1T0001
Panjit
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
1,989 En existencias
1
S/36.43
10
S/21.80
100
S/21.18
500
S/19.70
2,000
S/19.66
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJA3415_R1_00001
Panjit
1:
S/1.05
18,289 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PJA3415_R1_00001
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
18,289 En existencias
1
S/1.05
10
S/0.642
100
S/0.401
500
S/0.296
3,000
S/0.183
6,000
Ver
1,000
S/0.261
6,000
S/0.171
9,000
S/0.16
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