PCDD1065G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD1065G1L20001
PCDD1065G1_L2_00001

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,983

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/15.10 S/15.10
S/9.93 S/99.30
S/8.72 S/872.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/8.72 S/26,160.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
10 A
650 V
1.5 V
550 A
7 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Panjit
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Dp - Disipación de potencia : 99.3 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad: 321.700 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.