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Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 936

Filtros aplicados:

Fabricante = Panjit

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMP210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/10.32
2,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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2,862En existencias

S/10.32

S/5.10

S/4.55

S/4.09

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N-Channel

1 Channel

650 V

19 mA

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMF210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/10.43
1,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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1,710En existencias

S/10.43

S/5.14

S/4.59

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

PJMH190N60E1_T0_00601
Panjit
1: S/7.94
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH190N60E1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH190N60E1T061

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

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1,441En existencias

S/7.94

S/7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMP050N10NS2_T0_00601
Panjit
1: S/10.12
1,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP050N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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1,707En existencias

S/10.12

S/4.98

S/4.59

Min.: 1
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Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

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+ 150 C

138 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3441_R1_00001
Panjit
1: S/1.36
213,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3441_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3441_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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213,560En existencias

Cinta cortada

S/1.36

S/0.837

S/0.525

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.284

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

3.1 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

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+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3406_R1_00001
Panjit
1: S/1.09
372,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3406_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3406_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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372,511En existencias

Cinta cortada

S/1.09

S/0.654

S/0.409

S/0.304

S/0.269

Envase tipo carrete

S/0.241

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4403P_R2_00001
Panjit
1: S/3.43
115,712En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4403P_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4403PR200001

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/3.43

S/2.12

S/1.38

S/1.05

S/0.864

Envase tipo carrete

S/0.743

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ1906_R1_00201
Panjit
1: S/1.52
4,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ1906_R1_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ1906_R1_00201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/1.52

S/1.13

S/0.642

S/0.432

Ver

Envase tipo carrete

S/0.202

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

1 Channel

30 V

300 mA

1.2 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

900 pC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET

PSMB055N08NS1_R2_00601
Panjit
1: S/7.20
1,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMB055N08NS1_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB055N08NR2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET

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Cinta cortada

S/7.20

S/5.92

S/4.01

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

108 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

65.8 nC

- 55 C

+ 150 C

113.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJC7400_R1_00001
Panjit
1: S/1.05
30,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7400_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7400_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos

30,549En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.646

S/0.405

S/0.296

S/0.292

Envase tipo carrete

S/0.292

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.9 A

85 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET

PSMQC040N10NS2_R2_00601
Panjit
1: S/9.77
5,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC040N10NS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMQC040N10NS2R2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET

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Hoja de datos

5,874En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

122 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

PJMH074N60FRC_T0_00601
Panjit
1: S/18.96
1,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH074N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH074N60FRCT06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,490En existencias

S/18.96

S/18.45

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET

PJMH120N60EC_T0_00601
Panjit
1: S/10.43
1,472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH120N60EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH120N60ECT061

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET

Hoja de datos

1,472En existencias

S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJE8406_R1_00001
Panjit
1: S/1.17
38,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJE8406_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJE8406_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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38,023En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.705

S/0.444

S/0.327

Ver

Envase tipo carrete

S/0.226

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-523-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

700 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

920 pC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJE8408_R1_00001
Panjit
1: S/0.856
189,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJE8408_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJE8408_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos

189,102En existencias

Cinta cortada

S/0.856

S/0.525

S/0.327

S/0.237

Ver

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-523-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

900 mV

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJS6421_S1_00001
Panjit
1: S/2.14
29,626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJS6421_S1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJS6421_S1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

29,626En existencias

Cinta cortada

S/2.14

S/1.31

S/0.837

S/0.631

Envase tipo carrete

S/0.444

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.4 A

26 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3402_R1_00001
Panjit
1: S/1.01
176,508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3402_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3402_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

176,508En existencias

Cinta cortada

S/1.01

S/0.619

S/0.385

S/0.284

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

11.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3411_R1_00001
Panjit
1: S/0.895
24,579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3411_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3411_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

24,579En existencias

Cinta cortada

S/0.895

S/0.541

S/0.335

S/0.245

S/0.241

Envase tipo carrete

S/0.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.1 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3461_R1_00001
Panjit
1: S/1.52
31,943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3461_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3461_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

31,943En existencias

Cinta cortada

S/1.52

S/0.93

S/0.588

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.315

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD16P06A_L2_00001
Panjit
1: S/3.81
14,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD16P06A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD16P06AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

14,794En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.37

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

60 V

16 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

PJMF280N60E1_T0_00201
Panjit
1: S/12.46
1,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

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Hoja de datos

1,939En existencias

S/12.46

S/8.06

S/5.96

S/4.98

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Panjit
1: S/6.11
5,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4476AP-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4476APAUR2000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,882En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.88

S/2.59

S/2.04

Ver

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJC7407_R1_00001
Panjit
1: S/1.21
122,419En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7407_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7407_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos

122,419En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.743

S/0.467

S/0.346

S/0.308

Envase tipo carrete

S/0.292

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.3 A

200 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD11N06A_L2_00001
Panjit
1: S/2.80
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD11N06A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD11N06AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.72

S/1.11

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.638

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

60 V

11 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3414_R1_00001
Panjit
1: S/1.83
2,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3414_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3414_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,959En existencias

Cinta cortada

S/1.83

S/1.36

S/0.771

S/0.522

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.2 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DFN-1006-3
DFN2020B-6
DFN-2020B-6
DFN3333-8
DFN-3333-8
DFN3333-8L
DFN3333S-8L
DFN5060-8
DFN-5060-8
DFN5060B-8
DFN-5060B-8
DFN5060S-8L
DFN-5060X-8
DFN5060XC-8
DFN-8
DPAK-3 (TO-252-3)
ITO-220AB-3
ITO-220AB-F
ITO-220AB-F-3

19 mA
115 mA
160 mA
170 mA
200 mA
250 mA
300 mA
350 mA
360 mA
360 mA, 200 mA
400 mA
500 mA
500 mA, 500 mA
600 mA
700 mA
750 mA
800 mA
900 mA
1 A
1 A, 700 mA

640 uOhms
700 uOhms
830 uOhms
960 uOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.77 mOhms
1.8 mOhms
1.88 mOhms
1.9 mOhms
1.92 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms

630 pC
700 pC
800 pC
820 pC
870 pC
900 pC
920 pC
950 pC
1.1 nC
1.3 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.6 nC, 2.2 nC
1.7 nC
1.8 nC
2.2 nC
3.1 nC
3.3 nC
4.1 nC

200 mW
223 mW
236 mW
300 mW
350 mW
500 mW
700 mW
1.25 W
1.5 W
1.6 W
1.7 W
2 W
2.1 W
2.4 W
2.5 W
3 W
3.1 W
3.3 W
9.6 W
10.4 W