Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET
HP8K22TB
ROHM Semiconductor
1:
S/7.43
22,201 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8K22TB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Si MOSFET
22,201 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.75
100
S/3.18
500
S/2.52
2,500
S/2.08
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S/2.34
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S/1.91
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Rectificadores Super Fast Recovery Diode
RFN20T2DNZC9
ROHM Semiconductor
1:
S/8.68
1,670 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RFN20T2DNZC9
ROHM Semiconductor
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
1,670 En existencias
1
S/8.68
10
S/4.75
100
S/4.71
500
S/3.78
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S/3.52
2,000
S/3.46
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S/3.11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
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3,134 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIZ918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
3,134 En existencias
1
S/10.20
10
S/6.58
100
S/4.52
500
S/3.59
3,000
S/2.94
6,000
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S/3.31
6,000
S/2.76
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S/2.70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.81
6,263 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
6,263 En existencias
1
S/9.81
10
S/6.31
100
S/4.32
500
S/3.44
3,000
S/2.81
6,000
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S/3.16
6,000
S/2.63
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S/2.56
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
FDMS3664S
onsemi
1:
S/6.54
14,108 En existencias
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512-FDMS3664S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
14,108 En existencias
1
S/6.54
10
S/5.14
100
S/3.54
500
S/2.82
3,000
S/2.27
9,000
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S/2.45
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S/2.21
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Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT
CSD87333Q3D
Texas Instruments
1:
S/4.28
4,137 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87333Q3D
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT
4,137 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.28
10
S/2.78
100
S/2.30
500
S/1.98
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S/1.79
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S/1.79
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
BSC0924NDI
Infineon Technologies
1:
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726-BSC0924NDI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
4,158 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.03
10
S/2.19
100
S/1.55
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S/1.49
5,000
S/1.46
10,000
S/1.43
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Rectificadores RECT 800V 10A SM SUPER FST
RFN10NS8DTL
ROHM Semiconductor
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1,626 En existencias
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755-RFN10NS8DTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores RECT 800V 10A SM SUPER FST
1,626 En existencias
1
S/10.35
10
S/7.43
100
S/5.49
500
S/4.44
1,000
S/4.28
2,000
S/4.09
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Rectificadores Super Fast Recovery Diode
RFN16T2DNZC9
ROHM Semiconductor
1:
S/7.71
1,730 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RFN16T2DNZC9
ROHM Semiconductor
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
1,730 En existencias
1
S/7.71
10
S/3.45
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S/3.35
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S/3.34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.61
9,836 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
9,836 En existencias
1
S/9.61
10
S/5.76
100
S/4.28
500
S/3.44
3,000
S/2.94
6,000
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S/3.21
6,000
S/2.78
9,000
S/2.74
24,000
Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.35
30,600 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
30,600 En existencias
1
S/3.35
10
S/2.19
100
S/1.49
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S/1.14
3,000
S/0.81
6,000
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1,000
S/0.993
6,000
S/0.747
9,000
S/0.681
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3,000
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 75V 1A 200mA 3 Pin CER Signal or Computer Diode
1N4148UBD
Microchip Technology
1:
S/99.41
2,044 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-1N4148UBD
Microchip Technology
Diodos de Conmutación de Señal Baja 75V 1A 200mA 3 Pin CER Signal or Computer Diode
2,044 En existencias
1
S/99.41
10
S/99.38
25
S/94.78
100
S/92.17
250
Ver
250
S/88.71
500
S/87.74
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No
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
PMP3906AYS-QZ
Nexperia
1:
S/4.44
9,501 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-PMP3906AYS-QZ
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
9,501 En existencias
1
S/4.44
10
S/3.08
100
S/1.95
500
S/1.20
1,000
Ver
10,000
S/0.681
1,000
S/0.887
2,500
S/0.79
5,000
S/0.681
10,000
S/0.681
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Carrete :
10,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
FDMC8097AC
onsemi
1:
S/22.27
3,588 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMC8097AC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
3,588 En existencias
1
S/22.27
10
S/14.83
100
S/10.63
500
S/9.58
1,000
S/8.91
3,000
S/8.91
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Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
FDML7610S
onsemi
1:
S/8.60
3,691 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDML7610S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench
3,691 En existencias
1
S/8.60
10
S/5.53
100
S/3.81
500
S/3.23
3,000
S/2.34
6,000
Ver
1,000
S/2.83
6,000
S/2.24
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Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerTrench Power Stage
FDMS3604S
onsemi
1:
S/7.98
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3604S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerTrench Power Stage
3,000 En existencias
1
S/7.98
10
S/5.14
100
S/3.45
500
S/2.75
3,000
S/2.25
6,000
Ver
1,000
S/2.38
6,000
S/2.12
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl
+2 imágenes
ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
1:
S/7.08
3,432 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl
3,432 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.08
10
S/4.52
100
S/2.92
500
S/2.92
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Carrete :
500
Detalles
Transistores digitales COMP NPN/PNP 200mW
DCX114YU-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.973
126,387 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DCX114YU-F
Diodes Incorporated
Transistores digitales COMP NPN/PNP 200mW
126,387 En existencias
1
S/0.973
10
S/0.537
100
S/0.37
500
S/0.272
1,000
S/0.241
3,000
S/0.14
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Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
+1 imagen
DMG6602SVTX-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.75
37,809 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVTX-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
37,809 En existencias
1
S/1.75
10
S/0.977
100
S/0.689
500
S/0.568
3,000
S/0.354
6,000
Ver
1,000
S/0.522
6,000
S/0.315
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 251V-500V
+2 imágenes
DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
1:
S/8.25
6,528 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMGD7N45SSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 251V-500V
6,528 En existencias
1
S/8.25
10
S/4.79
100
S/3.55
500
S/2.95
2,500
S/2.37
5,000
Ver
1,000
S/2.78
5,000
S/2.31
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3
+2 imágenes
DMP4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
1:
S/7.79
9,294 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3
9,294 En existencias
1
S/7.79
10
S/4.98
100
S/3.36
500
S/2.67
1,000
S/2.50
2,500
S/2.34
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
FF1800R17IP5
Infineon Technologies
1:
S/4,016.98
2 En existencias
N.º de artículo de Mouser
641-FF1800R17IP5
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
2 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4,016.98
10
S/3,543.77
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
S/778.58
12 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IFF600B12ME4PB11
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
12 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1:
S/9.46
4,832 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,832 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.46
10
S/6.07
100
S/4.13
500
S/3.43
5,000
S/2.97
10,000
Ver
1,000
S/3.02
2,500
S/2.97
10,000
S/2.96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Pch Power MOSFET
HP8M51TB1
ROHM Semiconductor
1:
S/11.87
2,283 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-HP8M51TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Pch Power MOSFET
2,283 En existencias
1
S/11.87
10
S/7.71
100
S/5.33
500
S/4.48
1,000
S/4.16
2,500
S/3.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles