Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
STD3N62K3
STMicroelectronics
1:
S/6.46
7,700 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
7,700 En existencias
1
S/6.46
10
S/3.56
100
S/2.55
500
S/2.12
2,500
S/1.72
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S/1.93
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S/1.70
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S/1.67
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
STD45P4LLF6AG
STMicroelectronics
1:
S/9.03
2,432 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD45P4LLF6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
2,432 En existencias
1
S/9.03
10
S/5.72
100
S/3.87
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S/3.14
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S/2.43
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
STD5NK40ZT4
STMicroelectronics
1:
S/8.87
3,465 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5NK40Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
3,465 En existencias
1
S/8.87
10
S/5.68
100
S/3.85
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S/3.06
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S/2.81
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD7LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/11.21
2,652 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD7LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
2,652 En existencias
1
S/11.21
10
S/6.46
100
S/4.79
500
S/4.01
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S/3.25
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S/3.76
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
STD7N52K3
STMicroelectronics
1:
S/8.84
4,759 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD7N52K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
4,759 En existencias
1
S/8.84
10
S/5.61
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S/3.78
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S/3.06
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S/2.50
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S/2.74
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S/2.43
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
STD95N4F3
STMicroelectronics
1:
S/9.38
2,953 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD95N4F3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
2,953 En existencias
1
S/9.38
10
S/5.99
100
S/4.13
500
S/3.27
2,500
S/3.13
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S/3.13
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S/2.77
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
STF20N95K5
STMicroelectronics
1:
S/26.62
2,621 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF20N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
2,621 En existencias
1
S/26.62
10
S/13.86
100
S/12.85
500
S/11.33
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S/10.51
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S/10.28
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
STF21N90K5
STMicroelectronics
1:
S/30.01
1,723 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF21N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
1,723 En existencias
1
S/30.01
10
S/17.48
100
S/16.08
500
S/13.97
1,000
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S/13.31
2,000
S/12.81
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
STF25N80K5
STMicroelectronics
1:
S/26.39
884 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF25N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
884 En existencias
1
S/26.39
10
S/14.01
100
S/12.85
500
S/11.21
1,000
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S/10.00
2,000
S/9.73
10,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
STF26NM60N
STMicroelectronics
1:
S/34.29
1,783 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF26NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
1,783 En existencias
1
S/34.29
10
S/18.68
100
S/17.17
500
S/16.00
1,000
S/15.84
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
STF3NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/20.12
1,801 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF3NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
1,801 En existencias
1
S/20.12
10
S/10.43
100
S/9.50
500
S/7.86
1,000
Ver
1,000
S/6.85
2,000
S/6.73
5,000
S/6.66
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
STGD3NB60SDT4
STMicroelectronics
1:
S/5.76
7,090 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD3NB60SD
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
7,090 En existencias
1
S/5.76
10
S/3.64
100
S/2.42
500
S/1.89
2,500
S/1.53
10,000
Ver
1,000
S/1.72
10,000
S/1.26
25,000
S/1.25
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Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
STGP19NC60HD
STMicroelectronics
1:
S/10.78
2,080 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP19NC60HD
STMicroelectronics
IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
2,080 En existencias
1
S/10.78
10
S/6.66
100
S/5.99
500
S/5.33
1,000
Ver
1,000
S/4.83
2,000
S/4.71
5,000
S/4.59
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
360°
+6 imágenes
STGP3HF60HD
STMicroelectronics
1:
S/5.33
5,680 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP3HF60HD
STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
5,680 En existencias
1
S/5.33
10
S/2.50
100
S/2.21
500
S/1.73
1,000
Ver
1,000
S/1.44
3,000
S/1.43
6,000
S/1.29
9,000
S/1.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/41.42
361 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
361 En existencias
1
S/41.42
10
S/22.77
100
S/18.10
600
S/17.98
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
STIEC45-24AS
STMicroelectronics
1:
S/13.66
1,570 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STIEC45-24AS
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
1,570 En existencias
1
S/13.66
10
S/8.87
100
S/6.62
500
S/5.41
2,500
S/4.55
5,000
Ver
1,000
S/4.90
5,000
S/4.32
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
STL140N4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/8.68
5,617 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
5,617 En existencias
1
S/8.68
10
S/5.57
100
S/3.76
500
S/2.99
3,000
S/2.43
6,000
Ver
1,000
S/2.74
6,000
S/2.27
9,000
S/2.16
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
STL140N6F7
STMicroelectronics
1:
S/12.53
3,071 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
3,071 En existencias
1
S/12.53
10
S/8.14
100
S/5.64
500
S/4.55
1,000
S/4.40
3,000
S/4.13
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
STL18N65M2
STMicroelectronics
1:
S/13.39
3,706 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL18N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
3,706 En existencias
1
S/13.39
10
S/7.82
100
S/5.88
500
S/5.06
3,000
S/4.05
6,000
Ver
1,000
S/4.71
6,000
S/3.83
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
+1 imagen
STL210N4LF7AG
STMicroelectronics
1:
S/12.26
3,312 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL210N4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
3,312 En existencias
1
S/12.26
10
S/7.98
100
S/5.53
500
S/4.44
3,000
S/4.01
6,000
Ver
1,000
S/4.28
6,000
S/3.48
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
STL24N60M2
STMicroelectronics
1:
S/15.84
6,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
6,000 En existencias
1
S/15.84
10
S/10.39
100
S/7.32
500
S/6.07
3,000
S/4.98
6,000
S/4.90
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
STL7N6LF3
STMicroelectronics
1:
S/7.55
4,232 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL7N6LF3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
4,232 En existencias
1
S/7.55
10
S/4.48
100
S/3.13
500
S/2.55
1,000
S/2.38
3,000
S/1.98
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
STP10NK60Z
STMicroelectronics
1:
S/17.01
3,050 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
3,050 En existencias
1
S/17.01
10
S/9.89
100
S/8.91
500
S/7.59
1,000
S/7.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FP
STMicroelectronics
1:
S/30.21
1,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
1,234 En existencias
1
S/30.21
10
S/18.10
100
S/15.49
2,000
S/15.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
STP28NM50N
STMicroelectronics
1:
S/28.57
697 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP28NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
697 En existencias
1
S/28.57
10
S/15.30
100
S/14.01
500
S/11.76
1,000
Ver
1,000
S/11.02
2,000
S/10.86
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Perú
