Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4300F100K256AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/85.95
3,146 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-XMC4300F100K256A
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
3,146 En existencias
1
S/85.95
10
S/71.15
25
S/65.00
100
S/59.17
250
Ver
1,000
S/50.80
250
S/57.06
500
S/54.77
1,000
S/50.80
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.09
1,199 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,199 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/24.09
10
S/12.69
100
S/10.04
1,000
S/10.04
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Carrete :
1,000
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.02
3,159 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,159 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.02
10
S/3.76
25
S/3.29
100
S/2.92
250
Ver
2,500
S/2.47
250
S/2.74
500
S/2.62
1,000
S/2.55
2,500
S/2.47
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Carrete :
2,500
Detalles
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
1:
S/2.18
9,814 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE49641MXTMA1
Infineon Technologies
Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa POSITION SENS ATV
9,814 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.18
5
S/1.92
10
S/1.69
50
S/1.61
100
Ver
10,000
S/1.11
100
S/1.50
500
S/1.34
1,000
S/1.28
2,000
S/1.20
5,000
S/1.11
10,000
S/1.11
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10,000
Detalles
Controladores de puertas 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
+3 imágenes
IR2136STRPBF
Infineon Technologies
1:
S/13.55
1,712 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IR2136STRPBF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
1,712 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.55
10
S/10.47
25
S/9.30
100
S/8.37
1,000
S/7.43
2,000
Ver
250
S/7.94
500
S/7.79
2,000
S/7.24
5,000
S/7.12
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1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Infineon Technologies IRFB3607PBFXKMA1
IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.95
836 En existencias
2,000 Se espera el 25/02/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IRFB3607PBFXKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
836 En existencias
2,000 Se espera el 25/02/2027
1
S/8.95
10
S/5.61
100
S/3.69
500
S/2.98
1,000
Ver
1,000
S/2.53
2,000
S/2.23
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/31.33
7,324 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
7,324 En existencias
1
S/31.33
10
S/16.93
100
S/15.53
500
S/15.06
1,000
S/14.25
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/32.58
4,305 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
4,305 En existencias
1
S/32.58
10
S/17.94
100
S/16.50
500
S/16.19
1,000
S/15.30
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.96
24,301 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
24,301 En existencias
1
S/25.96
10
S/13.78
100
S/12.61
500
S/11.76
1,000
S/11.29
2,000
S/11.09
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/30.71
2,649 En existencias
3,000 Se espera el 3/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP051N15N5XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,649 En existencias
3,000 Se espera el 3/12/2026
1
S/30.71
10
S/16.58
100
S/15.18
500
S/13.70
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.63
27,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
27,853 En existencias
1
S/23.63
10
S/12.46
100
S/11.37
500
S/10.35
1,000
S/9.77
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.96
24,611 En existencias
750 Se espera el 21/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5LFATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
24,611 En existencias
750 Se espera el 21/09/2026
1
S/25.96
10
S/13.78
100
S/12.61
500
S/11.72
1,000
S/11.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.69
24,985 En existencias
16,000 Se espera el 17/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
24,985 En existencias
16,000 Se espera el 17/09/2026
Embalaje alternativo
1
S/25.69
10
S/14.44
100
S/13.20
500
S/12.42
1,000
S/11.72
2,000
S/11.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/28.06
18,499 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
18,499 En existencias
1
S/28.06
10
S/14.99
100
S/13.74
500
S/13.00
1,000
S/12.30
2,000
S/12.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/75.79
190 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
190 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
TLS115D0EJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.46
12,206 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLS115D0EJXUMA1
Infineon Technologies
Reguladores de tensión LDO OPTIREG LINEAR
12,206 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.75
25
S/4.32
100
S/3.82
2,500
S/3.22
5,000
Ver
250
S/3.60
500
S/3.46
1,000
S/3.43
5,000
S/3.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.82
3,681 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
3,681 En existencias
1
S/13.82
10
S/10.39
25
S/8.99
100
S/8.56
1,900
S/6.73
3,800
Ver
500
S/7.86
1,000
S/7.12
3,800
S/6.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,900
Detalles
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.37
6,048 En existencias
15,000 Se espera el 4/02/2027
N.º de artículo de Mouser
726-1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Output
6,048 En existencias
15,000 Se espera el 4/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/8.37
10
S/6.19
25
S/5.64
100
S/5.06
250
Ver
2,500
S/4.24
250
S/4.75
500
S/4.59
1,000
S/4.52
2,500
S/4.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.41
6,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6,128 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.41
10
S/8.52
25
S/7.79
100
S/6.97
3,000
S/5.92
6,000
Ver
250
S/6.62
500
S/6.46
1,000
S/6.11
6,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.51
4,145 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
4,145 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.51
10
S/6.77
100
S/6.11
500
S/4.98
1,000
S/4.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB107N20N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/25.11
1,133 En existencias
14,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,133 En existencias
14,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
1,133 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6,000 Se espera el 26/11/2026
8,000 Se espera el 1/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
36 Semanas
1
S/25.11
10
S/13.78
100
S/12.57
500
S/11.72
1,000
S/11.05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
TLE9877QXW40XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/24.87
1,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE9877QXW40XUMA
Infineon Technologies
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
1,951 En existencias
1
S/24.87
10
S/19.07
25
S/17.28
100
S/16.00
250
Ver
2,500
S/14.29
250
S/15.26
500
S/14.79
1,000
S/14.64
2,500
S/14.29
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1:
S/20.32
83 En existencias
800 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
83 En existencias
800 En pedido
1
S/20.32
10
S/10.55
100
S/9.61
500
S/7.98
800
S/7.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.81
30 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
30 En existencias
10,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/9.81
10
S/7.28
25
S/6.66
100
S/5.76
250
Ver
2,500
S/4.79
250
S/5.45
500
S/5.29
1,000
S/5.06
2,500
S/4.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.31
5 En existencias
80,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
5 En existencias
80,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 22/10/2026
55,000 Se espera el 8/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/6.31
10
S/4.13
100
S/2.72
500
S/2.24
1,000
Ver
5,000
S/1.44
1,000
S/1.95
2,500
S/1.90
5,000
S/1.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles