Semiconductores – Mouser Perú

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Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.59
27,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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27,448En existencias

Cinta cortada

S/23.59

S/12.38

S/11.13

S/10.35

Envase tipo carrete

S/9.65

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.56
2,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,346En existencias

S/50.56

S/28.03

S/26.74

Min.: 1
Mult.: 1

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.43
8,222En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
2EDF9275FXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-2EDF9275FXUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

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8,222En existencias

Cinta cortada

S/13.43

S/10.12

S/9.26

S/8.37

Envase tipo carrete

S/6.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.49
1,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,980En existencias

Cinta cortada

S/28.49

S/15.26

S/13.97

S/13.27

S/12.53

Envase tipo carrete

S/12.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.43
1,578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,578En existencias

Cinta cortada

S/29.43

S/15.80

S/14.48

S/13.90

S/13.12

Envase tipo carrete

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.93
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,989En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/12.03

S/10.98

S/9.96

S/9.38

Envase tipo carrete

S/9.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.89
240En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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240En existencias

S/25.89

S/16.50

S/15.65

S/15.61

S/14.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.19
8,838En existencias
6,000Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N10N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5LFATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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6,000Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/32.19

S/17.40

S/15.96

S/14.52

Envase tipo carrete

S/13.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
33,408En existencias
25,000Se espera el 22/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC093N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC093N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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33,408En existencias

25,000Se espera el 22/04/2027

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S/18.57

S/10.39

S/9.23

S/7.75

S/7.51

Envase tipo carrete

S/7.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.06
16,241En existencias
14,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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16,241En existencias

14,000Se espera el 8/10/2026

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S/28.06

S/14.99

S/13.74

S/13.00

S/12.30

Envase tipo carrete

S/12.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.96
31,099En existencias
14,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

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31,099En existencias

14,000En pedido

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S/25.96

S/13.78

S/12.61

S/11.76

S/11.29

Envase tipo carrete

S/11.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.15
1,467En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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1,467En existencias

S/61.15

S/35.07

S/34.80

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.48
313En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

313En existencias

S/40.48

S/23.32

S/21.60

S/21.53

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.58
6,889En existencias
8,590Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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6,889En existencias

8,590Se espera el 19/10/2026

Cinta cortada

S/32.58

S/17.94

S/16.50

S/16.19

Envase tipo carrete

S/15.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3
Infineon Technologies
1: S/27.29
827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

827En existencias

Cinta cortada

S/27.29

S/18.26

S/14.67

S/13.31

Envase tipo carrete

S/11.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.02
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

406En existencias

S/37.02

S/23.32

S/20.55

S/17.32

Min.: 1
Mult.: 1

Microcontroladores ARM - MCU XMC1000

XMC1404F064X0200AAXUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
3,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XMC1404F064X0200AAXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-1404F064X0200AAX

Infineon Technologies

Microcontroladores ARM - MCU XMC1000

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3,681En existencias

Cinta cortada

S/13.82

S/10.39

S/8.99

S/8.56

Envase tipo carrete

S/6.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,900

Conversores CA/DC COOLSET

ICE5QSAGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.71
2,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ICE5QSAGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ICE5QSAGXUMA1

Infineon Technologies

Conversores CA/DC COOLSET

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2,724En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/3.44

S/3.12

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.13
2,462En existencias
7,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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2,462En existencias

7,000En pedido

Cinta cortada

S/30.13

S/16.35

S/14.99

S/13.47

Envase tipo carrete

S/12.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.78
768En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

768En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/26.78

S/14.48

S/13.27

S/12.30

S/11.68

Envase tipo carrete

S/11.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/37.68
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

985En existencias

Cinta cortada

S/37.68

S/20.75

S/19.23

S/18.65

Envase tipo carrete

S/17.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.01
577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

577En existencias

Cinta cortada

S/40.01

S/22.15

S/20.82

S/20.79

S/20.32

Envase tipo carrete

S/19.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/85.67
661En existencias
720Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

661En existencias

720Se espera el 5/11/2026

S/85.67

S/52.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.03
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

707En existencias

S/41.03

S/22.27

S/20.59

S/20.55

S/20.36

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
1,953En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

1,953En existencias

S/6.31

S/2.78

S/2.49

S/2.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Residential Energy Storage Systems (ESS)

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