Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP60N20X4
IXYS
1: S/52.16
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

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Hoja de datos

268En existencias

S/52.16

S/29.62

S/27.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFB110N60P3
IXYS
1: S/118.76
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB110N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB110N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

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292En existencias

S/118.76

S/79.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

110 A

56 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.89 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXFH120N15P
IXYS
1: S/49.43
330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

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330En existencias

S/49.43

S/29.70

S/26.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds

IXFH16N80P
IXYS
1: S/46.67
310En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds

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310En existencias

S/46.67

S/30.01

S/25.92

S/23.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFH24N90P
IXYS
1: S/78.36
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

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261En existencias

S/78.36

S/48.97

S/47.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

24 A

420 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A

IXFH30N60P
IXYS
1: S/52.78
1,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A

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1,709En existencias

S/52.78

S/29.39

S/28.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

240 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A

IXFK520N075T2
IXYS
1: S/75.20
1,162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK520N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK520N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A

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1,162En existencias

S/75.20

S/47.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

75 V

520 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

545 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A

IXFK64N60P
IXYS
1: S/101.79
360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A

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360En existencias

S/101.79

S/70.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFP6N120P
IXYS
1: S/47.02
626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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626En existencias

S/47.02

S/28.45

S/26.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N30X3M
IXYS
1: S/49.98
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N30X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N30X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS

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957En existencias

S/49.98

S/28.26

S/26.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXFT96N20P
IXYS
1: S/62.59
644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT96N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT96N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

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644En existencias

S/62.59

S/38.34

S/35.30

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

96 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

IXFX120N25P
IXYS
1: S/76.60
170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX120N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX120N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

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170En existencias

S/76.60

S/52.04

S/50.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

120 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

700 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

IXFX24N100Q3
IXYS
1: S/132.70
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX24N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX24N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A

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298En existencias

S/132.70

S/91.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

24 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFX360N10T
IXYS
1: S/69.95
825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX360N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX360N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

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825En existencias

S/69.95

S/40.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

360 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

525 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXFX360N15T2
IXYS
1: S/144.29
361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX360N15T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX360N15T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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361En existencias

S/144.29

S/102.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

150 V

360 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

715 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFX94N50P2
IXYS
1: S/107.74
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX94N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX94N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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Hoja de datos

766En existencias

S/107.74

S/70.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

94 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

228 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

IXTH500N04T2
IXYS
1: S/77.23
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH500N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH500N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

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Hoja de datos

190En existencias

S/77.23

S/57.69

S/44.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

40 V

500 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

405 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

IXTH60N20X4
IXYS
1: S/60.57
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

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Hoja de datos

354En existencias

S/60.57

S/34.22

S/33.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

60 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

X4-Class

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds

IXTP48N20T
IXYS
1: S/23.59
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP48N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP48N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds

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Hoja de datos

681En existencias

S/23.59

S/12.42

S/10.59

S/9.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

48 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

IXFH340N075T2
IXYS
1: S/59.94
1,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH340N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH340N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

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Hoja de datos

1,303En existencias

S/59.94

S/41.18

S/33.40

S/32.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

340 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFH86N30T
IXYS
1: S/57.14
293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH86N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH86N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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Hoja de datos

293En existencias

S/57.14

S/34.76

S/31.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

86 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFP22N60P3
IXYS
1: S/29.47
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP22N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP22N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

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476En existencias

S/29.47

S/15.80

S/14.48

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

500 W

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

IXFY30N25X3
IXYS
1: S/35.50
660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFY30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFY30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

660En existencias

S/35.50

S/19.15

S/17.63

S/17.40

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

250 V

30 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/71.23
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

239En existencias

S/71.23

S/44.18

S/41.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

137 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

IXFP14N60P
IXYS
1: S/27.48
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

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Hoja de datos

172En existencias

S/27.48

S/18.41

S/14.75

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W